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EMMC5.1 64GB 128GB 256GB 산업용 등급 EMMC 100,000 P/E 주기 300만 시간 MTBF 높은 신뢰성 512GB

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EMMC5.1 64GB 128GB 256GB 산업용 등급 EMMC 100,000 P/E 주기 300만 시간 MTBF 높은 신뢰성 512GB
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풍모
제품 사양
메모리: 플래시
관습: 지원하다
기원: 중국
순차 기입 속도: 최대 240MB/초
기준: 에m크 5.1
용량: 64GB, 128GB, 256GB
모습: 11.5mmx13mmx1.0mm/11.5mmx13mmx1.2mm
낸드 플래시 유형: 3D 낸드
제조업체: PG 브랜드, 차이나 칩스 스타
보관 온도: -20-85C
강조하다:

1TB PCIe3.0 SSD

,

256GB PCIe3.0 SSD

,

NAND 내부 솔리드 스테이트 드라이브
기본 정보
원래 장소: 중국 선전
브랜드 이름: PG
모델 번호: G2864TLCB/G28128TLCB/G28256TLCB/G2564LTCB/G25128LTCB/G25256LTCB
결제 및 배송 조건
배달 시간: 10 내지 15 일
지불 조건: 신용장, 티/티
공급 능력: 한 달에 100K
제품 설명
EMMC5.1 64GB 128GB 256GB 산업용 EMMC 100,000 P/E 사이클 300만 시간 MTBF 높은 신뢰성 512GB
산업용 eMMC 5.1 스토리지 솔루션으로 100000개의 프로그램/삭제 사이클과 3백만 시간 MTBF를 통해 다양한 용량 옵션에 탁월한 신뢰성을 제공합니다.
CB EMMC5.1 사양
모델 G2864GTLCB G28128TLCB G28256TLCB
NAND 플래시 3DTLC NAND 3DTLC NAND 3DTLC NAND
용량 64GB 128GB 256GB
CE 1 2 4
읽기 속도 최대 330MB/s 최대 330MB/s 최대 330MB/s
기록 속도 최대 240MB/s 최대 240MB/s 최대 240MB/s
작동 온도 -25°C~85°C -25°C~85°C -25°C~85°C
EP ≥3000 ≥3000 ≥3000
포장 사양 BGA 153 BGA 153 BGA 153
크기 11.5mm × 13mm × 1.0mm 11.5mm × 13mm × 1.0mm 11.5mm × 13mm × 1.2mm
저장 장치: NAND 플래시 메모리 칩
NAND 플래시 메모리는 eMMC의 주요 스토리지 구성 요소로 기능하며, 스토리지 용량, 읽기/쓰기 성능 및 운영 수명을 직접적으로 결정합니다.다른 NAND 기술들은 성능과 내구성의 다양한 수준을 제공합니다.:
  • SLC (단위 세포): 특출한 내구성 (100,000+ P/E 사이클), 고속 성능 및 최대 안정성으로 셀 당 1 비트 저장. 우수한 신뢰성을 요구하는 산업용 애플리케이션에 이상적입니다.
  • MLC (다단계 셀): 1 셀당 2비트를 저장하고, 성능과 비용을 균형을 맞추고, 10,000-30,000 P/E 사이클을 사용합니다. 이전에는 중고급 모바일 장치에서 사용되었습니다.
  • TLC (Triple-Level Cell): 1,000-3,000 P/E 사이클로 셀당 3비트를 저장하여 소비자 전자제품에 대한 비용 효율적인 고밀도 스토리지를 제공합니다.
  • QLC (쿼드 레벨 셀): 셀당 4비트를 저장하고 수백 개의 P/E 사이클을 사용하며, 최소 쓰기 요구사항을 가진 애플리케이션에 최대 용량 밀도를 제공합니다.
eMMC 저장 용량은 NAND 플래시 메모리 칩의 수와 용량에 따라 결정되며, 다양한 장치 요구 사항을 수용하기 위해 4GB 및 8GB에서 64GB 및 128GB까지의 옵션이 있습니다.
태그:

메모리 IC 칩

EMMC 메모리 칩

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