EMMC5.1 64GB 128GB 256GB EMMC เกรดอุตสาหกรรม 100,000 P/E รอบ 3 ล้านชั่วโมง MTBF ความน่าเชื่อถือสูง 512GB
ข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์
สถานที่ผลิต:
เซินเจิ้นประเทศจีน
ชื่อแบรนด์:
PG
หมายเลขรุ่น:
G2864TLCB/G28128TLCB/G28256TLCB/G2564LTCB/G25128LTCB/G25256LTCB
ปริมาณการสั่งซื้อขั้นต่ำ:
50 ชิ้น
ราคา:
สามารถต่อรองได้
เวลาการส่งมอบ:
10 ถึง 15 วัน
เงื่อนไขการชำระเงิน:
แอล/C,ที/ที
ความสามารถในการจัดหา:
100,000 ต่อเดือน
สรุปผลิตภัณฑ์
EMMC5.1 64GB 128GB 256GB เกรดอุตสาหกรรม EMMC 100,000 P/E Cycles 3 ล้านชั่วโมง MTBF ความน่าเชื่อถือสูง 512GB โซลูชันการจัดเก็บข้อมูล eMMC 5.1 เกรดอุตสาหกรรมที่มอบความน่าเชื่อถือเป็นพิเศษด้วยรอบการเขียน/ลบ 100,000 ครั้ง และ MTBF 3 ล้านชั่วโมงในตัวเลือกความจุที่หลากหลาย ข้อมูลจำเพาะ CB EMMC5.1 รุ่น ...
รายละเอียดสินค้า
เน้น:
eMMC5.1 64GB
,เอ็มเอ็มซีที่ติดตั้ง 128GB
,emc
Memory:
แฟลช
Custom:
สนับสนุน
Origin:
จีน
Sequential Write Speed:
สูงสุด 240 เมกะไบต์/วินาที
Standard:
อีเอ็มเอ็มซี 5.1
Capacity:
64GB, 128GB, 256GB
Appearance:
11.5 มม.x 13 มม.x 1.0 มม./11.5 มม.x 13 มม.x 1.2 มม.
Nand Flash Type:
3D NAND
Manufacturer:
แบรนด์ PG, China Chips Star
Storage Temperature:
-20-85 ℃
คําอธิบายสินค้า
EMMC5.1 64GB 128GB 256GB เกรดอุตสาหกรรม EMMC 100,000 P/E Cycles 3 ล้านชั่วโมง MTBF ความน่าเชื่อถือสูง 512GB
โซลูชันการจัดเก็บข้อมูล eMMC 5.1 เกรดอุตสาหกรรมที่มอบความน่าเชื่อถือเป็นพิเศษด้วยรอบการเขียน/ลบ 100,000 ครั้ง และ MTBF 3 ล้านชั่วโมงในตัวเลือกความจุที่หลากหลาย
ข้อมูลจำเพาะ CB EMMC5.1
| รุ่น | G2864GTLCB | G28128TLCB | G28256TLCB |
|---|---|---|---|
| NAND Flash | 3DTLC NAND | 3DTLC NAND | 3DTLC NAND |
| ความจุ | 64GB | 128GB | 256GB |
| CE | 1 | 2 | 4 |
| ความเร็วในการอ่าน | สูงสุด 330MB/s | สูงสุด 330MB/s | สูงสุด 330MB/s |
| ความเร็วในการเขียน | สูงสุด 240MB/s | สูงสุด 240MB/s | สูงสุด 240MB/s |
| อุณหภูมิการทำงาน | -25°C~85°C | -25°C~85°C | -25°C~85°C |
| EP | ≥3000 | ≥3000 | ≥3000 |
| ข้อมูลจำเพาะบรรจุภัณฑ์ | BGA 153 | BGA 153 | BGA 153 |
| ขนาด | 11.5มม.*13มม.*1.0มม. | 11.5มม.*13มม.*1.0มม. | 11.5มม.*13มม.*1.2มม. |
ตัวเก็บข้อมูล: ชิปหน่วยความจำแฟลช NAND
หน่วยความจำแฟลช NAND ทำหน้าที่เป็นส่วนประกอบหลักในการจัดเก็บข้อมูลใน eMMC ซึ่งกำหนดความจุในการจัดเก็บ ประสิทธิภาพการอ่าน/เขียน และอายุการใช้งานโดยตรง เทคโนโลยี NAND ที่แตกต่างกันมีระดับประสิทธิภาพและความทนทานที่แตกต่างกัน:
- SLC (Single-Level Cell): เก็บข้อมูล 1 บิตต่อเซลล์ด้วยความทนทานเป็นพิเศษ (รอบ P/E 100,000+), ประสิทธิภาพความเร็วสูง และความเสถียรสูงสุด เหมาะสำหรับแอปพลิเคชันอุตสาหกรรมที่ต้องการความน่าเชื่อถือที่เหนือกว่า
- MLC (Multi-Level Cell): เก็บข้อมูล 2 บิตต่อเซลล์ด้วยรอบ P/E 10,000-30,000 ครั้ง สร้างสมดุลระหว่างประสิทธิภาพและต้นทุน เคยใช้ในอุปกรณ์พกพาระดับกลางถึงระดับสูง
- TLC (Triple-Level Cell): เก็บข้อมูล 3 บิตต่อเซลล์ด้วยรอบ P/E 1,000-3,000 ครั้ง นำเสนอการจัดเก็บข้อมูลความหนาแน่นสูงที่คุ้มค่าสำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สำหรับผู้บริโภค
- QLC (Quad-Level Cell): เก็บข้อมูล 4 บิตต่อเซลล์ด้วยรอบ P/E หลายร้อยครั้ง นำเสนอความหนาแน่นของความจุสูงสุดสำหรับแอปพลิเคชันที่มีข้อกำหนดการเขียนน้อยที่สุด
ความจุของที่เก็บข้อมูล eMMC กำหนดโดยจำนวนและขนาดของชิปหน่วยความจำแฟลช NAND โดยมีตัวเลือกตั้งแต่ 4GB และ 8GB ไปจนถึง 64GB และ 128GB เพื่อรองรับความต้องการของอุปกรณ์ที่หลากหลาย
คุณอาจชอบ