EMMC5.1 64GB 128GB 256GB EMMC de nível industrial 100.000 ciclos P/E 3 milhões de horas MTBF alta confiabilidade 512GB
Especificação do produto
Local de Origem:
Shenzhen, China
Marca:
PG
Número do modelo:
G2864TLCB/G28128TLCB/G28256TLCB/G2564LTCB/G25128LTCB/G25256LTCB
Quantidade mínima de pedido:
50 PCS
Preço:
Negociável
Prazo de entrega:
10 a 15 dias
Condições de pagamento:
L/C,T/T
Capacidade de fornecimento:
100 mil por mês.
Resumo do Produto
EMMC5.1 64GB 128GB 256GB EMMC de Grau Industrial 100.000 Ciclos P/E 3 Milhões de Horas MTBF Alta Confiabilidade 512GB Soluções de armazenamento eMMC 5.1 de grau industrial oferecendo confiabilidade excepcional com 100.000 ciclos de programa/apagamento e 3 milhões de horas MTBF em várias opções de ...
Detalhes do produto
Destacar:
eMMC5.1 64GB
,Embedded emmc 128GB
,Emmc
Memory:
Clarão
Custom:
apoiar
Origin:
China
Sequential Write Speed:
Até 240 MB/s
Standard:
EMMC 5.1
Capacity:
64 GB, 128 GB, 256 GB
Appearance:
11,5 mm x 13 mm x 1,0 mm/11,5 mm x 13 mm x 1,2 mm
Nand Flash Type:
NAND 3D
Manufacturer:
Marca PG, estrela de chips da China
Storage Temperature:
-20-85°C
Descrição do produto
EMMC5.1 64GB 128GB 256GB EMMC de Grau Industrial 100.000 Ciclos P/E 3 Milhões de Horas MTBF Alta Confiabilidade 512GB
Soluções de armazenamento eMMC 5.1 de grau industrial oferecendo confiabilidade excepcional com 100.000 ciclos de programa/apagamento e 3 milhões de horas MTBF em várias opções de capacidade.
Especificações CB EMMC5.1
| Modelo | G2864GTLCB | G28128TLCB | G28256TLCB |
|---|---|---|---|
| NAND Flash | NAND 3DTLC | NAND 3DTLC | NAND 3DTLC |
| Capacidade | 64GB | 128GB | 256GB |
| CE | 1 | 2 | 4 |
| Velocidade de Leitura | até 330MB/s | até 330MB/s | até 330MB/s |
| Velocidade de Gravação | até 240MB/s | até 240MB/s | até 240MB/s |
| Temperatura de Operação | -25°C~85°C | -25°C~85°C | -25°C~85°C |
| EP | ≥3000 | ≥3000 | ≥3000 |
| Especificação de Embalagem | BGA 153 | BGA 153 | BGA 153 |
| Tamanho | 11.5mm*13mm*1.0mm | 11.5mm*13mm*1.0mm | 11.5mm*13mm*1.2mm |
Portador de Armazenamento: Chip de Memória Flash NAND
A memória flash NAND serve como o componente de armazenamento primário no eMMC, determinando diretamente a capacidade de armazenamento, o desempenho de leitura/gravação e a vida útil operacional. Diferentes tecnologias NAND oferecem níveis variados de desempenho e resistência:
- SLC (Single-Level Cell): Armazena 1 bit por célula com resistência excepcional (mais de 100.000 ciclos P/E), desempenho de alta velocidade e estabilidade máxima. Ideal para aplicações industriais que exigem confiabilidade superior.
- MLC (Multi-Level Cell): Armazena 2 bits por célula com 10.000-30.000 ciclos P/E, equilibrando desempenho e custo. Anteriormente usado em dispositivos móveis de gama média a alta.
- TLC (Triple-Level Cell): Armazena 3 bits por célula com 1.000-3.000 ciclos P/E, oferecendo armazenamento de alta densidade e econômico para eletrônicos de consumo.
- QLC (Quad-Level Cell): Armazena 4 bits por célula com várias centenas de ciclos P/E, fornecendo densidade de capacidade máxima para aplicações com requisitos mínimos de gravação.
A capacidade de armazenamento eMMC é determinada pelo número e capacidade dos chips de memória flash NAND, com opções que variam de 4GB e 8GB a 64GB e 128GB para atender a diversos requisitos de dispositivos.
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