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EMMC5.1 64 GB 128 GB 256 GB EMMC di livello industriale 100.000 cicli P/E 3 milioni di ore MTBF Alta affidabilità 512 GB

50 PCS
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Negoziabile
prezzo
EMMC5.1 64 GB 128 GB 256 GB EMMC di livello industriale 100.000 cicli P/E 3 milioni di ore MTBF Alta affidabilità 512 GB
Caratteristiche Galleria Descrizione di prodotto Valutazioni e recensioni Richieda una citazione
Caratteristiche
Specificazioni
Memoria: Flash
COSTUME: supporto
Origine: Cina
Sequenziale scriva la velocità: Fino a 240 MB/sec
Standard: eMMC 5.1
Capacità: 64 GB, 128 GB, 256 GB
aspetto: 11,5 mm x 13 mm x 1,0 mm/11,5 mm x 13 mm x 1,2 mm
Tipo Nand Flash: 3D NAND
Produttore: Marchio PG, China Chips Star
Temperatura di conservazione: -20-85°C
Evidenziare:

eMMC5.1 64GB

,

eMMC 128 GB integrato

,

IC eMMC
Informazioni di base
Luogo di origine: Shenzen, Cina
Marca: PG
Numero di modello: G2864TLCB/G28128TLCB/G28256TLCB/G2564LTCB/G25128LTCB/G25256LTCB
Termini di pagamento e spedizione
Tempi di consegna: 10 - 15 giorni
Termini di pagamento: L/C, T/T
Capacità di alimentazione: 100 mila al mese.
Descrizione di prodotto
EMMC5.1 64GB 128GB 256GB EMMC di grado industriale Cicli P/E 100.000 MTBF 3 milioni di ore Alta affidabilità 512GB
Soluzioni di archiviazione eMMC 5.1 di grado industriale che offrono un'affidabilità eccezionale con 100.000 cicli di programmazione/cancellazione e 3 milioni di ore MTBF in diverse opzioni di capacità.
Specifiche CB EMMC5.1
Modello G2864GTLCB G28128TLCB G28256TLCB
NAND Flash NAND 3DTLC NAND 3DTLC NAND 3DTLC
Capacità 64GB 128GB 256GB
CE 1 2 4
Velocità di lettura fino a 330 MB/s fino a 330 MB/s fino a 330 MB/s
Velocità di scrittura fino a 240 MB/s fino a 240 MB/s fino a 240 MB/s
Temperatura operativa -25℃~85℃ -25℃~85℃ -25℃~85℃
EP ≥3000 ≥3000 ≥3000
Specifiche di imballaggio BGA 153 BGA 153 BGA 153
Dimensioni 11,5 mm*13 mm*1,0 mm 11,5 mm*13 mm*1,0 mm 11,5 mm*13 mm*1,2 mm
Supporto di archiviazione: Chip di memoria flash NAND
La memoria flash NAND funge da componente di archiviazione primario nell'eMMC, determinando direttamente la capacità di archiviazione, le prestazioni di lettura/scrittura e la durata operativa. Diverse tecnologie NAND offrono vari livelli di prestazioni e resistenza:
  • SLC (Single-Level Cell): Archivia 1 bit per cella con un'eccezionale resistenza (oltre 100.000 cicli P/E), prestazioni ad alta velocità e massima stabilità. Ideale per applicazioni industriali che richiedono una superiore affidabilità.
  • MLC (Multi-Level Cell): Archivia 2 bit per cella con 10.000-30.000 cicli P/E, bilanciando prestazioni e costi. Precedentemente utilizzato in dispositivi mobili di fascia medio-alta.
  • TLC (Triple-Level Cell): Archivia 3 bit per cella con 1.000-3.000 cicli P/E, offrendo un'archiviazione ad alta densità conveniente per l'elettronica di consumo.
  • QLC (Quad-Level Cell): Archivia 4 bit per cella con diverse centinaia di cicli P/E, fornendo la massima densità di capacità per applicazioni con requisiti di scrittura minimi.
La capacità di archiviazione eMMC è determinata dal numero e dalla capacità dei chip di memoria flash NAND, con opzioni che vanno da 4 GB e 8 GB a 64 GB e 128 GB per soddisfare diverse esigenze dei dispositivi.
Valutazioni e recensioni

Valutazione complessiva

5.0
Basato su 50 recensioni per questo fornitore

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Di seguito è riportata la distribuzione di tutte le valutazioni
5 stelle
100%
4 stelle
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3 stelle
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2 stelle
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1 stelle
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Tutte le recensioni

J
Julien
France Dec 16.2025
È utile. (66)
The products I order from this company are always excellent quality and work great.
R
R*n
Russian Federation Sep 3.2025
È utile. (169)
It's a very good product, the seller is very attentive and prompt, very satisfied.
E
Eyob
Netherlands Jun 12.2025
È utile. (93)
I have well test my memory cards received, (64 gb 128 gb) their quality is perfect.
Prodotto Tag:

Chip di memoria IC

Chip di memoria EMMC

Carta di memoria EMMC

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