EMMC5.1 64 GB 128 GB 256 GB EMMC in Industriequalität 100.000 P/E-Zyklen 3 Millionen Stunden MTBF Hohe Zuverlässigkeit 512 GB
Produktspezifikation
Herkunftsort:
Shenzhen, China
Markenname:
PG
Modellnummer:
G2864TLCB/G28128TLCB/G28256TLCB/G2564LTCB/G25128LTCB/G25256LTCB
Mindestbestellmenge:
50 Stück
Preis:
Verhandlungsfähig
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L/C, T/T
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Produktübersicht
EMMC5.1 64GB 128GB 256GB Industriequalität EMMC 100.000 P/E-Zyklen 3 Millionen Stunden MTBF Hohe Zuverlässigkeit 512GB Industriequalität eMMC 5.1 Speicherlösungen, die außergewöhnliche Zuverlässigkeit mit 100.000 Programmier-/Löschzyklen und 3 Millionen Stunden MTBF über verschiedene Kapazit...
Produktdetails
Hervorheben:
eMMC5.1 64 GB
,Eingebettetes eMMC 128 GB
,eMMC IC
Memory:
Blitz
Custom:
Unterstützung
Origin:
China
Sequential Write Speed:
Bis zu 240 MB/s
Standard:
EMMC 5.1
Capacity:
64 GB, 128 GB, 256 GB
Appearance:
11,5 mm x 13 mm x 1,0 mm/11,5 mm x 13 mm x 1,2 mm
Nand Flash Type:
3D-NAND
Manufacturer:
PG-Marke, China Chips Star
Storage Temperature:
-20°C bis 85°C
Beschreibung des Produkts
EMMC5.1 64GB 128GB 256GB Industriequalität EMMC 100.000 P/E-Zyklen 3 Millionen Stunden MTBF Hohe Zuverlässigkeit 512GB
Industriequalität eMMC 5.1 Speicherlösungen, die außergewöhnliche Zuverlässigkeit mit 100.000 Programmier-/Löschzyklen und 3 Millionen Stunden MTBF über verschiedene Kapazitätsoptionen hinweg bieten.
CB EMMC5.1 Spezifikationen
| Modell | G2864GTLCB | G28128TLCB | G28256TLCB |
|---|---|---|---|
| NAND-Flash | 3DTLC NAND | 3DTLC NAND | 3DTLC NAND |
| Kapazität | 64GB | 128GB | 256GB |
| CE | 1 | 2 | 4 |
| Lesegeschwindigkeit | bis zu 330MB/s | bis zu 330MB/s | bis zu 330MB/s |
| Schreibgeschwindigkeit | bis zu 240MB/s | bis zu 240MB/s | bis zu 240MB/s |
| Betriebstemperatur | -25°C~85°C | -25°C~85°C | -25°C~85°C |
| EP | ≥3000 | ≥3000 | ≥3000 |
| Verpackungsspezifikation | BGA 153 | BGA 153 | BGA 153 |
| Größe | 11,5mm*13mm*1,0mm | 11,5mm*13mm*1,0mm | 11,5mm*13mm*1,2mm |
Speicherträger: NAND-Flash-Speicherchip
NAND-Flash-Speicher dient als primäre Speicherkomponente in eMMC und bestimmt direkt die Speicherkapazität, die Lese-/Schreibleistung und die Betriebslaufzeit. Verschiedene NAND-Technologien bieten unterschiedliche Leistungs- und Ausdauerstufen:
- SLC (Single-Level Cell): Speichert 1 Bit pro Zelle mit außergewöhnlicher Ausdauer (100.000+ P/E-Zyklen), Hochgeschwindigkeitsleistung und maximaler Stabilität. Ideal für industrielle Anwendungen, die überlegene Zuverlässigkeit erfordern.
- MLC (Multi-Level Cell): Speichert 2 Bits pro Zelle mit 10.000-30.000 P/E-Zyklen und bietet ein Gleichgewicht zwischen Leistung und Kosten. Wurde zuvor in Mittel- bis High-End-Mobilgeräten verwendet.
- TLC (Triple-Level Cell): Speichert 3 Bits pro Zelle mit 1.000-3.000 P/E-Zyklen und bietet kostengünstigen Hochdichtespeicher für Unterhaltungselektronik.
- QLC (Quad-Level Cell): Speichert 4 Bits pro Zelle mit mehreren hundert P/E-Zyklen und bietet maximale Kapazitätsdichte für Anwendungen mit minimalen Schreibanforderungen.
Die eMMC-Speicherkapazität wird durch die Anzahl und Kapazität der NAND-Flash-Speicherchips bestimmt, wobei Optionen von 4 GB und 8 GB bis hin zu 64 GB und 128 GB reichen, um unterschiedliche Geräteanforderungen zu erfüllen.
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