EMMC5.1 64 GB 128 GB 256 GB EMMC di livello industriale 100.000 cicli P/E 3 milioni di ore MTBF Alta affidabilità 512 GB
Specifiche del prodotto
Luogo d'origine:
Shenzen, Cina
Marchio:
PG
Numero di modello:
G2864TLCB/G28128TLCB/G28256TLCB/G2564LTCB/G25128LTCB/G25256LTCB
Quantità minima di ordine:
50 PCS
Prezzo:
Negoziabile
Tempi di consegna:
10 - 15 giorni
Termini di pagamento:
L/C, T/T
Capacità di fornitura:
100 mila al mese.
Riepilogo Prodotto
EMMC5.1 64GB 128GB 256GB EMMC di grado industriale Cicli P/E 100.000 MTBF 3 milioni di ore Alta affidabilità 512GB Soluzioni di archiviazione eMMC 5.1 di grado industriale che offrono un'affidabilità eccezionale con 100.000 cicli di programmazione/cancellazione e 3 milioni di ore MTBF in diverse ...
Dettagli del prodotto
Evidenziare:
eMMC5.1 64GB
,eMMC 128 GB integrato
,IC eMMC
Memory:
Flash
Custom:
supporto
Origin:
Cina
Sequential Write Speed:
Fino a 240 MB/sec
Standard:
eMMC 5.1
Capacity:
64 GB, 128 GB, 256 GB
Appearance:
11,5 mm x 13 mm x 1,0 mm/11,5 mm x 13 mm x 1,2 mm
Nand Flash Type:
3D NAND
Manufacturer:
Marchio PG, China Chips Star
Storage Temperature:
-20-85°C
Descrizione del prodotto
EMMC5.1 64GB 128GB 256GB EMMC di grado industriale Cicli P/E 100.000 MTBF 3 milioni di ore Alta affidabilità 512GB
Soluzioni di archiviazione eMMC 5.1 di grado industriale che offrono un'affidabilità eccezionale con 100.000 cicli di programmazione/cancellazione e 3 milioni di ore MTBF in diverse opzioni di capacità.
Specifiche CB EMMC5.1
| Modello | G2864GTLCB | G28128TLCB | G28256TLCB |
|---|---|---|---|
| NAND Flash | NAND 3DTLC | NAND 3DTLC | NAND 3DTLC |
| Capacità | 64GB | 128GB | 256GB |
| CE | 1 | 2 | 4 |
| Velocità di lettura | fino a 330 MB/s | fino a 330 MB/s | fino a 330 MB/s |
| Velocità di scrittura | fino a 240 MB/s | fino a 240 MB/s | fino a 240 MB/s |
| Temperatura operativa | -25℃~85℃ | -25℃~85℃ | -25℃~85℃ |
| EP | ≥3000 | ≥3000 | ≥3000 |
| Specifiche di imballaggio | BGA 153 | BGA 153 | BGA 153 |
| Dimensioni | 11,5 mm*13 mm*1,0 mm | 11,5 mm*13 mm*1,0 mm | 11,5 mm*13 mm*1,2 mm |
Supporto di archiviazione: Chip di memoria flash NAND
La memoria flash NAND funge da componente di archiviazione primario nell'eMMC, determinando direttamente la capacità di archiviazione, le prestazioni di lettura/scrittura e la durata operativa. Diverse tecnologie NAND offrono vari livelli di prestazioni e resistenza:
- SLC (Single-Level Cell): Archivia 1 bit per cella con un'eccezionale resistenza (oltre 100.000 cicli P/E), prestazioni ad alta velocità e massima stabilità. Ideale per applicazioni industriali che richiedono una superiore affidabilità.
- MLC (Multi-Level Cell): Archivia 2 bit per cella con 10.000-30.000 cicli P/E, bilanciando prestazioni e costi. Precedentemente utilizzato in dispositivi mobili di fascia medio-alta.
- TLC (Triple-Level Cell): Archivia 3 bit per cella con 1.000-3.000 cicli P/E, offrendo un'archiviazione ad alta densità conveniente per l'elettronica di consumo.
- QLC (Quad-Level Cell): Archivia 4 bit per cella con diverse centinaia di cicli P/E, fornendo la massima densità di capacità per applicazioni con requisiti di scrittura minimi.
La capacità di archiviazione eMMC è determinata dal numero e dalla capacità dei chip di memoria flash NAND, con opzioni che vanno da 4 GB e 8 GB a 64 GB e 128 GB per soddisfare diverse esigenze dei dispositivi.
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