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EMMC5.1 64 GB 128 GB 256 GB EMMC di livello industriale 100.000 cicli P/E 3 milioni di ore MTBF Alta affidabilità 512 GB

50 PCS
MOQ
Negoziabile
prezzo
EMMC5.1 64 GB 128 GB 256 GB EMMC di livello industriale 100.000 cicli P/E 3 milioni di ore MTBF Alta affidabilità 512 GB
Caratteristiche Galleria Descrizione di prodotto Richieda una citazione
Caratteristiche
Specificazioni
Memoria: Flash
costume: Supporto
Origine: Cina
Sequenziale scriva la velocità: Fino a 240 MB/sec
Standard: eMMC 5.1
Capacità: 64 GB, 128 GB, 256 GB
Aspetto: 11,5 mm x 13 mm x 1,0 mm/11,5 mm x 13 mm x 1,2 mm
Tipo Nand Flash: 3D NAND
Produttore: Marchio PG, China Chips Star
Temperatura di conservazione: -20-85°C
Evidenziare:

1TB di SSD PCIe3.0

,

SSD PCIe3.0 da 256 GB

,

NAND Drive interno a stato solido
Informazioni di base
Luogo di origine: Shenzen, Cina
Marca: PG
Numero di modello: G2864TLCB/G28128TLCB/G28256TLCB/G2564LTCB/G25128LTCB/G25256LTCB
Termini di pagamento e spedizione
Tempi di consegna: 10 - 15 giorni
Termini di pagamento: L/C, T/T
Capacità di alimentazione: 100 mila al mese.
Descrizione di prodotto
EMMC5.1 64 GB 128 GB 256 GB EMMC di livello industriale 100.000 cicli P/E 3 milioni di ore MTBF Alta affidabilità 512 GB
Soluzioni di storage eMMC 5.1 di livello industriale che offrono un'affidabilità eccezionale con 100.000 cicli di programmazione/cancellazione e MTBF di 3 milioni di ore su più opzioni di capacità.
Specifiche CB EMMC5.1
Modello G2864GTLCB G28128TLCB G28256TLCB
NAND Flash NAND 3DTLC NAND 3DTLC NAND 3DTLC
Capacità 64 GB 128 GB 256 GB
CE 1 2 4
Leggi Velocità fino a 330MB/sec fino a 330MB/sec fino a 330MB/sec
Scrivi velocità fino a 240 MB/sec fino a 240 MB/sec fino a 240 MB/sec
Temperatura operativa -25℃~85℃ -25℃~85℃ -25℃~85℃
EP ≥3000 ≥3000 ≥3000
Specifica di imballaggio BGA153 BGA153 BGA153
Misurare 11,5 mm×13 mm×1,0 mm 11,5 mm×13 mm×1,0 mm 11,5 mm×13 mm×1,2 mm
Supporto di archiviazione: chip di memoria flash NAND
La memoria flash NAND funge da componente di archiviazione principale in eMMC, determinando direttamente la capacità di archiviazione, le prestazioni di lettura/scrittura e la durata operativa. Diverse tecnologie NAND offrono diversi livelli di prestazioni e resistenza:
  • SLC (cella a livello singolo): Memorizza 1 bit per cella con resistenza eccezionale (oltre 100.000 cicli P/E), prestazioni ad alta velocità e massima stabilità. Ideale per applicazioni industriali che richiedono affidabilità superiore.
  • MLC (cella multilivello): Memorizza 2 bit per cella con 10.000-30.000 cicli P/E, bilanciando prestazioni e costi. Utilizzato in precedenza nei dispositivi mobili di fascia medio-alta.
  • TLC (cella a triplo livello): Memorizza 3 bit per cella con 1.000-3.000 cicli P/E, offrendo uno storage ad alta densità conveniente per l'elettronica di consumo.
  • QLC (cella a quattro livelli): Memorizza 4 bit per cella con diverse centinaia di cicli P/E, fornendo la massima densità di capacità per applicazioni con requisiti di scrittura minimi.
La capacità di archiviazione eMMC è determinata dal numero e dalla capacità dei chip di memoria flash NAND, con opzioni che vanno da 4 GB e 8 GB a 64 GB e 128 GB per soddisfare i diversi requisiti dei dispositivi.
Prodotto Tag:

Chip di memoria IC

Chip di memoria EMMC

Carta di memoria EMMC

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