logo
×
الجودة EMMC5.1 64 جيجابايت 128 جيجابايت 256 جيجابايت EMMC من الدرجة الصناعية 100,000 دورة P/E 3 مليون ساعة MTBF موثوقية عالية 512 جيجابايت مصنع
الجودة EMMC5.1 64 جيجابايت 128 جيجابايت 256 جيجابايت EMMC من الدرجة الصناعية 100,000 دورة P/E 3 مليون ساعة MTBF موثوقية عالية 512 جيجابايت مصنع
الجودة EMMC5.1 64 جيجابايت 128 جيجابايت 256 جيجابايت EMMC من الدرجة الصناعية 100,000 دورة P/E 3 مليون ساعة MTBF موثوقية عالية 512 جيجابايت مصنع

EMMC5.1 64 جيجابايت 128 جيجابايت 256 جيجابايت EMMC من الدرجة الصناعية 100,000 دورة P/E 3 مليون ساعة MTBF موثوقية عالية 512 جيجابايت

مواصفات المنتج
مكان المنشأ: شنتشن، الصين
اسم العلامة التجارية: PG
رقم الموديل: G2864TLCB/G28128TLCB/G28256TLCB/G2564LTCB/G25128LTCB/G25256LTCB
الحد الأدنى لكمية الطلب: 50PCS
سعر: قابل للتفاوض
موعد التسليم: من 10 إلى 15 يومًا
شروط الدفع: الاعتماد المستندي، تي/تي
القدرة على العرض: 100 الف شهريا

ملخص المنتج

EMMC5.1 64 جيجابايت 128 جيجابايت 256 جيجابايت EMMC الصناعية 100،000 دورة P / E 3 مليون ساعة MTBF موثوقية عالية 512 جيجابايت حلول تخزين eMMC 5.1 الصناعية التي توفر موثوقية استثنائية مع 100000 دورة برنامج / مسح و 3 ملايين ساعة MTBF عبر خيارات قدرة متعددة. CB EMMC5.1 المواصفات النموذج G2864GTLCB ...

تفاصيل المنتج

إبراز:

eMMC5.1 64GB

,

مدمجة إم إم سي 128 جيجابايت

,

إم إم

Memory: فلاش
Custom: يدعم
Origin: الصين
Sequential Write Speed: ما يصل إلى 240 ميجابايت/ثانية
Standard: eMMC 5.1
Capacity: 64 جيجابايت ، 128 جيجابايت ، 256 جيجابايت
Appearance: 11.5 مم × 13 مم × 1.0 مم / 11.5 مم × 13 مم × 1.2 مم
Nand Flash Type: ناند ثلاثي الأبعاد
Manufacturer: العلامة التجارية PG، نجمة رقائق الصين
Storage Temperature: -20-85 ℃

وصف المنتج

EMMC5.1 64 جيجابايت 128 جيجابايت 256 جيجابايت EMMC الصناعية 100،000 دورة P / E 3 مليون ساعة MTBF موثوقية عالية 512 جيجابايت
حلول تخزين eMMC 5.1 الصناعية التي توفر موثوقية استثنائية مع 100000 دورة برنامج / مسح و 3 ملايين ساعة MTBF عبر خيارات قدرة متعددة.
CB EMMC5.1 المواصفات
النموذج G2864GTLCB G28128TLCB G28256TLCB
فلاش NAND 3DTLC NAND 3DTLC NAND 3DTLC NAND
السعة 64GB 128 جيجابايت 256GB
المواصفات 1 2 4
سرعة القراءة ما يصل إلى 330MB/s ما يصل إلى 330MB/s ما يصل إلى 330MB/s
سرعة الكتابة ما يصل إلى 240MB/s ما يصل إلى 240MB/s ما يصل إلى 240MB/s
درجة حرارة العمل -25°C~85°C -25°C~85°C -25°C~85°C
البرلمان الأوروبي ≥3000 ≥3000 ≥3000
مواصفات التعبئة BGA 153 BGA 153 BGA 153
الحجم 11.5 ملم*13 ملم*1.0 ملم 11.5 ملم*13 ملم*1.0 ملم 11.5 ملم * 13 ملم * 1.2 ملم
حامل التخزين: رقاقة ذاكرة فلاش NAND
تعمل ذاكرة فلاش NAND كمكون أساسي للتخزين في eMMC ، وتحدد مباشرة سعة التخزين وأداء القراءة / الكتابة ومدة الحياة التشغيلية.تقنيات NAND المختلفة تقدم مستويات مختلفة من الأداء والصمود:
  • SLC (خلية مستوى واحد): تخزين 1 بت لكل خلية مع تحمل استثنائي (100،000 + دورات P / E) ، أداء عالية السرعة، وأقصى استقرار. مثالية للتطبيقات الصناعية التي تتطلب موثوقية متفوقة.
  • MLC (خلية متعددة المستويات): تخزين 2 بت لكل خلية مع 10,000-30,000 دورة P / E ، وتوازن الأداء والتكلفة. تم استخدامها سابقًا في الأجهزة المحمولة المتوسطة إلى العالية.
  • TLC (خلية مستوى ثلاثي): تخزين 3 بت لكل خلية مع 1000-3000 دورة P / E ، مما يوفر تخزينًا عالي الكثافة فعالًا من حيث التكلفة للأجهزة الإلكترونية الاستهلاكية.
  • QLC (خلية أربعة مستويات): تخزين 4 بت لكل خلية مع عدة مئات من دورات P / E ، مما يوفر الكثافة القصوى للطلبات مع الحد الأدنى من متطلبات الكتابة.
يتم تحديد سعة تخزين eMMC من خلال عدد وقدرة رقائق ذاكرة فلاش NAND ، مع خيارات تتراوح من 4GB و 8GB إلى 64GB و 128GB لاستيعاب متطلبات الأجهزة المتنوعة.
ربما يعجبك أيضا