logo
×
کیفیت EMMC5.1 64 گیگابایت 128 گیگابایت 256 گیگابایت درجه صنعتی EMMC 100000 چرخه P/E 3 میلیون ساعت MTBF قابلیت اطمینان بالا 512 گیگابایت کارخانه
کیفیت EMMC5.1 64 گیگابایت 128 گیگابایت 256 گیگابایت درجه صنعتی EMMC 100000 چرخه P/E 3 میلیون ساعت MTBF قابلیت اطمینان بالا 512 گیگابایت کارخانه
کیفیت EMMC5.1 64 گیگابایت 128 گیگابایت 256 گیگابایت درجه صنعتی EMMC 100000 چرخه P/E 3 میلیون ساعت MTBF قابلیت اطمینان بالا 512 گیگابایت کارخانه

EMMC5.1 64 گیگابایت 128 گیگابایت 256 گیگابایت درجه صنعتی EMMC 100000 چرخه P/E 3 میلیون ساعت MTBF قابلیت اطمینان بالا 512 گیگابایت

مشخصات محصول
محل مبدا: شنژن، چین
نام تجاری: PG
شماره مدل: G2864TLCB/G28128TLCB/G28256TLCB/G2564LTCB/G25128LTCB/G25256LTCB
حداقل مقدار سفارش: پنجاه تا
قیمت: قابل مذاکره
زمان تحویل: 10 تا 15 روز
شرایط پرداخت: L/C، T/T
توانایی تامین: 100 هزار در ماه

خلاصه محصول

EMMC5.1 64 گیگابایت 128 گیگابایت 256 گیگابایت EMMC صنعتی 100,000 چرخه P/E 3 میلیون ساعت MTBF قابلیت اطمینان بالا 512 گیگابایت راه حل های ذخیره سازی eMMC 5.1 صنعتی که قابلیت اطمینان استثنایی را با 100,000 چرخه برنامه/پاک کردن و 3 میلیون ساعت MTBF در گزینه های ظرفیت متعدد ارائه می دهند. مشخصات CB ...

جزئیات محصول

برجسته کردن:

eMMC5.1 64GB

,

ام ام سي 128 گيگابايت جاسازی شده

,

ام ام سی

Memory: فلش
Custom: پشتیبانی کنید
Origin: چین
Sequential Write Speed: تا 240 مگابایت بر ثانیه
Standard: eMMC 5.1
Capacity: 64 گیگابایت ، 128 گیگابایت ، 256 گیگابایت
Appearance: 11.5mmx13mmx1.0mm/11.5mmx13mmx1.2mm
Nand Flash Type: 3D NAND
Manufacturer: برند پی جی، ستاره چیپس چین
Storage Temperature: -20-85℃

توضیحات محصول

EMMC5.1 64 گیگابایت 128 گیگابایت 256 گیگابایت EMMC صنعتی 100,000 چرخه P/E 3 میلیون ساعت MTBF قابلیت اطمینان بالا 512 گیگابایت
راه حل های ذخیره سازی eMMC 5.1 صنعتی که قابلیت اطمینان استثنایی را با 100,000 چرخه برنامه/پاک کردن و 3 میلیون ساعت MTBF در گزینه های ظرفیت متعدد ارائه می دهند.
مشخصات CB EMMC5.1
مدل G2864GTLCB G28128TLCB G28256TLCB
حافظه فلش NAND 3DTLC NAND 3DTLC NAND 3DTLC NAND
ظرفیت 64 گیگابایت 128 گیگابایت 256 گیگابایت
CE 1 2 4
سرعت خواندن تا 330 مگابایت بر ثانیه تا 330 مگابایت بر ثانیه تا 330 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن تا 240 مگابایت بر ثانیه تا 240 مگابایت بر ثانیه تا 240 مگابایت بر ثانیه
دمای عملیاتی -25 درجه سانتیگراد ~ 85 درجه سانتیگراد -25 درجه سانتیگراد ~ 85 درجه سانتیگراد -25 درجه سانتیگراد ~ 85 درجه سانتیگراد
EP ≥3000 ≥3000 ≥3000
مشخصات بسته بندی BGA 153 BGA 153 BGA 153
اندازه 11.5 میلی متر * 13 میلی متر * 1.0 میلی متر 11.5 میلی متر * 13 میلی متر * 1.0 میلی متر 11.5 میلی متر * 13 میلی متر * 1.2 میلی متر
حامل ذخیره سازی: تراشه حافظه فلش NAND
حافظه فلش NAND به عنوان جزء اصلی ذخیره سازی در eMMC عمل می کند و مستقیماً ظرفیت ذخیره سازی، عملکرد خواندن/نوشتن و طول عمر عملیاتی را تعیین می کند. فناوری های مختلف NAND سطوح مختلفی از عملکرد و دوام را ارائه می دهند:
  • SLC (سلول تک سطحی): 1 بیت در هر سلول را با دوام استثنایی (بیش از 100,000 چرخه P/E)، عملکرد با سرعت بالا و حداکثر پایداری ذخیره می کند. ایده آل برای کاربردهای صنعتی که نیاز به قابلیت اطمینان برتر دارند.
  • MLC (سلول چند سطحی): 2 بیت در هر سلول را با 10,000-30,000 چرخه P/E ذخیره می کند و عملکرد و هزینه را متعادل می کند. قبلاً در دستگاه های موبایل میان رده تا رده بالا استفاده می شد.
  • TLC (سلول سه سطحی): 3 بیت در هر سلول را با 1,000-3,000 چرخه P/E ذخیره می کند و ذخیره سازی با چگالی بالا و مقرون به صرفه را برای لوازم الکترونیکی مصرفی ارائه می دهد.
  • QLC (سلول چهار سطحی): 4 بیت در هر سلول را با چند صد چرخه P/E ذخیره می کند و حداکثر چگالی ظرفیت را برای برنامه هایی با حداقل نیازهای نوشتن فراهم می کند.
ظرفیت ذخیره سازی eMMC با تعداد و ظرفیت تراشه های حافظه فلش NAND تعیین می شود، با گزینه هایی از 4 گیگابایت و 8 گیگابایت تا 64 گیگابایت و 128 گیگابایت برای جای دادن نیازهای متنوع دستگاه ها.
شما همچنین ممکن است دوست داشته باشید