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EMMC5.1 64 GB 128 GB 256 GB EMMC in Industriequalität 100.000 P/E-Zyklen 3 Millionen Stunden MTBF Hohe Zuverlässigkeit 512 GB

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Verhandlungsfähig
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EMMC5.1 64 GB 128 GB 256 GB EMMC in Industriequalität 100.000 P/E-Zyklen 3 Millionen Stunden MTBF Hohe Zuverlässigkeit 512 GB
Eigenschaften Galerie Produkt-Beschreibung Bewertungen & Überprüfung Fordern Sie ein Zitat
Eigenschaften
Technische Daten
Erinnerung: Blitz
BRAUCH: Unterstützung
Herkunft: China
Aufeinander folgend schreiben Sie Geschwindigkeit: Bis zu 240 MB/s
Standard: EMMC 5.1
Kapazität: 64 GB, 128 GB, 256 GB
Aussehen: 11,5 mm x 13 mm x 1,0 mm/11,5 mm x 13 mm x 1,2 mm
Typ von Nand-Blitz: 3D-NAND
Hersteller: PG-Marke, China Chips Star
Lagertemperatur: -20°C bis 85°C
Hervorheben:

eMMC5.1 64 GB

,

Eingebettetes eMMC 128 GB

,

eMMC IC

Grundinformation
Herkunftsort: Shenzhen, China
Markenname: PG
Modellnummer: G2864TLCB/G28128TLCB/G28256TLCB/G2564LTCB/G25128LTCB/G25256LTCB
Zahlung und Versand AGB
Lieferzeit: 10 bis 15 Tage
Zahlungsbedingungen: L/C, T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 100.000 im Monat.
Produkt-Beschreibung
EMMC5.1 64GB 128GB 256GB Industriequalität EMMC 100.000 P/E-Zyklen 3 Millionen Stunden MTBF Hohe Zuverlässigkeit 512GB
Industriequalität eMMC 5.1 Speicherlösungen, die außergewöhnliche Zuverlässigkeit mit 100.000 Programmier-/Löschzyklen und 3 Millionen Stunden MTBF über verschiedene Kapazitätsoptionen hinweg bieten.
CB EMMC5.1 Spezifikationen
Modell G2864GTLCB G28128TLCB G28256TLCB
NAND-Flash 3DTLC NAND 3DTLC NAND 3DTLC NAND
Kapazität 64GB 128GB 256GB
CE 1 2 4
Lesegeschwindigkeit bis zu 330MB/s bis zu 330MB/s bis zu 330MB/s
Schreibgeschwindigkeit bis zu 240MB/s bis zu 240MB/s bis zu 240MB/s
Betriebstemperatur -25°C~85°C -25°C~85°C -25°C~85°C
EP ≥3000 ≥3000 ≥3000
Verpackungsspezifikation BGA 153 BGA 153 BGA 153
Größe 11,5mm*13mm*1,0mm 11,5mm*13mm*1,0mm 11,5mm*13mm*1,2mm
Speicherträger: NAND-Flash-Speicherchip
NAND-Flash-Speicher dient als primäre Speicherkomponente in eMMC und bestimmt direkt die Speicherkapazität, die Lese-/Schreibleistung und die Betriebslaufzeit. Verschiedene NAND-Technologien bieten unterschiedliche Leistungs- und Ausdauerstufen:
  • SLC (Single-Level Cell): Speichert 1 Bit pro Zelle mit außergewöhnlicher Ausdauer (100.000+ P/E-Zyklen), Hochgeschwindigkeitsleistung und maximaler Stabilität. Ideal für industrielle Anwendungen, die überlegene Zuverlässigkeit erfordern.
  • MLC (Multi-Level Cell): Speichert 2 Bits pro Zelle mit 10.000-30.000 P/E-Zyklen und bietet ein Gleichgewicht zwischen Leistung und Kosten. Wurde zuvor in Mittel- bis High-End-Mobilgeräten verwendet.
  • TLC (Triple-Level Cell): Speichert 3 Bits pro Zelle mit 1.000-3.000 P/E-Zyklen und bietet kostengünstigen Hochdichtespeicher für Unterhaltungselektronik.
  • QLC (Quad-Level Cell): Speichert 4 Bits pro Zelle mit mehreren hundert P/E-Zyklen und bietet maximale Kapazitätsdichte für Anwendungen mit minimalen Schreibanforderungen.
Die eMMC-Speicherkapazität wird durch die Anzahl und Kapazität der NAND-Flash-Speicherchips bestimmt, wobei Optionen von 4 GB und 8 GB bis hin zu 64 GB und 128 GB reichen, um unterschiedliche Geräteanforderungen zu erfüllen.
Bewertungen & Überprüfung

Gesamtbewertung

5.0
Basierend auf 50 Bewertungen für diesen Lieferanten

Rating-Schnappschuss

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Alle Bewertungen

J
Julien
France Dec 16.2025
The products I order from this company are always excellent quality and work great.
R
R*n
Russian Federation Sep 3.2025
It's a very good product, the seller is very attentive and prompt, very satisfied.
E
Eyob
Netherlands Jun 12.2025
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