logo
×
Chất lượng EMMC5.1 64GB 128GB 256GB EMMC cấp công nghiệp 100.000 P/E Chu kỳ 3 triệu giờ MTBF Độ tin cậy cao 512GB nhà máy
Chất lượng EMMC5.1 64GB 128GB 256GB EMMC cấp công nghiệp 100.000 P/E Chu kỳ 3 triệu giờ MTBF Độ tin cậy cao 512GB nhà máy
Chất lượng EMMC5.1 64GB 128GB 256GB EMMC cấp công nghiệp 100.000 P/E Chu kỳ 3 triệu giờ MTBF Độ tin cậy cao 512GB nhà máy

EMMC5.1 64GB 128GB 256GB EMMC cấp công nghiệp 100.000 P/E Chu kỳ 3 triệu giờ MTBF Độ tin cậy cao 512GB

Đặc điểm kỹ thuật sản phẩm
Nơi xuất xứ: Thâm Quyến, Trung Quốc
Tên thương hiệu: PG
Số mô hình: G2864TLCB/G28128TLCB/G28256TLCB/G2564LTCB/G25128LTCB/G25256LTCB
Số lượng đặt hàng tối thiểu: 50pcs
Giá: Có thể đàm phán
Thời gian giao hàng: 10 đến 15 ngày
Điều khoản thanh toán: L/C,T/T
Khả năng cung cấp: 100K một tháng

Tóm tắt sản phẩm

EMMC5.1 64GB 128GB 256GB EMMC cấp công nghiệp 100.000 P / E Chu kỳ 3 triệu giờ MTBF Độ tin cậy cao 512GB Các giải pháp lưu trữ eMMC 5.1 cấp công nghiệp cung cấp độ tin cậy đặc biệt với 100.000 chu kỳ chương trình / xóa và 3 triệu giờ MTBF trên nhiều tùy chọn dung lượng. CB EMMC5.1 Thông số kỹ thuật ...

Chi tiết sản phẩm

Làm nổi bật:

eMMC5.1 64GB

,

eMMC 128GB nhúng

,

IC eMMC

Memory: đèn flash
Custom: Ủng hộ
Origin: Trung Quốc
Sequential Write Speed: Lên tới 240 MB/giây
Standard: EMMC 5.1
Capacity: 64GB, 128GB, 256GB
Appearance: 11,5mmx13mmx1,0mm/11,5mmx13mmx1,2mm
Nand Flash Type: 3D NAND
Manufacturer: Thương hiệu PG, Ngôi sao khoai tây chiên Trung Quốc
Storage Temperature: -20-85℃

Mô tả sản phẩm

EMMC5.1 64GB 128GB 256GB EMMC cấp công nghiệp 100.000 P / E Chu kỳ 3 triệu giờ MTBF Độ tin cậy cao 512GB
Các giải pháp lưu trữ eMMC 5.1 cấp công nghiệp cung cấp độ tin cậy đặc biệt với 100.000 chu kỳ chương trình / xóa và 3 triệu giờ MTBF trên nhiều tùy chọn dung lượng.
CB EMMC5.1 Thông số kỹ thuật
Mô hình G2864GTLCB G28128TLCB G28256TLCB
NAND Flash 3DTLC NAND 3DTLC NAND 3DTLC NAND
Công suất 64GB 128GB 256GB
CE 1 2 4
Tốc độ đọc tối đa 330MB/s tối đa 330MB/s tối đa 330MB/s
Tốc độ ghi Tối đa 240MB/s Tối đa 240MB/s Tối đa 240MB/s
Nhiệt độ hoạt động -25°C~85°C -25°C~85°C -25°C~85°C
EP ≥ 3000 ≥ 3000 ≥ 3000
Thông số kỹ thuật bao bì BGA 153 BGA 153 BGA 153
Kích thước 11.5mm*13mm*1.0mm 11.5mm*13mm*1.0mm 11.5mm*13mm*1.2mm
Bộ nhớ lưu trữ: chip bộ nhớ flash NAND
Bộ nhớ flash NAND đóng vai trò là thành phần lưu trữ chính trong eMMC, trực tiếp xác định dung lượng lưu trữ, hiệu suất đọc / ghi và tuổi thọ hoạt động.Các công nghệ NAND khác nhau cung cấp các mức độ hiệu suất và độ bền khác nhau:
  • SLC (Cell đơn cấp): Lưu trữ 1 bit mỗi tế bào với độ bền đặc biệt (100.000 + chu kỳ P / E), hiệu suất tốc độ cao và độ ổn định tối đa.
  • MLC (Multi-Level Cell): Lưu trữ 2 bit mỗi tế bào với 10.000-30.000 chu kỳ P / E, cân bằng hiệu suất và chi phí.
  • TLC (Triple-Level Cell): Lưu trữ 3 bit mỗi tế bào với 1.000-3.000 chu kỳ P / E, cung cấp lưu trữ mật độ cao hiệu quả về chi phí cho các thiết bị điện tử tiêu dùng.
  • QLC (Quad-Level Cell): Lưu trữ 4 bit mỗi tế bào với vài trăm chu kỳ P / E, cung cấp mật độ dung lượng tối đa cho các ứng dụng có yêu cầu ghi tối thiểu.
Capacity lưu trữ eMMC được xác định bởi số lượng và dung lượng chip bộ nhớ flash NAND, với các tùy chọn từ 4GB và 8GB đến 64GB và 128GB để đáp ứng các yêu cầu thiết bị khác nhau.
Bạn cũng có thể thích