EMMC5.1 64 GB 128 GB 256 GB Klasa przemysłowa EMMC 100 000 cykli P/E 3 miliony godzin MTBF Wysoka niezawodność 512 GB
Specyfikacja produktu
Miejsce pochodzenia:
Shenzhen, Chiny
Nazwa marki:
PG
Numer modelu:
G2864TLCB/G28128TLCB/G28256TLCB/G2564LTCB/G25128LTCB/G25256LTCB
Minimalna ilość zamówienia:
50 sztuk
Cena:
Negocjowalne
Czas dostawy:
10 do 15 dni
Warunki płatności:
L/C, T/T
Możliwość zaopatrzenia:
100 tys. miesięcznie
Podsumowanie produktu
EMMC5.1 64GB 128GB 256GB EMMC klasy przemysłowej 100.000 cykli P/E 3 miliony godzin MTBF Wysoka niezawodność 512GB Rozwiązania magazynowania eMMC 5.1 klasy przemysłowej oferujące wyjątkową niezawodność z 100 000 cyklami programu/wymazania i 3 milionami godzin MTBF w wielu opcjach pojemności. CB ...
Szczegóły produktu
Podkreślić:
eMMC5.1 64 GB
,Wbudowany eMMC 128 GB
,układ eMMC
Memory:
Błysk
Custom:
Wsparcie
Origin:
Chiny
Sequential Write Speed:
Do 240 MB/s
Standard:
eMMC 5.1
Capacity:
64 GB, 128 GB, 256 GB
Appearance:
11,5 mm x 13 mm x 1,0 mm / 11,5 mm x 13 mm x 1,2 mm
Nand Flash Type:
3D NAND
Manufacturer:
Marka PG, chińska gwiazda chipsów
Storage Temperature:
-20-85℃
Opis produktu
EMMC5.1 64GB 128GB 256GB EMMC klasy przemysłowej 100.000 cykli P/E 3 miliony godzin MTBF Wysoka niezawodność 512GB
Rozwiązania magazynowania eMMC 5.1 klasy przemysłowej oferujące wyjątkową niezawodność z 100 000 cyklami programu/wymazania i 3 milionami godzin MTBF w wielu opcjach pojemności.
CB EMMC5.1 Specyfikacje
| Model | G2864GTLCB | G28128TLCB | G28256TLCB |
|---|---|---|---|
| NAND Flash | 3DTLC NAND | 3DTLC NAND | 3DTLC NAND |
| Pojemność | 64 GB | 128 GB | 256 GB |
| CE | 1 | 2 | 4 |
| Szybkość odczytu | do 330MB/s | do 330MB/s | do 330MB/s |
| Szybkość pisania | do 240 MB/s | do 240 MB/s | do 240 MB/s |
| Temperatura pracy | -25°C~85°C | -25°C~85°C | -25°C~85°C |
| EP | ≥ 3000 | ≥ 3000 | ≥ 3000 |
| Specyfikacja opakowania | BGA 153 | BGA 153 | BGA 153 |
| Wielkość | 11.5mm*13mm*1.0mm | 11.5mm*13mm*1.0mm | 11.5mm*13mm*1.2mm |
Nośnik pamięci: chip pamięci NAND Flash
Pamięć flash NAND służy jako podstawowy komponent pamięci masowej w eMMC, bezpośrednio określając pojemność pamięci masowej, wydajność odczytu/zapisu oraz okres eksploatacji.Różne technologie NAND oferują różne poziomy wydajności i wytrzymałości:
- SLC (komórka pojedynczego poziomu): Przechowuje 1 bit na komórkę z wyjątkową wytrzymałością (100.000+ cykli P/E), wysoką prędkością działania i maksymalną stabilnością.
- MLC (Multi-Level Cell): Przechowuje 2 bity na komórkę z 10 000-30000 cyklami P/E, zrównoważając wydajność i koszty.
- TLC (trójpoziomowa komórka): Przechowuje 3 bity na komórkę z 1000-3000 cyklami P/E, oferując opłacalne przechowywanie wysokiej gęstości dla elektroniki użytkowej.
- QLC (komórka czteropoziomowa): Przechowuje 4 bity na komórkę z kilkuset cykli P/E, zapewniając maksymalną gęstość pojemności dla aplikacji o minimalnych wymaganiach zapisu.
Pojemność pamięci eMMC zależy od liczby i pojemności chipów pamięci flash NAND, z opcjami od 4 GB i 8 GB do 64 GB i 128 GB, aby uwzględnić różne wymagania urządzenia.
Może Ci się spodobać