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EMMC5.1 64GB 128GB 256GB EMMC de nível industrial 100.000 ciclos P/E 3 milhões de horas MTBF alta confiabilidade 512GB

50 PCS
MOQ
Negociável
preço
EMMC5.1 64GB 128GB 256GB EMMC de nível industrial 100.000 ciclos P/E 3 milhões de horas MTBF alta confiabilidade 512GB
Características Galeria Descrição de produto Peça umas citações
Características
Especificações
Memória: Clarão
personalizado: Apoiar
Origem: China
Sequencial escreva a velocidade: Até 240 MB/s
Padrão: EMMC 5.1
Capacidade: 64 GB, 128 GB, 256 GB
Aparência: 11,5 mm x 13 mm x 1,0 mm/11,5 mm x 13 mm x 1,2 mm
Tipo de Nand Flash: NAND 3D
Fabricante: Marca PG, estrela de chips da China
Temperatura de armazenamento: -20-85°C
Destacar:

1 TB PCIe3.0 SSD

,

SSD de 256 GB PCIe3.0

,

NAND Disco interno de estado sólido
Informação básica
Lugar de origem: Shenzhen, China
Marca: PG
Número do modelo: G2864TLCB/G28128TLCB/G28256TLCB/G2564LTCB/G25128LTCB/G25256LTCB
Condições de Pagamento e Envio
Tempo de entrega: 10 a 15 dias
Termos de pagamento: L/C,T/T
Habilidade da fonte: 100 mil por mês.
Descrição de produto
EMMC5.1 64GB 128GB 256GB EMMC de grau industrial 100.000 P/E Ciclos 3 milhões de horas MTBF Alta confiabilidade 512GB
Soluções de armazenamento eMMC 5.1 de nível industrial que oferecem uma confiabilidade excepcional com 100.000 ciclos de programação/apagamento e 3 milhões de horas MTBF em várias opções de capacidade.
CB EMMC5.1 Especificações
Modelo G2864GTLCB G28128TLCB G28256TLCB
NAND Flash 3DTLC NAND 3DTLC NAND 3DTLC NAND
Capacidade 64 GB 128 GB 256 GB
CE 1 2 4
Velocidade de leitura até 330 MB/s até 330 MB/s até 330 MB/s
Velocidade de escrita até 240 MB/s até 240 MB/s até 240 MB/s
Temperatura de funcionamento -25°C a 85°C -25°C a 85°C -25°C a 85°C
PE ≥ 3000 ≥ 3000 ≥ 3000
Especificação da embalagem BGA 153 BGA 153 BGA 153
Tamanho 11.5 mm × 13 mm × 1,0 mm 11.5 mm × 13 mm × 1,0 mm 11.5 mm × 13 mm × 1,2 mm
Portador de armazenamento: chip de memória flash NAND
A memória flash NAND serve como o principal componente de armazenamento em eMMC, determinando diretamente a capacidade de armazenamento, o desempenho de leitura / gravação e a vida útil operacional.Diferentes tecnologias NAND oferecem níveis variados de desempenho e resistência:
  • SLC (célula de nível único): Armazenamento de 1 bit por célula com resistência excepcional (100.000+ ciclos P/E), desempenho de alta velocidade e máxima estabilidade. Ideal para aplicações industriais que exigem uma confiabilidade superior.
  • MLC (célula de vários níveis): Armazena 2 bits por célula com 10.000-30.000 ciclos P/E, equilibrando desempenho e custo.
  • TLC (célula de três níveis): Armazena 3 bits por célula com 1.000-3.000 ciclos P/E, oferecendo armazenamento de alta densidade econômico para eletrônicos de consumo.
  • QLC (célula de quatro níveis): Armazena 4 bits por célula com várias centenas de ciclos P/E, proporcionando a máxima densidade de capacidade para aplicações com requisitos mínimos de gravação.
A capacidade de armazenamento eMMC é determinada pelo número e capacidade dos chips de memória flash NAND, com opções que variam de 4GB e 8GB a 64GB e 128GB para acomodar diversos requisitos do dispositivo.
etiqueta:

Chips de memória IC

Chip de Memória EMMC

Cartão de memória EMMC

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