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EMMC5.1 64GB 128GB 256GB EMMC de nível industrial 100.000 ciclos P/E 3 milhões de horas MTBF alta confiabilidade 512GB

50 PCS
MOQ
Negociável
preço
EMMC5.1 64GB 128GB 256GB EMMC de nível industrial 100.000 ciclos P/E 3 milhões de horas MTBF alta confiabilidade 512GB
Características Galeria Descrição de produto Peça umas citações
Características
Especificações
Memória: Clarão
PERSONALIZADO: apoiar
Origem: China
Sequencial escreva a velocidade: Até 240 MB/s
Padrão: EMMC 5.1
Capacidade: 64 GB, 128 GB, 256 GB
aparência: 11,5 mm x 13 mm x 1,0 mm/11,5 mm x 13 mm x 1,2 mm
Tipo de Nand Flash: NAND 3D
Fabricante: Marca PG, estrela de chips da China
Temperatura de armazenamento: -20-85°C
Destacar:

eMMC5.1 64GB

,

Embedded emmc 128GB

,

Emmc

Informação básica
Lugar de origem: Shenzhen, China
Marca: PG
Número do modelo: G2864TLCB/G28128TLCB/G28256TLCB/G2564LTCB/G25128LTCB/G25256LTCB
Condições de Pagamento e Envio
Tempo de entrega: 10 a 15 dias
Termos de pagamento: L/C,T/T
Habilidade da fonte: 100 mil por mês.
Descrição de produto
EMMC5.1 64GB 128GB 256GB EMMC de Grau Industrial 100.000 Ciclos P/E 3 Milhões de Horas MTBF Alta Confiabilidade 512GB
Soluções de armazenamento eMMC 5.1 de grau industrial oferecendo confiabilidade excepcional com 100.000 ciclos de programa/apagamento e 3 milhões de horas MTBF em várias opções de capacidade.
Especificações CB EMMC5.1
Modelo G2864GTLCB G28128TLCB G28256TLCB
NAND Flash NAND 3DTLC NAND 3DTLC NAND 3DTLC
Capacidade 64GB 128GB 256GB
CE 1 2 4
Velocidade de Leitura até 330MB/s até 330MB/s até 330MB/s
Velocidade de Gravação até 240MB/s até 240MB/s até 240MB/s
Temperatura de Operação -25°C~85°C -25°C~85°C -25°C~85°C
EP ≥3000 ≥3000 ≥3000
Especificação de Embalagem BGA 153 BGA 153 BGA 153
Tamanho 11.5mm*13mm*1.0mm 11.5mm*13mm*1.0mm 11.5mm*13mm*1.2mm
Portador de Armazenamento: Chip de Memória Flash NAND
A memória flash NAND serve como o componente de armazenamento primário no eMMC, determinando diretamente a capacidade de armazenamento, o desempenho de leitura/gravação e a vida útil operacional. Diferentes tecnologias NAND oferecem níveis variados de desempenho e resistência:
  • SLC (Single-Level Cell): Armazena 1 bit por célula com resistência excepcional (mais de 100.000 ciclos P/E), desempenho de alta velocidade e estabilidade máxima. Ideal para aplicações industriais que exigem confiabilidade superior.
  • MLC (Multi-Level Cell): Armazena 2 bits por célula com 10.000-30.000 ciclos P/E, equilibrando desempenho e custo. Anteriormente usado em dispositivos móveis de gama média a alta.
  • TLC (Triple-Level Cell): Armazena 3 bits por célula com 1.000-3.000 ciclos P/E, oferecendo armazenamento de alta densidade e econômico para eletrônicos de consumo.
  • QLC (Quad-Level Cell): Armazena 4 bits por célula com várias centenas de ciclos P/E, fornecendo densidade de capacidade máxima para aplicações com requisitos mínimos de gravação.
A capacidade de armazenamento eMMC é determinada pelo número e capacidade dos chips de memória flash NAND, com opções que variam de 4GB e 8GB a 64GB e 128GB para atender a diversos requisitos de dispositivos.
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