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EMMC5.1 64 GB 128 GB 256 GB EMMC de grado industrial 100 000 ciclos P/E 3 millones de horas MTBF Alta confiabilidad 512 GB

50 PCS
MOQ
Negociable
Precio
EMMC5.1 64 GB 128 GB 256 GB EMMC de grado industrial 100 000 ciclos P/E 3 millones de horas MTBF Alta confiabilidad 512 GB
Caracteristicas Galería Descripción de producto Clasificaciones y revisión Pida una cita
Caracteristicas
Especificaciones
Memoria: Destello
COSTUMBRE: apoyo
Origen: Porcelana
Secuencial escriba la velocidad: Hasta 240 MB/s
Estándar: EMMC 5. ¿Qué quiere decir?1
Capacidad: 64GB, 128 GB, 256 GB
apariencia: 11,5 mm x 13 mm x 1,0 mm/11,5 mm x 13 mm x 1,2 mm
Tipo de flash Nand: 3D NAND
Fabricante: Marca PG, estrella de chips de China
Temperatura de almacenamiento: -20-85 °C
Resaltar:

eMMC5.1 64GB

,

Embed emmc de 128 GB

,

En el caso de las
Información básica
Lugar de origen: Shénzhen, China
Nombre de la marca: PG
Número de modelo: G2864TLCB/G28128TLCB/G28256TLCB/G2564LTCB/G25128LTCB/G25256LTCB
Pago y Envío Términos
Tiempo de entrega: 10 a 15 días
Condiciones de pago: LC, T/T
Capacidad de la fuente: 100 mil al mes.
Descripción de producto
EMMC5.1 64GB 128GB 256GB EMMC de grado industrial 100.000 P/E Ciclos 3 millones de horas MTBF Alta confiabilidad 512GB
Soluciones de almacenamiento eMMC 5.1 de grado industrial que ofrecen una confiabilidad excepcional con 100.000 ciclos de programación/borrado y 3 millones de horas MTBF en múltiples opciones de capacidad.
CB EMMC5.1 Especificaciones
Modelo G2864 GTLCB G28128TLCB G28256TLCB
NAND flash 3DTLC NAND 3DTLC NAND 3DTLC NAND
Capacidad 64 GB 128 GB. 256 GB
Sección 2 1 2 4
Velocidad de lectura hasta 330 MB/s hasta 330 MB/s hasta 330 MB/s
Velocidad de escritura hasta 240 MB/s hasta 240 MB/s hasta 240 MB/s
Temperatura de funcionamiento -25°C a 85°C -25°C a 85°C -25°C a 85°C
El Parlamento Europeo ≥ 3000 ≥ 3000 ≥ 3000
Especificación del embalaje BGA 153 BGA 153 BGA 153
Tamaño 11.5 mm*13 mm*1.0 mm 11.5 mm*13 mm*1.0 mm 11.5mm*13mm*1.2mm
Cargador de almacenamiento: chip de memoria NAND Flash
La memoria flash NAND sirve como el componente de almacenamiento principal en eMMC, determinando directamente la capacidad de almacenamiento, el rendimiento de lectura / escritura y la vida útil operativa.Diferentes tecnologías NAND ofrecen diferentes niveles de rendimiento y resistencia:
  • SLC (célula de nivel único): Almacena 1 bit por celda con una resistencia excepcional (100.000 ciclos P/E), alto rendimiento de velocidad y máxima estabilidad.
  • MLC (célula de varios niveles): Almacena 2 bits por celda con 10.000-30.000 ciclos de P/E, equilibrando el rendimiento y el costo.
  • TLC (célula de tres niveles): Almacena 3 bits por celda con 1.000-3.000 ciclos P/E, ofreciendo un almacenamiento de alta densidad rentable para electrónica de consumo.
  • Celular de cuatro niveles (QLC): Almacena 4 bits por celda con varios cientos de ciclos P/E, proporcionando una densidad de capacidad máxima para aplicaciones con requisitos mínimos de escritura.
La capacidad de almacenamiento eMMC está determinada por el número y la capacidad de los chips de memoria flash NAND, con opciones que van desde 4GB y 8GB hasta 64GB y 128GB para adaptarse a los diversos requisitos del dispositivo.
Clasificaciones y revisión

Calificación general

5.0
Basado en 50 reseñas para este proveedor

Imagen de calificación

La siguiente es la distribución de todas las calificaciones
5 estrellas
100%
4 estrellas
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3 estrellas
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2 estrellas
0%
1 estrellas
0%

Todas las reseñas

J
Julien
France Dec 16.2025
Es muy útil. (66)
The products I order from this company are always excellent quality and work great.
R
R*n
Russian Federation Sep 3.2025
Es muy útil. (169)
It's a very good product, the seller is very attentive and prompt, very satisfied.
E
Eyob
Netherlands Jun 12.2025
Es muy útil. (93)
I have well test my memory cards received, (64 gb 128 gb) their quality is perfect.
etiqueta:

Chips de memoria de circuito integrado

Chip de memoria EMMC

Tarjeta de memoria EMMC

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