Name: EMMC5.1 64 Go 128 Go 256 Go EMMC de qualité industrielle 100 000 cycles P/E 3 millions d'heures MTBF Haute fiabilité 512 Go
Brand: China Chips Star Semiconductor Co., Ltd.
SKU: G2864TLCB/G28128TLCB/G28256TLCB/G2564LTCB/G25128LTCB/G25256LTCB
Availability: InStock

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Caractéristiques

Mémoire: Éclair

coutume: Soutien

Origine: Chine

Séquentiel écrivez la vitesse: Jusqu'à 240 Mo/s

Standard: EMMC 5. Je vous en prie.1

Capacité: 64 Go, 128 Go, 256 Go

Apparence: 11,5 mm x 13 mm x 1,0 mm/11,5 mm x 13 mm x 1,2 mm

Type de flash Nand: NAND 3D

Fabricant: Marque PG, China Chips Star

Température de stockage: -20 à 85 °C

Mettre en évidence:

Un disque dur de 1 TB PCIe3.0

Un disque dur de 256 Go

Disque d'état solide interne

Informations de base

Lieu d'origine: 5X

Nom de marque: PG

Numéro de modèle: G2864TLCB/G28128TLCB/G28256TLCB/G2564LTCB/G25128LTCB/G25256LTCB

Conditions de paiement et expédition

Délai de livraison: 10 à 15 jours

Conditions de paiement: LC, T/T

Capacité d'approvisionnement: 100 000 par mois.

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EMMC5.1 64 Go 128 Go 256 Go EMMC de qualité industrielle 100 000 cycles P/E 3 millions d'heures MTBF Haute fiabilité 512 Go

Description de produit

EMMC5.1 64 Go 128 Go 256 Go EMMC de qualité industrielle 100 000 P/E Cycles 3 millions d'heures MTBF Haute fiabilité 512 Go

Des solutions de stockage eMMC 5.1 de qualité industrielle offrant une fiabilité exceptionnelle avec 100 000 cycles de programme/effacement et 3 millions d'heures de MTBF sur plusieurs options de capacité.

CB EMMC5.1 Spécifications

Modèle	G2864GTLCB	G28128TLCB	G28256TLCB
Flash NAND	NAND 3DTLC	NAND 3DTLC	NAND 3DTLC
Capacité	64 Go	128 Go	256 Go
Pour la CE	1	2	4
Vitesse de lecture	jusqu'à 330 MB/s	jusqu'à 330 MB/s	jusqu'à 330 MB/s
Vitesse d'écriture	jusqu'à 240 MB/s	jusqu'à 240 MB/s	jusqu'à 240 MB/s
Température de fonctionnement	-25°C à 85°C	-25°C à 85°C	-25°C à 85°C
Le Parlement européen	≥ 3000	≥ 3000	≥ 3000
Spécification de l'emballage	BGA 153	BGA 153	BGA 153
Taille	11.5 mm × 13 mm × 1,0 mm	11.5 mm × 13 mm × 1,0 mm	11.5 mm × 13 mm × 1,2 mm

Porteur de stockage: puce de mémoire flash NAND

La mémoire flash NAND sert de composant de stockage principal dans eMMC, déterminant directement la capacité de stockage, les performances de lecture/écriture et la durée de vie opérationnelle.Différentes technologies NAND offrent différents niveaux de performance et d'endurance:

SLC (cellule à niveau unique): Stocke 1 bit par cellule avec une endurance exceptionnelle (100 000 cycles P/E), des performances à grande vitesse et une stabilité maximale. Idéal pour les applications industrielles nécessitant une fiabilité supérieure.
MLC (cellule à plusieurs niveaux): Stocke 2 bits par cellule avec 10 000 à 30 000 cycles P/E, équilibrant performance et coût.
TLC (cellule à trois niveaux): Stocke 3 bits par cellule avec 1 000 à 3 000 cycles P/E, offrant un stockage à haute densité rentable pour les appareils électroniques grand public.
Le nombre total de cellules de QLC (cellules à quatre niveaux): Stocke 4 bits par cellule avec plusieurs centaines de cycles P/E, fournissant une densité de capacité maximale pour les applications nécessitant une écriture minimale.

La capacité de stockage eMMC est déterminée par le nombre et la capacité des puces de mémoire flash NAND, avec des options allant de 4 Go et 8 Go à 64 Go et 128 Go pour répondre aux diverses exigences des appareils.

Produit Tag:

Personne à contacter :	Ms. Sunny Wu
Téléphone :	+8615712055204

EMMC5.1 64 Go 128 Go 256 Go EMMC de qualité industrielle 100 000 cycles P/E 3 millions d'heures MTBF Haute fiabilité 512 Go

Un disque dur de 1 TB PCIe3.0

Un disque dur de 256 Go

Disque d'état solide interne

Puces de mémoire

Puce mémoire MEM

Carte de mémoire EMMC

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