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EMMC5.1 64 GB 128 GB 256 GB EMMC de grado industrial 100 000 ciclos P/E 3 millones de horas MTBF Alta confiabilidad 512 GB

50 PCS
MOQ
Negociable
Precio
EMMC5.1 64 GB 128 GB 256 GB EMMC de grado industrial 100 000 ciclos P/E 3 millones de horas MTBF Alta confiabilidad 512 GB
Caracteristicas Galería Descripción de producto Pida una cita
Caracteristicas
Especificaciones
Memoria: Destello
costumbre: Apoyo
Origen: Porcelana
Secuencial escriba la velocidad: Hasta 240 MB/s
Estándar: EMMC 5. ¿Qué quiere decir?1
Capacidad: 64GB, 128 GB, 256 GB
Apariencia: 11,5 mm x 13 mm x 1,0 mm/11,5 mm x 13 mm x 1,2 mm
Tipo de flash Nand: 3D NAND
Fabricante: Marca PG, estrella de chips de China
Temperatura de almacenamiento: -20-85 °C
Resaltar:

1 TB de SSD PCIe3.0

,

256 GB de SSD de PCIe3.0

,

Disco de estado sólido interno NAND
Información básica
Lugar de origen: Shénzhen, China
Nombre de la marca: PG
Número de modelo: G2864TLCB/G28128TLCB/G28256TLCB/G2564LTCB/G25128LTCB/G25256LTCB
Pago y Envío Términos
Tiempo de entrega: 10 a 15 días
Condiciones de pago: LC, T/T
Capacidad de la fuente: 100 mil al mes.
Descripción de producto
EMMC5.1 64 GB 128 GB 256 GB EMMC de grado industrial 100 000 ciclos P/E 3 millones de horas MTBF Alta confiabilidad 512 GB
Soluciones de almacenamiento eMMC 5.1 de nivel industrial que ofrecen una confiabilidad excepcional con 100 000 ciclos de programación/borrado y 3 millones de horas MTBF en múltiples opciones de capacidad.
CB EMMC5.1 Especificaciones
Modelo G2864GTLCB G28128TLCB G28256TLCB
Flash NAND 3DTLC NAND 3DTLC NAND 3DTLC NAND
Capacidad 64GB 128GB 256GB
CE 1 2 4
Velocidad de lectura hasta 330 MB/s hasta 330 MB/s hasta 330 MB/s
Velocidad de escritura hasta 240 MB/s hasta 240 MB/s hasta 240 MB/s
Temperatura de funcionamiento -25 ℃ ~ 85 ℃ -25 ℃ ~ 85 ℃ -25 ℃ ~ 85 ℃
PE ≥3000 ≥3000 ≥3000
Especificación de embalaje BGA-153 BGA-153 BGA-153
Tamaño 11,5 mm × 13 mm × 1,0 mm 11,5 mm × 13 mm × 1,0 mm 11,5 mm × 13 mm × 1,2 mm
Portador de almacenamiento: Chip de memoria flash NAND
La memoria flash NAND sirve como componente de almacenamiento principal en eMMC, determinando directamente la capacidad de almacenamiento, el rendimiento de lectura/escritura y la vida útil operativa. Las diferentes tecnologías NAND ofrecen distintos niveles de rendimiento y resistencia:
  • SLC (celda de un solo nivel): Almacena 1 bit por celda con una resistencia excepcional (más de 100 000 ciclos P/E), rendimiento de alta velocidad y máxima estabilidad. Ideal para aplicaciones industriales que requieren confiabilidad superior.
  • MLC (celda multinivel): Almacena 2 bits por celda con 10 000-30 000 ciclos P/E, equilibrando rendimiento y costo. Utilizado anteriormente en dispositivos móviles de gama media y alta.
  • TLC (celda de triple nivel): Almacena 3 bits por celda con 1000-3000 ciclos P/E, lo que ofrece almacenamiento rentable de alta densidad para productos electrónicos de consumo.
  • QLC (celda de cuatro niveles): Almacena 4 bits por celda con varios cientos de ciclos P/E, lo que proporciona una densidad de capacidad máxima para aplicaciones con requisitos mínimos de escritura.
La capacidad de almacenamiento eMMC está determinada por la cantidad y la capacidad de los chips de memoria flash NAND, con opciones que van desde 4 GB y 8 GB hasta 64 GB y 128 GB para adaptarse a diversos requisitos de dispositivos.
etiqueta:

Chips de memoria de circuito integrado

Chip de memoria EMMC

Tarjeta de memoria EMMC

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