logo

EMMC5.1 64 GB 128 GB 256 GB Κύκλοι βιομηχανικής ποιότητας EMMC 100.000 P/E 3 εκατομμύρια ώρες MTBF Υψηλή αξιοπιστία 512 GB

50PCS
MOQ
Διαπραγματεύσιμα
τιμή
EMMC5.1 64 GB 128 GB 256 GB Κύκλοι βιομηχανικής ποιότητας EMMC 100.000 P/E 3 εκατομμύρια ώρες MTBF Υψηλή αξιοπιστία 512 GB
Χαρακτηριστικά Εκθεσιακός χώρος Περιγραφή προϊόντων Ζητήστε ένα απόσπασμα
Χαρακτηριστικά
Προδιαγραφές
Μνήμη: Λάμψη
έθιμο: Υποστήριξη
Προέλευση: Κίνα
Διαδοχικός γράψτε την ταχύτητα: Έως 240 MB/s
Πρότυπο: ΕΜΜΚ 5.1
Ικανότητα: 64GB, 128GB, 256GB
Εμφάνιση: 11,5mmx13mmx1,0mm/11,5mmx13mmx1,2mm
Τύπος Nand Flash: 3D NAND
Κατασκευαστής: Μάρκα PG, China Chips Star
Θερμοκρασία αποθήκευσης: -20-85°C
Επισημαίνω:

1TB PCIe3.0 SSD

,

256GB PCIe3.0 SSD

,

Εσωτερική μονάδα στερεών στοιχείων NAND

Βασικές πληροφορίες
Τόπος καταγωγής: Shenzhen, Κίνα
Μάρκα: PG
Αριθμό μοντέλου: G2864TLCB/G28128TLCB/G28256TLCB/G2564LTCB/G25128LTCB/G25256LTCB
Πληρωμής & Αποστολής Όροι
Χρόνος παράδοσης: 10 έως 15 ημέρες
Όροι πληρωμής: L/C,T/T
Δυνατότητα προσφοράς: 100 χιλιάρικα το μήνα.
Περιγραφή προϊόντων
EMMC5.1 64GB 128GB 256GB Βιομηχανικής Κλάσης EMMC 100.000 Κύκλοι P/E 3 Εκατομμύρια Ώρες MTBF Υψηλή Αξιοπιστία 512GB
Λύσεις αποθήκευσης eMMC 5.1 βιομηχανικής κλάσης που προσφέρουν εξαιρετική αξιοπιστία με 100.000 κύκλους προγραμματισμού/διαγραφής και 3 εκατομμύρια ώρες MTBF σε πολλαπλές επιλογές χωρητικότητας.
Προδιαγραφές CB EMMC5.1
Μοντέλο G2864GTLCB G28128TLCB G28256TLCB
NAND Flash 3DTLC NAND 3DTLC NAND 3DTLC NAND
Χωρητικότητα 64GB 128GB 256GB
CE 1 2 4
Ταχύτητα Ανάγνωσης έως 330MB/s έως 330MB/s έως 330MB/s
Ταχύτητα Εγγραφής έως 240MB/s έως 240MB/s έως 240MB/s
Θερμοκρασία Λειτουργίας -25℃~85℃ -25℃~85℃ -25℃~85℃
EP ≥3000 ≥3000 ≥3000
Προδιαγραφή Συσκευασίας BGA 153 BGA 153 BGA 153
Μέγεθος 11.5mm×13mm×1.0mm 11.5mm×13mm×1.0mm 11.5mm×13mm×1.2mm
Φορέας Αποθήκευσης: Τσιπ Μνήμης NAND Flash
Η μνήμη flash NAND χρησιμεύει ως το κύριο στοιχείο αποθήκευσης στο eMMC, καθορίζοντας άμεσα τη χωρητικότητα αποθήκευσης, την απόδοση ανάγνωσης/εγγραφής και τη διάρκεια ζωής. Διαφορετικές τεχνολογίες NAND προσφέρουν διαφορετικά επίπεδα απόδοσης και αντοχής:
  • SLC (Single-Level Cell): Αποθηκεύει 1 bit ανά κελί με εξαιρετική αντοχή (100.000+ κύκλοι P/E), υψηλή ταχύτητα απόδοσης και μέγιστη σταθερότητα. Ιδανικό για βιομηχανικές εφαρμογές που απαιτούν ανώτερη αξιοπιστία.
  • MLC (Multi-Level Cell): Αποθηκεύει 2 bits ανά κελί με 10.000-30.000 κύκλους P/E, εξισορροπώντας την απόδοση και το κόστος. Χρησιμοποιήθηκε προηγουμένως σε κινητές συσκευές μεσαίας έως υψηλής κατηγορίας.
  • TLC (Triple-Level Cell): Αποθηκεύει 3 bits ανά κελί με 1.000-3.000 κύκλους P/E, προσφέροντας οικονομικά αποδοτική αποθήκευση υψηλής πυκνότητας για ηλεκτρονικά είδη ευρείας κατανάλωσης.
  • QLC (Quad-Level Cell): Αποθηκεύει 4 bits ανά κελί με αρκετές εκατοντάδες κύκλους P/E, παρέχοντας μέγιστη πυκνότητα χωρητικότητας για εφαρμογές με ελάχιστες απαιτήσεις εγγραφής.
Η χωρητικότητα αποθήκευσης eMMC καθορίζεται από τον αριθμό και τη χωρητικότητα των τσιπ μνήμης flash NAND, με επιλογές που κυμαίνονται από 4GB και 8GB έως 64GB και 128GB για την κάλυψη διαφορετικών απαιτήσεων συσκευών.
Συνιστώμενα προϊόντα
Ελάτε σε επαφή μαζί μας
Υπεύθυνος Επικοινωνίας : Ms. Sunny Wu
Τηλ.: : +8615712055204
Χαρακτήρες Λοιπά(20/3000)