EMMC5.1 64 جيجابايت 128 جيجابايت 256 جيجابايت EMMC من الدرجة الصناعية 100,000 دورة P/E 3 مليون ساعة MTBF موثوقية عالية 512 جيجابايت
مواصفات المنتج
مكان المنشأ:
شنتشن، الصين
اسم العلامة التجارية:
PG
رقم الموديل:
G2864TLCB/G28128TLCB/G28256TLCB/G2564LTCB/G25128LTCB/G25256LTCB
الحد الأدنى لكمية الطلب:
50PCS
سعر:
قابل للتفاوض
موعد التسليم:
من 10 إلى 15 يومًا
شروط الدفع:
الاعتماد المستندي، تي/تي
القدرة على العرض:
100 الف شهريا
ملخص المنتج
EMMC5.1 64 جيجابايت 128 جيجابايت 256 جيجابايت EMMC الصناعية 100،000 دورة P / E 3 مليون ساعة MTBF موثوقية عالية 512 جيجابايت حلول تخزين eMMC 5.1 الصناعية التي توفر موثوقية استثنائية مع 100000 دورة برنامج / مسح و 3 ملايين ساعة MTBF عبر خيارات قدرة متعددة. CB EMMC5.1 المواصفات النموذج G2864GTLCB ...
تفاصيل المنتج
إبراز:
eMMC5.1 64GB
,مدمجة إم إم سي 128 جيجابايت
,إم إم
Memory:
فلاش
Custom:
يدعم
Origin:
الصين
Sequential Write Speed:
ما يصل إلى 240 ميجابايت/ثانية
Standard:
eMMC 5.1
Capacity:
64 جيجابايت ، 128 جيجابايت ، 256 جيجابايت
Appearance:
11.5 مم × 13 مم × 1.0 مم / 11.5 مم × 13 مم × 1.2 مم
Nand Flash Type:
ناند ثلاثي الأبعاد
Manufacturer:
العلامة التجارية PG، نجمة رقائق الصين
Storage Temperature:
-20-85 ℃
وصف المنتج
EMMC5.1 64 جيجابايت 128 جيجابايت 256 جيجابايت EMMC الصناعية 100،000 دورة P / E 3 مليون ساعة MTBF موثوقية عالية 512 جيجابايت
حلول تخزين eMMC 5.1 الصناعية التي توفر موثوقية استثنائية مع 100000 دورة برنامج / مسح و 3 ملايين ساعة MTBF عبر خيارات قدرة متعددة.
CB EMMC5.1 المواصفات
| النموذج | G2864GTLCB | G28128TLCB | G28256TLCB |
|---|---|---|---|
| فلاش NAND | 3DTLC NAND | 3DTLC NAND | 3DTLC NAND |
| السعة | 64GB | 128 جيجابايت | 256GB |
| المواصفات | 1 | 2 | 4 |
| سرعة القراءة | ما يصل إلى 330MB/s | ما يصل إلى 330MB/s | ما يصل إلى 330MB/s |
| سرعة الكتابة | ما يصل إلى 240MB/s | ما يصل إلى 240MB/s | ما يصل إلى 240MB/s |
| درجة حرارة العمل | -25°C~85°C | -25°C~85°C | -25°C~85°C |
| البرلمان الأوروبي | ≥3000 | ≥3000 | ≥3000 |
| مواصفات التعبئة | BGA 153 | BGA 153 | BGA 153 |
| الحجم | 11.5 ملم*13 ملم*1.0 ملم | 11.5 ملم*13 ملم*1.0 ملم | 11.5 ملم * 13 ملم * 1.2 ملم |
حامل التخزين: رقاقة ذاكرة فلاش NAND
تعمل ذاكرة فلاش NAND كمكون أساسي للتخزين في eMMC ، وتحدد مباشرة سعة التخزين وأداء القراءة / الكتابة ومدة الحياة التشغيلية.تقنيات NAND المختلفة تقدم مستويات مختلفة من الأداء والصمود:
- SLC (خلية مستوى واحد): تخزين 1 بت لكل خلية مع تحمل استثنائي (100،000 + دورات P / E) ، أداء عالية السرعة، وأقصى استقرار. مثالية للتطبيقات الصناعية التي تتطلب موثوقية متفوقة.
- MLC (خلية متعددة المستويات): تخزين 2 بت لكل خلية مع 10,000-30,000 دورة P / E ، وتوازن الأداء والتكلفة. تم استخدامها سابقًا في الأجهزة المحمولة المتوسطة إلى العالية.
- TLC (خلية مستوى ثلاثي): تخزين 3 بت لكل خلية مع 1000-3000 دورة P / E ، مما يوفر تخزينًا عالي الكثافة فعالًا من حيث التكلفة للأجهزة الإلكترونية الاستهلاكية.
- QLC (خلية أربعة مستويات): تخزين 4 بت لكل خلية مع عدة مئات من دورات P / E ، مما يوفر الكثافة القصوى للطلبات مع الحد الأدنى من متطلبات الكتابة.
يتم تحديد سعة تخزين eMMC من خلال عدد وقدرة رقائق ذاكرة فلاش NAND ، مع خيارات تتراوح من 4GB و 8GB إلى 64GB و 128GB لاستيعاب متطلبات الأجهزة المتنوعة.
ربما يعجبك أيضا