logo
Startseite /Produkte/EMMC5.1/EMMC5.1 64 GB 128 GB 256 GB EMMC in Industriequalität 100.000 P/E-Zyklen 3 Millionen Stunden MTBF Hohe Zuverlässigkeit 512 GB

EMMC5.1 64 GB 128 GB 256 GB EMMC in Industriequalität 100.000 P/E-Zyklen 3 Millionen Stunden MTBF Hohe Zuverlässigkeit 512 GB

50 Stück
MOQ
Verhandlungsfähig
Preis
EMMC5.1 64 GB 128 GB 256 GB EMMC in Industriequalität 100.000 P/E-Zyklen 3 Millionen Stunden MTBF Hohe Zuverlässigkeit 512 GB
Eigenschaften Galerie Produkt-Beschreibung Fordern Sie ein Zitat
Eigenschaften
Technische Daten
Erinnerung: Blitz
Brauch: Unterstützung
Herkunft: China
Aufeinander folgend schreiben Sie Geschwindigkeit: Bis zu 240 MB/s
Standard: EMMC 5.1
Kapazität: 64 GB, 128 GB, 256 GB
Aussehen: 11,5 mm x 13 mm x 1,0 mm/11,5 mm x 13 mm x 1,2 mm
Typ von Nand-Blitz: 3D-NAND
Hersteller: PG-Marke, China Chips Star
Lagertemperatur: -20°C bis 85°C
Hervorheben:

1 TB PCIe3.0 SSD

,

256 GB PCIe3.0 SSD

,

Internes Festkörperlaufwerk NAND
Grundinformation
Herkunftsort: Shenzhen, China
Markenname: PG
Modellnummer: G2864TLCB/G28128TLCB/G28256TLCB/G2564LTCB/G25128LTCB/G25256LTCB
Zahlung und Versand AGB
Lieferzeit: 10 bis 15 Tage
Zahlungsbedingungen: L/C, T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 100.000 im Monat.
Produkt-Beschreibung
EMMC5.1 64GB 128GB 256GB Industrie-Einheit EMMC 100.000 P/E-Zyklen 3 Millionen Stunden MTBF Hohe Zuverlässigkeit 512GB
Industrielle eMMC 5.1-Speicherlösungen bieten eine außergewöhnliche Zuverlässigkeit mit 100.000 Programm-/ Löschzyklen und 3 Millionen Stunden MTBF über mehrere Kapazitätsoptionen.
CB EMMC5.1 Spezifikationen
Modell G2864GTLCB G28128TLCB G28256TLCB
NAND-Flash 3DTLC-NAND 3DTLC-NAND 3DTLC-NAND
Kapazität 64 GB 128 GB 256 GB
CE-Nummern 1 2 4
Lesegeschwindigkeit bis zu 330 MB/s bis zu 330 MB/s bis zu 330 MB/s
Schreibgeschwindigkeit bis zu 240 MB/s bis zu 240 MB/s bis zu 240 MB/s
Betriebstemperatur -25°C bis 85°C -25°C bis 85°C -25°C bis 85°C
Europäische Union ≥ 3000 ≥ 3000 ≥ 3000
Verpackungsspezifikation BGA 153 BGA 153 BGA 153
Größe 11.5 mm × 13 mm × 1,0 mm 11.5 mm × 13 mm × 1,0 mm 11.5 mm × 13 mm × 1,2 mm
Speicherträger: NAND-Flash-Speicherchip
NAND-Flashspeicher dient als primäre Speicherkomponente in eMMC und bestimmt direkt Speicherkapazität, Lesen/Schreiben-Leistung und Betriebsdauer.Verschiedene NAND-Technologien bieten unterschiedliche Leistungs- und Langlebigkeitsniveaus:
  • SLC (Single-Level-Cell): Speichert 1 Bit pro Zelle mit außergewöhnlicher Langlebigkeit (100.000+ P/E-Zyklen), hoher Geschwindigkeit und höchster Stabilität.
  • MLC (Mehrstufenzelle): Speichert 2 Bits pro Zelle mit 10.000-30.000 P/E-Zyklen, die Leistung und Kosten ausgleichen.
  • TLC (Triple-Level-Cell): Speichert 3 Bits pro Zelle mit 1.000 bis 3.000 P/E-Zyklen und bietet kostengünstigen Speicher mit hoher Dichte für Unterhaltungselektronik.
  • QLC (Quad-Level-Zelle): Speichert 4 Bits pro Zelle mit mehreren hundert P/E-Zyklen und bietet eine maximale Kapazitätsdichte für Anwendungen mit minimalen Schreibanforderungen.
Die eMMC-Speicherkapazität wird durch die Anzahl und Kapazität der NAND-Flash-Speicherchips bestimmt, wobei die Optionen von 4 GB und 8 GB bis 64 GB und 128 GB reichen, um unterschiedliche Geräteanforderungen zu erfüllen.
Größe und Tag:

Speicher-IC-Chips

EMMC-Speicherchip

EMMC-Speicherkarte

Empfohlene Produkte
Nehmen Sie Kontakt mit uns auf
Ansprechpartner : Ms. Sunny Wu
Telefon : +8615712055204
Zeichen übrig(20/3000)
In Kontakt kommen
Zimmer 401-404, Einheit 1, Gebäude B, Gebäude 8, Huaqiang Creative Industrial Park, Biyan Community, Guangming Street, Guangming District.
sales2@ccss.ltd
+8615712055204
über
Firmenprofil Fabrik Tour Qualitätskontrolle Kontakt
Produkte
EMMC5.1Industrielle Qualität EMMC5.1Fahrzeugklasse eMMC5.1 Alle Kategorien
Mailen Sie uns
Teilen Sie uns Ihre Anforderung mit. Wir werden die besten Produkte mit Ihnen verbinden.
Sitemap │ │ Datenschutz-Bestimmungen
China Gut Qualität EMMC5.1 Lieferant. © 2024 - 2026 China Chips Star Semiconductor Co., Ltd.. All Rights Reserved.