logo

EMMC5.1 64GB 128GB 256GB EMMC Kelas Industri 100,000 Siklus P/E 3 Juta Jam MTBF Keandalan Tinggi 512GB

50 pcs
MOQ
Dapat dinegosiasikan
harga
EMMC5.1 64GB 128GB 256GB EMMC Kelas Industri 100,000 Siklus P/E 3 Juta Jam MTBF Keandalan Tinggi 512GB
fitur Galeri Deskripsi Produk Quote request suatu
fitur
Spesifikasi
Ingatan: Kilatan
Kebiasaan: Mendukung
Asal: Cina
Kecepatan Tulis Berurutan: Hingga 240 MB/dtk
Standar: eMMC 5.1
Kapasitas: 64GB, 128GB, 256GB
Penampilan: 11.5mmx13mmx1.0mm/11.5mmx13mmx1.2mm
Tipe Flash Nand: NAND 3D
Pabrikan: Merek PG, Bintang Keripik Cina
Suhu Penyimpanan: -20-85 ℃
Menyoroti:

1TB PCIe3.0 SSD

,

256GB PCIe3.0 SSD

,

NAND internal solid state drive

Informasi dasar
Tempat asal: Shenzhen, Tiongkok
Nama merek: PG
Nomor model: G2864TLCB/G28128TLCB/G28256TLCB/G2564LTCB/G25128LTCB/G25256LTCB
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman
Waktu pengiriman: 10 sampai 15 hari
Syarat-syarat pembayaran: L/C,T/T
Menyediakan kemampuan: 100K sebulan
Deskripsi Produk
EMMC5.1 64GB 128GB 256GB Industri-Grade EMMC 100.000 P/E Siklus 3 Juta Jam MTBF Keandalan Tinggi 512GB
Solusi penyimpanan eMMC 5.1 kelas industri yang menawarkan keandalan yang luar biasa dengan 100.000 siklus program / penghapusan dan 3 juta jam MTBF di berbagai pilihan kapasitas.
CB EMMC5.1 Spesifikasi
Model G2864GTLCB G28128TLCB G28256TLCB
NAND Flash 3DTLC NAND 3DTLC NAND 3DTLC NAND
Kapasitas 64GB 128GB 256GB
CE 1 2 4
Kecepatan Bacaan hingga 330MB/s hingga 330MB/s hingga 330MB/s
Menulis Kecepatan hingga 240MB/s hingga 240MB/s hingga 240MB/s
Suhu operasi -25°C~85°C -25°C~85°C -25°C~85°C
EP ≥ 3000 ≥ 3000 ≥ 3000
Spesifikasi kemasan BGA 153 BGA 153 BGA 153
Ukuran 11.5mm × 13mm × 1,0mm 11.5mm × 13mm × 1,0mm 11.5mm × 13mm × 1,2mm
Pembawa penyimpanan: NAND Flash Memory Chip
Memori flash NAND berfungsi sebagai komponen penyimpanan utama di eMMC, secara langsung menentukan kapasitas penyimpanan, kinerja baca / tulis, dan umur operasional.Teknologi NAND yang berbeda menawarkan tingkat kinerja dan daya tahan yang berbeda:
  • SLC (Single-Level Cell): Menyimpan 1 bit per sel dengan daya tahan yang luar biasa (100.000 + siklus P / E), kinerja kecepatan tinggi, dan stabilitas maksimum.
  • MLC (Multi-Level Cell): Menyimpan 2 bit per sel dengan 10.000-30.000 siklus P/E, menyeimbangkan kinerja dan biaya.
  • TLC (Triple-Level Cell): Menyimpan 3 bit per sel dengan 1.000-3.000 siklus P/E, menawarkan penyimpanan kepadatan tinggi yang hemat biaya untuk elektronik konsumen.
  • QLC (Quad-Level Cell): Menyimpan 4 bit per sel dengan beberapa ratus siklus P / E, memberikan kepadatan kapasitas maksimum untuk aplikasi dengan persyaratan penulisan minimal.
Kapasitas penyimpanan eMMC ditentukan oleh jumlah dan kapasitas chip memori flash NAND, dengan opsi mulai dari 4GB dan 8GB hingga 64GB dan 128GB untuk mengakomodasi beragam kebutuhan perangkat.
Rekomendasi Produk
Hubungi kami
Kontak Person : Ms. Sunny Wu
Tel : +8615712055204
Karakter yang tersisa(20/3000)