logo
×
คุณภาพ EMMC5.1 64GB 128GB 256GB EMMC เกรดอุตสาหกรรม 100,000 P/E รอบ 3 ล้านชั่วโมง MTBF ความน่าเชื่อถือสูง 512GB โรงงาน
คุณภาพ EMMC5.1 64GB 128GB 256GB EMMC เกรดอุตสาหกรรม 100,000 P/E รอบ 3 ล้านชั่วโมง MTBF ความน่าเชื่อถือสูง 512GB โรงงาน
คุณภาพ EMMC5.1 64GB 128GB 256GB EMMC เกรดอุตสาหกรรม 100,000 P/E รอบ 3 ล้านชั่วโมง MTBF ความน่าเชื่อถือสูง 512GB โรงงาน

EMMC5.1 64GB 128GB 256GB EMMC เกรดอุตสาหกรรม 100,000 P/E รอบ 3 ล้านชั่วโมง MTBF ความน่าเชื่อถือสูง 512GB

ข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์
สถานที่ผลิต: เซินเจิ้นประเทศจีน
ชื่อแบรนด์: PG
หมายเลขรุ่น: G2864TLCB/G28128TLCB/G28256TLCB/G2564LTCB/G25128LTCB/G25256LTCB
ปริมาณการสั่งซื้อขั้นต่ำ: 50 ชิ้น
ราคา: สามารถต่อรองได้
เวลาการส่งมอบ: 10 ถึง 15 วัน
เงื่อนไขการชำระเงิน: แอล/C,ที/ที
ความสามารถในการจัดหา: 100,000 ต่อเดือน

สรุปผลิตภัณฑ์

EMMC5.1 64GB 128GB 256GB เกรดอุตสาหกรรม EMMC 100,000 P/E Cycles 3 ล้านชั่วโมง MTBF ความน่าเชื่อถือสูง 512GB โซลูชันการจัดเก็บข้อมูล eMMC 5.1 เกรดอุตสาหกรรมที่มอบความน่าเชื่อถือเป็นพิเศษด้วยรอบการเขียน/ลบ 100,000 ครั้ง และ MTBF 3 ล้านชั่วโมงในตัวเลือกความจุที่หลากหลาย ข้อมูลจำเพาะ CB EMMC5.1 รุ่น ...

รายละเอียดสินค้า

เน้น:

eMMC5.1 64GB

,

เอ็มเอ็มซีที่ติดตั้ง 128GB

,

emc

Memory: แฟลช
Custom: สนับสนุน
Origin: จีน
Sequential Write Speed: สูงสุด 240 เมกะไบต์/วินาที
Standard: อีเอ็มเอ็มซี 5.1
Capacity: 64GB, 128GB, 256GB
Appearance: 11.5 มม.x 13 มม.x 1.0 มม./11.5 มม.x 13 มม.x 1.2 มม.
Nand Flash Type: 3D NAND
Manufacturer: แบรนด์ PG, China Chips Star
Storage Temperature: -20-85 ℃

คําอธิบายสินค้า

EMMC5.1 64GB 128GB 256GB เกรดอุตสาหกรรม EMMC 100,000 P/E Cycles 3 ล้านชั่วโมง MTBF ความน่าเชื่อถือสูง 512GB
โซลูชันการจัดเก็บข้อมูล eMMC 5.1 เกรดอุตสาหกรรมที่มอบความน่าเชื่อถือเป็นพิเศษด้วยรอบการเขียน/ลบ 100,000 ครั้ง และ MTBF 3 ล้านชั่วโมงในตัวเลือกความจุที่หลากหลาย
ข้อมูลจำเพาะ CB EMMC5.1
รุ่น G2864GTLCB G28128TLCB G28256TLCB
NAND Flash 3DTLC NAND 3DTLC NAND 3DTLC NAND
ความจุ 64GB 128GB 256GB
CE 1 2 4
ความเร็วในการอ่าน สูงสุด 330MB/s สูงสุด 330MB/s สูงสุด 330MB/s
ความเร็วในการเขียน สูงสุด 240MB/s สูงสุด 240MB/s สูงสุด 240MB/s
อุณหภูมิการทำงาน -25°C~85°C -25°C~85°C -25°C~85°C
EP ≥3000 ≥3000 ≥3000
ข้อมูลจำเพาะบรรจุภัณฑ์ BGA 153 BGA 153 BGA 153
ขนาด 11.5มม.*13มม.*1.0มม. 11.5มม.*13มม.*1.0มม. 11.5มม.*13มม.*1.2มม.
ตัวเก็บข้อมูล: ชิปหน่วยความจำแฟลช NAND
หน่วยความจำแฟลช NAND ทำหน้าที่เป็นส่วนประกอบหลักในการจัดเก็บข้อมูลใน eMMC ซึ่งกำหนดความจุในการจัดเก็บ ประสิทธิภาพการอ่าน/เขียน และอายุการใช้งานโดยตรง เทคโนโลยี NAND ที่แตกต่างกันมีระดับประสิทธิภาพและความทนทานที่แตกต่างกัน:
  • SLC (Single-Level Cell): เก็บข้อมูล 1 บิตต่อเซลล์ด้วยความทนทานเป็นพิเศษ (รอบ P/E 100,000+), ประสิทธิภาพความเร็วสูง และความเสถียรสูงสุด เหมาะสำหรับแอปพลิเคชันอุตสาหกรรมที่ต้องการความน่าเชื่อถือที่เหนือกว่า
  • MLC (Multi-Level Cell): เก็บข้อมูล 2 บิตต่อเซลล์ด้วยรอบ P/E 10,000-30,000 ครั้ง สร้างสมดุลระหว่างประสิทธิภาพและต้นทุน เคยใช้ในอุปกรณ์พกพาระดับกลางถึงระดับสูง
  • TLC (Triple-Level Cell): เก็บข้อมูล 3 บิตต่อเซลล์ด้วยรอบ P/E 1,000-3,000 ครั้ง นำเสนอการจัดเก็บข้อมูลความหนาแน่นสูงที่คุ้มค่าสำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สำหรับผู้บริโภค
  • QLC (Quad-Level Cell): เก็บข้อมูล 4 บิตต่อเซลล์ด้วยรอบ P/E หลายร้อยครั้ง นำเสนอความหนาแน่นของความจุสูงสุดสำหรับแอปพลิเคชันที่มีข้อกำหนดการเขียนน้อยที่สุด
ความจุของที่เก็บข้อมูล eMMC กำหนดโดยจำนวนและขนาดของชิปหน่วยความจำแฟลช NAND โดยมีตัวเลือกตั้งแต่ 4GB และ 8GB ไปจนถึง 64GB และ 128GB เพื่อรองรับความต้องการของอุปกรณ์ที่หลากหลาย
คุณอาจชอบ