EMMC5.1 64 GB 128 GB 256 GB EMMC de grado industrial 100 000 ciclos P/E 3 millones de horas MTBF Alta confiabilidad 512 GB
Especificación de producto
Lugar de origen:
Shénzhen, China
Nombre de la marca:
PG
Número de modelo:
G2864TLCB/G28128TLCB/G28256TLCB/G2564LTCB/G25128LTCB/G25256LTCB
Cantidad mínima de pedido:
50 PCS
Precio:
Negociable
El tiempo de entrega:
10 a 15 días
Condiciones de pago:
LC, T/T
Capacidad de suministro:
100 mil al mes.
Resumen del producto
EMMC5.1 64GB 128GB 256GB EMMC de grado industrial 100.000 P/E Ciclos 3 millones de horas MTBF Alta confiabilidad 512GB Soluciones de almacenamiento eMMC 5.1 de grado industrial que ofrecen una confiabilidad excepcional con 100.000 ciclos de programación/borrado y 3 millones de horas MTBF en m...
Detalles del producto
Resaltar:
eMMC5.1 64GB
,Embed emmc de 128 GB
,En el caso de las
Memory:
Destello
Custom:
apoyo
Origin:
Porcelana
Sequential Write Speed:
Hasta 240 MB/s
Standard:
EMMC 5. ¿Qué quiere decir?1
Capacity:
64GB, 128 GB, 256 GB
Appearance:
11,5 mm x 13 mm x 1,0 mm/11,5 mm x 13 mm x 1,2 mm
Nand Flash Type:
3D NAND
Manufacturer:
Marca PG, estrella de chips de China
Storage Temperature:
-20-85 °C
Descripción del producto
EMMC5.1 64GB 128GB 256GB EMMC de grado industrial 100.000 P/E Ciclos 3 millones de horas MTBF Alta confiabilidad 512GB
Soluciones de almacenamiento eMMC 5.1 de grado industrial que ofrecen una confiabilidad excepcional con 100.000 ciclos de programación/borrado y 3 millones de horas MTBF en múltiples opciones de capacidad.
CB EMMC5.1 Especificaciones
| Modelo | G2864 GTLCB | G28128TLCB | G28256TLCB |
|---|---|---|---|
| NAND flash | 3DTLC NAND | 3DTLC NAND | 3DTLC NAND |
| Capacidad | 64 GB | 128 GB. | 256 GB |
| Sección 2 | 1 | 2 | 4 |
| Velocidad de lectura | hasta 330 MB/s | hasta 330 MB/s | hasta 330 MB/s |
| Velocidad de escritura | hasta 240 MB/s | hasta 240 MB/s | hasta 240 MB/s |
| Temperatura de funcionamiento | -25°C a 85°C | -25°C a 85°C | -25°C a 85°C |
| El Parlamento Europeo | ≥ 3000 | ≥ 3000 | ≥ 3000 |
| Especificación del embalaje | BGA 153 | BGA 153 | BGA 153 |
| Tamaño | 11.5 mm*13 mm*1.0 mm | 11.5 mm*13 mm*1.0 mm | 11.5mm*13mm*1.2mm |
Cargador de almacenamiento: chip de memoria NAND Flash
La memoria flash NAND sirve como el componente de almacenamiento principal en eMMC, determinando directamente la capacidad de almacenamiento, el rendimiento de lectura / escritura y la vida útil operativa.Diferentes tecnologías NAND ofrecen diferentes niveles de rendimiento y resistencia:
- SLC (célula de nivel único): Almacena 1 bit por celda con una resistencia excepcional (100.000 ciclos P/E), alto rendimiento de velocidad y máxima estabilidad.
- MLC (célula de varios niveles): Almacena 2 bits por celda con 10.000-30.000 ciclos de P/E, equilibrando el rendimiento y el costo.
- TLC (célula de tres niveles): Almacena 3 bits por celda con 1.000-3.000 ciclos P/E, ofreciendo un almacenamiento de alta densidad rentable para electrónica de consumo.
- Celular de cuatro niveles (QLC): Almacena 4 bits por celda con varios cientos de ciclos P/E, proporcionando una densidad de capacidad máxima para aplicaciones con requisitos mínimos de escritura.
La capacidad de almacenamiento eMMC está determinada por el número y la capacidad de los chips de memoria flash NAND, con opciones que van desde 4GB y 8GB hasta 64GB y 128GB para adaptarse a los diversos requisitos del dispositivo.
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