EMMC5.1 64 Go 128 Go 256 Go EMMC de qualité industrielle 100 000 cycles P/E 3 millions d'heures MTBF Haute fiabilité 512 Go
Spécification du produit
Lieu d'origine:
5X
Nom de la marque:
PG
Numéro de modèle:
G2864TLCB/G28128TLCB/G28256TLCB/G2564LTCB/G25128LTCB/G25256LTCB
Quantité minimum de commande:
50 pièces
Prix:
Négociable
Délai de livraison:
10 à 15 jours
Conditions de paiement:
LC, T/T
Capacité d'approvisionnement:
100 000 par mois.
Résumé du produit
EMMC5.1 64 Go 128 Go 256 Go EMMC de qualité industrielle 100 000 cycles P/E 3 millions d'heures MTBF Haute fiabilité 512 Go Solutions de stockage eMMC 5.1 de qualité industrielle offrant une fiabilité exceptionnelle avec 100 000 cycles de programmation/effacement et 3 millions d'heures MTBF sur ...
Détails du produit
Mettre en évidence:
eMMC5.1 64 Go
,Embedded emmc de 128 Go
,émc
Memory:
Éclair
Custom:
soutien
Origin:
Chine
Sequential Write Speed:
Jusqu'à 240 Mo/s
Standard:
EMMC 5. Je vous en prie.1
Capacity:
64 Go, 128 Go, 256 Go
Appearance:
11,5 mm x 13 mm x 1,0 mm/11,5 mm x 13 mm x 1,2 mm
Nand Flash Type:
NAND 3D
Manufacturer:
Marque PG, China Chips Star
Storage Temperature:
-20 à 85 °C
Description du produit
EMMC5.1 64 Go 128 Go 256 Go EMMC de qualité industrielle 100 000 cycles P/E 3 millions d'heures MTBF Haute fiabilité 512 Go
Solutions de stockage eMMC 5.1 de qualité industrielle offrant une fiabilité exceptionnelle avec 100 000 cycles de programmation/effacement et 3 millions d'heures MTBF sur plusieurs options de capacité.
Spécifications CB EMMC5.1
| Modèle | G2864GTLCB | G28128TLCB | G28256TLCB |
|---|---|---|---|
| NAND Flash | NAND 3DTLC | NAND 3DTLC | NAND 3DTLC |
| Capacité | 64 Go | 128 Go | 256 Go |
| CE | 1 | 2 | 4 |
| Vitesse de lecture | jusqu'à 330 Mo/s | jusqu'à 330 Mo/s | jusqu'à 330 Mo/s |
| Vitesse d'écriture | jusqu'à 240 Mo/s | jusqu'à 240 Mo/s | jusqu'à 240 Mo/s |
| Température de fonctionnement | -25℃~85℃ | -25℃~85℃ | -25℃~85℃ |
| EP | ≥3000 | ≥3000 | ≥3000 |
| Spécification d'emballage | BGA 153 | BGA 153 | BGA 153 |
| Taille | 11,5 mm*13 mm*1,0 mm | 11,5 mm*13 mm*1,0 mm | 11,5 mm*13 mm*1,2 mm |
Support de stockage : Puce de mémoire flash NAND
La mémoire flash NAND sert de composant de stockage principal dans l'eMMC, déterminant directement la capacité de stockage, les performances de lecture/écriture et la durée de vie opérationnelle. Différentes technologies NAND offrent des niveaux de performance et d'endurance variables :
- SLC (Single-Level Cell): Stocke 1 bit par cellule avec une endurance exceptionnelle (plus de 100 000 cycles P/E), des performances à haute vitesse et une stabilité maximale. Idéal pour les applications industrielles nécessitant une fiabilité supérieure.
- MLC (Multi-Level Cell): Stocke 2 bits par cellule avec 10 000 à 30 000 cycles P/E, équilibrant performance et coût. Auparavant utilisé dans les appareils mobiles milieu et haut de gamme.
- TLC (Triple-Level Cell): Stocke 3 bits par cellule avec 1 000 à 3 000 cycles P/E, offrant un stockage haute densité rentable pour l'électronique grand public.
- QLC (Quad-Level Cell): Stocke 4 bits par cellule avec plusieurs centaines de cycles P/E, offrant une densité de capacité maximale pour les applications avec des exigences d'écriture minimales.
La capacité de stockage eMMC est déterminée par le nombre et la capacité des puces de mémoire flash NAND, avec des options allant de 4 Go et 8 Go à 64 Go et 128 Go pour répondre aux divers besoins des appareils.
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