logo
×
Kualitas EMMC5.1 64GB 128GB 256GB EMMC Kelas Industri 100,000 Siklus P/E 3 Juta Jam MTBF Keandalan Tinggi 512GB pabrik
Kualitas EMMC5.1 64GB 128GB 256GB EMMC Kelas Industri 100,000 Siklus P/E 3 Juta Jam MTBF Keandalan Tinggi 512GB pabrik
Kualitas EMMC5.1 64GB 128GB 256GB EMMC Kelas Industri 100,000 Siklus P/E 3 Juta Jam MTBF Keandalan Tinggi 512GB pabrik

EMMC5.1 64GB 128GB 256GB EMMC Kelas Industri 100,000 Siklus P/E 3 Juta Jam MTBF Keandalan Tinggi 512GB

Spesifikasi Produk
Tempat Asal: Shenzhen, Tiongkok
Nama Merek: PG
Nomor Model: G2864TLCB/G28128TLCB/G28256TLCB/G2564LTCB/G25128LTCB/G25256LTCB
Jumlah Pesanan Minimum: 50 pcs
Harga: Dapat dinegosiasikan
Waktu Pengiriman: 10 sampai 15 hari
Ketentuan Pembayaran: L/C,T/T
Kemampuan Pasokan: 100K sebulan

Ringkasan Produk

EMMC5.1 64GB 128GB 256GB EMMC Kelas Industri Siklus P/E 100.000 Jam MTBF 3 Juta Keandalan Tinggi 512GB Solusi penyimpanan eMMC 5.1 kelas industri yang menawarkan keandalan luar biasa dengan siklus program/hapus 100.000 dan MTBF 3 juta jam di berbagai pilihan kapasitas. Spesifikasi CB EMMC5.1 Model ...

Detail Produk

Menyoroti:

eMMC5.1 64GB

,

eMMC 128GB tertanam

,

IC eMMC

Memory: Kilatan
Custom: Mendukung
Origin: Cina
Sequential Write Speed: Hingga 240 MB/dtk
Standard: eMMC 5.1
Capacity: 64GB, 128GB, 256GB
Appearance: 11.5mmx13mmx1.0mm/11.5mmx13mmx1.2mm
Nand Flash Type: NAND 3D
Manufacturer: Merek PG, Bintang Keripik Cina
Storage Temperature: -20-85 ℃

Deskripsi Produk

EMMC5.1 64GB 128GB 256GB EMMC Kelas Industri Siklus P/E 100.000 Jam MTBF 3 Juta Keandalan Tinggi 512GB
Solusi penyimpanan eMMC 5.1 kelas industri yang menawarkan keandalan luar biasa dengan siklus program/hapus 100.000 dan MTBF 3 juta jam di berbagai pilihan kapasitas.
Spesifikasi CB EMMC5.1
Model G2864GTLCB G28128TLCB G28256TLCB
NAND Flash NAND 3DTLC NAND 3DTLC NAND 3DTLC
Kapasitas 64GB 128GB 256GB
CE 1 2 4
Kecepatan Baca hingga 330MB/dtk hingga 330MB/dtk hingga 330MB/dtk
Kecepatan Tulis hingga 240MB/dtk hingga 240MB/dtk hingga 240MB/dtk
Suhu Operasi -25℃~85℃ -25℃~85℃ -25℃~85℃
EP ≥3000 ≥3000 ≥3000
Spesifikasi Kemasan BGA 153 BGA 153 BGA 153
Ukuran 11.5mm*13mm*1.0mm 11.5mm*13mm*1.0mm 11.5mm*13mm*1.2mm
Pembawa Penyimpanan: Chip Memori NAND Flash
Memori flash NAND berfungsi sebagai komponen penyimpanan utama dalam eMMC, secara langsung menentukan kapasitas penyimpanan, kinerja baca/tulis, dan masa pakai operasional. Teknologi NAND yang berbeda menawarkan tingkat kinerja dan daya tahan yang bervariasi:
  • SLC (Single-Level Cell): Menyimpan 1 bit per sel dengan daya tahan luar biasa (siklus P/E 100.000+), kinerja kecepatan tinggi, dan stabilitas maksimum. Ideal untuk aplikasi industri yang membutuhkan keandalan superior.
  • MLC (Multi-Level Cell): Menyimpan 2 bit per sel dengan siklus P/E 10.000-30.000, menyeimbangkan kinerja dan biaya. Sebelumnya digunakan pada perangkat seluler kelas menengah hingga atas.
  • TLC (Triple-Level Cell): Menyimpan 3 bit per sel dengan siklus P/E 1.000-3.000, menawarkan penyimpanan berdensitas tinggi yang hemat biaya untuk elektronik konsumen.
  • QLC (Quad-Level Cell): Menyimpan 4 bit per sel dengan beberapa ratus siklus P/E, memberikan kepadatan kapasitas maksimum untuk aplikasi dengan persyaratan tulis minimal.
Kapasitas penyimpanan eMMC ditentukan oleh jumlah dan kapasitas chip memori flash NAND, dengan pilihan mulai dari 4GB dan 8GB hingga 64GB dan 128GB untuk mengakomodasi berbagai kebutuhan perangkat.
Anda Mungkin Juga Menyukai