| ความเร็วในการเขียนสูงสุด | 240เมกะไบต์/วินาที |
|---|---|
| แรงดันไฟฟ้าที่ใช้งาน | 3.3V |
| แก้ไขข้อผิดพลาด | มาตรฐาน |
| อินเทอร์เฟซ | อีเอ็มเอ็มซี 5.1 |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -45°C ถึง 105°C |
| ประเภทแพ็คเกจ | เอฟบีจีเอ 153 |
|---|---|
| คุณสมบัติที่สำคัญ | คุณภาพดีประสิทธิภาพสูง |
| เวเฟอร์ | เวเฟอร์ KIOXIA เกรดอุตสาหกรรม |
| แรงดันไฟฟ้า | 1.8V และ 3.3V |
| การดำเนินการบูต | รองรับพาร์ติชันสำหรับบูต |
| ชื่อสินค้า | EMMC เกรดยานยนต์แบบฝัง |
|---|---|
| ยี่ห้อ | แบรนด์พีจี |
| ความจุ | 64GB / 128GB / 256GB |
| วัสดุ | พลาสติก |
| สี | สีดำ |
| ผลิตภัณฑ์ | emmc สำหรับแท็บเล็ตเพื่อการศึกษา |
|---|---|
| ความเร็วในการเขียน | สูงสุด 240MB/วินาที |
| ความเร็วในการอ่าน | สูงสุด 330MB/วินาที |
| คอนโทรลเลอร์ | เอสเอ็มไอ |
| โลโก้ | กำหนดเอง |
| เงื่อนไข | ดี |
|---|---|
| ข้อตกลง | HS400 |
| อินเทอร์เฟซ | อินเตอร์เฟซ MMC (มัลติมีเดียการ์ด) |
| ความเร็วในการเขียนตามลำดับ | สูงสุด 240 เมกะไบต์/วินาที |
| ออริญ | จีน |
| ความจุ | 8GB/16GB/32GB/64GB/128GB/256GB |
|---|---|
| อ่านความเร็ว | สูงสุด 330MB/วินาที |
| ข้อตกลง | HS400 |
| ความเร็วในการเขียน | สูงสุด 240MB/วินาที |
| อุณหภูมิการทํางาน | -25℃~+85℃ |
| ผลิตภัณฑ์ | หน่วยความจำวงจรรวม eMMC5.1 |
|---|---|
| โลโก้ | โลโก้ที่กำหนดเอง |
| ผู้ผลิต | ไชน่าชิปสตาร์ |
| ความเร็วในการอ่าน | สูงสุด 330MB/วินาที |
| ต้นทาง | สจ |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -45°ซ ถึง +105°ซ |
|---|---|
| Nand Flash | MLC/TLC/QLC |
| สี | สีดำ |
| อินเทอร์เฟซ | HS400, HS200, HS, DDR |
| ความเร็วในการเขียนแบบสุ่ม | มากถึง 10,000 IOPS |
| คุณสมบัติที่สำคัญ | คุณภาพดีประสิทธิภาพสูง |
|---|---|
| ทางเลือกของแฟลช | MLC / 3D TLC / QLC NAND |
| แฟลชที่ได้รับการปรับปรุง | รองรับ |
| ช่วงความจุ | 64GB ถึง 256GB |
| แรงดันไฟฟ้า | 1.8V / 3.3V |
| ตามสั่ง | สนับสนุน |
|---|---|
| แก้ไขข้อผิดพลาด | ECC ในตัว (รหัสแก้ไขข้อผิดพลาด) |
| การรับประกัน | 1 ปี |
| Nand Flash | TLC |
| ความจุ | โดยทั่วไปจะมีตั้งแต่ 64GB ถึง 256GB |
