EMMC5.1 64 گیگابایت 128 گیگابایت 256 گیگابایت درجه صنعتی EMMC 100000 چرخه P/E 3 میلیون ساعت MTBF قابلیت اطمینان بالا 512 گیگابایت
مشخصات محصول
محل مبدا:
شنژن، چین
نام تجاری:
PG
شماره مدل:
G2864TLCB/G28128TLCB/G28256TLCB/G2564LTCB/G25128LTCB/G25256LTCB
حداقل مقدار سفارش:
پنجاه تا
قیمت:
قابل مذاکره
زمان تحویل:
10 تا 15 روز
شرایط پرداخت:
L/C، T/T
توانایی تامین:
100 هزار در ماه
خلاصه محصول
EMMC5.1 64 گیگابایت 128 گیگابایت 256 گیگابایت EMMC صنعتی 100,000 چرخه P/E 3 میلیون ساعت MTBF قابلیت اطمینان بالا 512 گیگابایت راه حل های ذخیره سازی eMMC 5.1 صنعتی که قابلیت اطمینان استثنایی را با 100,000 چرخه برنامه/پاک کردن و 3 میلیون ساعت MTBF در گزینه های ظرفیت متعدد ارائه می دهند. مشخصات CB ...
جزئیات محصول
برجسته کردن:
eMMC5.1 64GB
,ام ام سي 128 گيگابايت جاسازی شده
,ام ام سی
Memory:
فلش
Custom:
پشتیبانی کنید
Origin:
چین
Sequential Write Speed:
تا 240 مگابایت بر ثانیه
Standard:
eMMC 5.1
Capacity:
64 گیگابایت ، 128 گیگابایت ، 256 گیگابایت
Appearance:
11.5mmx13mmx1.0mm/11.5mmx13mmx1.2mm
Nand Flash Type:
3D NAND
Manufacturer:
برند پی جی، ستاره چیپس چین
Storage Temperature:
-20-85℃
توضیحات محصول
EMMC5.1 64 گیگابایت 128 گیگابایت 256 گیگابایت EMMC صنعتی 100,000 چرخه P/E 3 میلیون ساعت MTBF قابلیت اطمینان بالا 512 گیگابایت
راه حل های ذخیره سازی eMMC 5.1 صنعتی که قابلیت اطمینان استثنایی را با 100,000 چرخه برنامه/پاک کردن و 3 میلیون ساعت MTBF در گزینه های ظرفیت متعدد ارائه می دهند.
مشخصات CB EMMC5.1
| مدل | G2864GTLCB | G28128TLCB | G28256TLCB |
|---|---|---|---|
| حافظه فلش NAND | 3DTLC NAND | 3DTLC NAND | 3DTLC NAND |
| ظرفیت | 64 گیگابایت | 128 گیگابایت | 256 گیگابایت |
| CE | 1 | 2 | 4 |
| سرعت خواندن | تا 330 مگابایت بر ثانیه | تا 330 مگابایت بر ثانیه | تا 330 مگابایت بر ثانیه |
| سرعت نوشتن | تا 240 مگابایت بر ثانیه | تا 240 مگابایت بر ثانیه | تا 240 مگابایت بر ثانیه |
| دمای عملیاتی | -25 درجه سانتیگراد ~ 85 درجه سانتیگراد | -25 درجه سانتیگراد ~ 85 درجه سانتیگراد | -25 درجه سانتیگراد ~ 85 درجه سانتیگراد |
| EP | ≥3000 | ≥3000 | ≥3000 |
| مشخصات بسته بندی | BGA 153 | BGA 153 | BGA 153 |
| اندازه | 11.5 میلی متر * 13 میلی متر * 1.0 میلی متر | 11.5 میلی متر * 13 میلی متر * 1.0 میلی متر | 11.5 میلی متر * 13 میلی متر * 1.2 میلی متر |
حامل ذخیره سازی: تراشه حافظه فلش NAND
حافظه فلش NAND به عنوان جزء اصلی ذخیره سازی در eMMC عمل می کند و مستقیماً ظرفیت ذخیره سازی، عملکرد خواندن/نوشتن و طول عمر عملیاتی را تعیین می کند. فناوری های مختلف NAND سطوح مختلفی از عملکرد و دوام را ارائه می دهند:
- SLC (سلول تک سطحی): 1 بیت در هر سلول را با دوام استثنایی (بیش از 100,000 چرخه P/E)، عملکرد با سرعت بالا و حداکثر پایداری ذخیره می کند. ایده آل برای کاربردهای صنعتی که نیاز به قابلیت اطمینان برتر دارند.
- MLC (سلول چند سطحی): 2 بیت در هر سلول را با 10,000-30,000 چرخه P/E ذخیره می کند و عملکرد و هزینه را متعادل می کند. قبلاً در دستگاه های موبایل میان رده تا رده بالا استفاده می شد.
- TLC (سلول سه سطحی): 3 بیت در هر سلول را با 1,000-3,000 چرخه P/E ذخیره می کند و ذخیره سازی با چگالی بالا و مقرون به صرفه را برای لوازم الکترونیکی مصرفی ارائه می دهد.
- QLC (سلول چهار سطحی): 4 بیت در هر سلول را با چند صد چرخه P/E ذخیره می کند و حداکثر چگالی ظرفیت را برای برنامه هایی با حداقل نیازهای نوشتن فراهم می کند.
ظرفیت ذخیره سازی eMMC با تعداد و ظرفیت تراشه های حافظه فلش NAND تعیین می شود، با گزینه هایی از 4 گیگابایت و 8 گیگابایت تا 64 گیگابایت و 128 گیگابایت برای جای دادن نیازهای متنوع دستگاه ها.
شما همچنین ممکن است دوست داشته باشید