Name: EMMC5.1 64GB 128GB 256GB 工業グレード EMMC 100,000 P/E サイクル 300 万時間 MTBF 高信頼性 512GB
Brand: China Chips Star Semiconductor Co., Ltd.
SKU: G2864TLCB/G28128TLCB/G28256TLCB/G2564LTCB/G25128LTCB/G25256LTCB
Availability: InStock

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特徴

仕様

メモリ: フラッシュ

カスタム: サポート

起源: 中国

順次速度を書きなさい: 最大240MB/秒

標準: エム・MC・51

容量: 64GB、128GB、256GB

外観: 11.5mm×13mm×1.0mm/11.5mm×13mm×1.2mm

Nand フラッシュタイプ: 3D NAND

メーカー: PGブランド、チャイナチップススター

保管温度: -20°Cから85°C

ハイライト:

1TB PCIe3.0 SSD

256GB PCIe3.0 SSD

NAND 内部固体ドライブ

基本情報

起源の場所: 深セン、中国

ブランド名: PG

モデル番号: G2864TLCB/G28128TLCB/G28256TLCB/G2564LTCB/G25128LTCB/G25256LTCB

お支払配送条件

受渡し時間: 10から15日

支払条件: LC、T/T

供給の能力: 月額100万

ギャラリー

EMMC5.1 64GB 128GB 256GB 工業グレード EMMC 100,000 P/E サイクル 300 万時間 MTBF 高信頼性 512GB

製品の説明

EMMC5.1 64GB 128GB 256GB 産業用EMMC 100,000 P/E サイクル 300万時間 MTBF 高信頼性 512GB

産業用レベルのeMC 5.1ストレージソリューションで,1万回のプログラム/消去サイクルと300万時間のMTBFを複数の容量オプションで提供し,卓越した信頼性があります.

CB EMMC5.1 仕様

モデル	G2864GTLCB	G28128TLCB	G28256TLCB
NANDフラッシュ	3DTLC NAND	3DTLC NAND	3DTLC NAND
容量	64GB	128GB	256GB
CE	1	2	4
読み速さ	最大 330MB/s	最大 330MB/s	最大 330MB/s
書き込み速度	240MB/sまで	240MB/sまで	240MB/sまで
動作温度	-25°C~85°C	-25°C~85°C	-25°C~85°C
EP	≥3000	≥3000	≥3000
パッケージの仕様	BGA 153	BGA 153	BGA 153
サイズ	11.5mm×13mm×1.0mm	11.5mm×13mm×1.0mm	11.5mm×13mm×1.2mm

記憶容器: NAND フラッシュメモリチップ

NANDフラッシュメモリは,EMMCの主要なストレージコンポーネントとして機能し,ストレージ容量,読み書き性能,運用寿命を直接決定する.異なるNAND技術により,性能と耐久性が異なる:

SLC (単一レベルセル): 特殊な耐久性 (100,000+ P/E サイクル),高速性能,最大限の安定性で,セルあたり 1 ビットを格納します.優れた信頼性を要求する産業用アプリケーションに最適です.
MLC (マルチレベルセル): 1 セルあたり 2 ビットを 10,000-30,000 P/E サイクルで保存し,パフォーマンスとコストをバランスする.以前は中高端モバイルデバイスで使用されていた.
TLC (トリプルレベルセル): 1,000-3,000 P/E サイクルのセルごとに 3 ビットを格納し,消費電子機器の高密度ストレージを費用対効果で提供します.
QLC (四レベル細胞): 数百回のP/Eサイクルでセルあたり4ビットを格納し,最小書き込み要件を持つアプリケーションに最大容量密度を提供します.

eMMCストレージ容量は,NANDフラッシュメモリチップの数と容量によって決定され,さまざまなデバイス要件に対応するために4GBと8GBから64GBと128GBまでのオプションがあります.

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コンタクトパーソン :	Ms. Sunny Wu
電話番号 :	+8615712055204

EMMC5.1 64GB 128GB 256GB 工業グレード EMMC 100,000 P/E サイクル 300 万時間 MTBF 高信頼性 512GB

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