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品質 EMMC5.1 64GB 128GB 256GB 工業グレード EMMC 100,000 P/E サイクル 300 万時間 MTBF 高信頼性 512GB 工場
品質 EMMC5.1 64GB 128GB 256GB 工業グレード EMMC 100,000 P/E サイクル 300 万時間 MTBF 高信頼性 512GB 工場
品質 EMMC5.1 64GB 128GB 256GB 工業グレード EMMC 100,000 P/E サイクル 300 万時間 MTBF 高信頼性 512GB 工場

EMMC5.1 64GB 128GB 256GB 工業グレード EMMC 100,000 P/E サイクル 300 万時間 MTBF 高信頼性 512GB

製品仕様
原産地: 深セン、中国
ブランド名: PG
モデル番号: G2864TLCB/G28128TLCB/G28256TLCB/G2564LTCB/G25128LTCB/G25256LTCB
最低注文数量: 50PCS
価格: 交渉可能
納期: 10から15日
支払い条件: LC、T/T
補給能力: 月額100万

製品概要

EMMC5.1 64GB 128GB 256GB 産業用EMMC 100,000 P/E サイクル 300万時間 MTBF 高信頼性 512GB 産業用レベルのeMC 5.1ストレージソリューションで,1万回のプログラム/消去サイクルと300万時間のMTBFを複数の容量オプションで提供し,卓越した信頼性があります. CB EMMC5.1 仕様 モデル G2864GTLCB G28128TLCB G28256TLCB NANDフラッシュ 3DTLC NAND 3DTLC NAND 3DTLC NAND 容量 64GB 128GB 256GB CE 1 2 4 読み速さ 最大 330MB/s 最大 ...

製品詳細

ハイライト:

eMMC5.1 64GB

,

組み込みeMMC 128GB

,

eMMC IC

Memory: フラッシュ
Custom: サポート
Origin: 中国
Sequential Write Speed: 最大240MB/秒
Standard: エム・MC・51
Capacity: 64GB、128GB、256GB
Appearance: 11.5mm×13mm×1.0mm/11.5mm×13mm×1.2mm
Nand Flash Type: 3D NAND
Manufacturer: PGブランド、チャイナチップススター
Storage Temperature: -20°Cから85°C

製品説明

EMMC5.1 64GB 128GB 256GB 産業用EMMC 100,000 P/E サイクル 300万時間 MTBF 高信頼性 512GB
産業用レベルのeMC 5.1ストレージソリューションで,1万回のプログラム/消去サイクルと300万時間のMTBFを複数の容量オプションで提供し,卓越した信頼性があります.
CB EMMC5.1 仕様
モデル G2864GTLCB G28128TLCB G28256TLCB
NANDフラッシュ 3DTLC NAND 3DTLC NAND 3DTLC NAND
容量 64GB 128GB 256GB
CE 1 2 4
読み速さ 最大 330MB/s 最大 330MB/s 最大 330MB/s
書き込み速度 240MB/sまで 240MB/sまで 240MB/sまで
動作温度 -25°C~85°C -25°C~85°C -25°C~85°C
EP ≥3000 ≥3000 ≥3000
パッケージの仕様 BGA 153 BGA 153 BGA 153
サイズ 11.5mm*13mm*1.0mm 11.5mm*13mm*1.0mm 11.5mm*13mm*1.2mm
記憶容器: NAND フラッシュメモリチップ
NANDフラッシュメモリは,EMMCの主要なストレージコンポーネントとして機能し,ストレージ容量,読み書き性能,運用寿命を直接決定する.異なるNAND技術により,性能と耐久性が異なる:
  • SLC (単一レベルセル): 特殊な耐久性 (100,000+ P/E サイクル),高速性能,最大限の安定性で,セルあたり 1 ビットを格納します.優れた信頼性を要求する産業用アプリケーションに最適です.
  • MLC (マルチレベルセル): 1 セルあたり 2 ビットを 10,000-30,000 P/E サイクルで保存し,パフォーマンスとコストをバランスする.以前は中高端モバイルデバイスで使用されていた.
  • TLC (トリプルレベルセル): 1,000-3,000 P/E サイクルのセルごとに 3 ビットを格納し,消費電子機器の高密度ストレージを費用対効果で提供します.
  • QLC (四レベル細胞): 数百回のP/Eサイクルでセルあたり4ビットを格納し,最小書き込み要件を持つアプリケーションに最大容量密度を提供します.
eMMCストレージ容量は,NANDフラッシュメモリチップの数と容量によって決定され,さまざまなデバイス要件に対応するために4GBと8GBから64GBと128GBまでのオプションがあります.
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