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EMMC5.1 64 Go 128 Go 256 Go EMMC de qualité industrielle 100 000 cycles P/E 3 millions d'heures MTBF Haute fiabilité 512 Go

50 pièces
MOQ
Négociable
Prix
EMMC5.1 64 Go 128 Go 256 Go EMMC de qualité industrielle 100 000 cycles P/E 3 millions d'heures MTBF Haute fiabilité 512 Go
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traits
Caractéristiques
Mémoire: Éclair
COUTUME: soutien
Origine: Chine
Séquentiel écrivez la vitesse: Jusqu'à 240 Mo/s
Standard: EMMC 5. Je vous en prie.1
Capacité: 64 Go, 128 Go, 256 Go
apparence: 11,5 mm x 13 mm x 1,0 mm/11,5 mm x 13 mm x 1,2 mm
Type de flash Nand: NAND 3D
Fabricant: Marque PG, China Chips Star
Température de stockage: -20 à 85 °C
Mettre en évidence:

eMMC5.1 64 Go

,

Embedded emmc de 128 Go

,

émc
Informations de base
Lieu d'origine: 5X
Nom de marque: PG
Numéro de modèle: G2864TLCB/G28128TLCB/G28256TLCB/G2564LTCB/G25128LTCB/G25256LTCB
Conditions de paiement et expédition
Délai de livraison: 10 à 15 jours
Conditions de paiement: LC, T/T
Capacité d'approvisionnement: 100 000 par mois.
Description de produit
EMMC5.1 64 Go 128 Go 256 Go EMMC de qualité industrielle 100 000 cycles P/E 3 millions d'heures MTBF Haute fiabilité 512 Go
Solutions de stockage eMMC 5.1 de qualité industrielle offrant une fiabilité exceptionnelle avec 100 000 cycles de programmation/effacement et 3 millions d'heures MTBF sur plusieurs options de capacité.
Spécifications CB EMMC5.1
Modèle G2864GTLCB G28128TLCB G28256TLCB
NAND Flash NAND 3DTLC NAND 3DTLC NAND 3DTLC
Capacité 64 Go 128 Go 256 Go
CE 1 2 4
Vitesse de lecture jusqu'à 330 Mo/s jusqu'à 330 Mo/s jusqu'à 330 Mo/s
Vitesse d'écriture jusqu'à 240 Mo/s jusqu'à 240 Mo/s jusqu'à 240 Mo/s
Température de fonctionnement -25℃~85℃ -25℃~85℃ -25℃~85℃
EP ≥3000 ≥3000 ≥3000
Spécification d'emballage BGA 153 BGA 153 BGA 153
Taille 11,5 mm*13 mm*1,0 mm 11,5 mm*13 mm*1,0 mm 11,5 mm*13 mm*1,2 mm
Support de stockage : Puce de mémoire flash NAND
La mémoire flash NAND sert de composant de stockage principal dans l'eMMC, déterminant directement la capacité de stockage, les performances de lecture/écriture et la durée de vie opérationnelle. Différentes technologies NAND offrent des niveaux de performance et d'endurance variables :
  • SLC (Single-Level Cell): Stocke 1 bit par cellule avec une endurance exceptionnelle (plus de 100 000 cycles P/E), des performances à haute vitesse et une stabilité maximale. Idéal pour les applications industrielles nécessitant une fiabilité supérieure.
  • MLC (Multi-Level Cell): Stocke 2 bits par cellule avec 10 000 à 30 000 cycles P/E, équilibrant performance et coût. Auparavant utilisé dans les appareils mobiles milieu et haut de gamme.
  • TLC (Triple-Level Cell): Stocke 3 bits par cellule avec 1 000 à 3 000 cycles P/E, offrant un stockage haute densité rentable pour l'électronique grand public.
  • QLC (Quad-Level Cell): Stocke 4 bits par cellule avec plusieurs centaines de cycles P/E, offrant une densité de capacité maximale pour les applications avec des exigences d'écriture minimales.
La capacité de stockage eMMC est déterminée par le nombre et la capacité des puces de mémoire flash NAND, avec des options allant de 4 Go et 8 Go à 64 Go et 128 Go pour répondre aux divers besoins des appareils.
Évaluations et avis

Notation globale

5.0
Basé sur 50 avis pour ce fournisseur

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Voici la répartition de toutes les évaluations.
5 étoiles
100%
4 étoiles
0%
3 étoiles
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2 étoiles
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1 étoiles
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Toutes les critiques

J
Julien
France Dec 16.2025
Il est utile. (66)
The products I order from this company are always excellent quality and work great.
R
R*n
Russian Federation Sep 3.2025
Il est utile. (169)
It's a very good product, the seller is very attentive and prompt, very satisfied.
E
Eyob
Netherlands Jun 12.2025
Il est utile. (93)
I have well test my memory cards received, (64 gb 128 gb) their quality is perfect.
Produit Tag:

Puces de mémoire

Puce mémoire MEM

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