| Memória | Clarão |
|---|---|
| Tipo de pacote | BGA (matriz de grade de esferas) 153 |
| Doença | Boa qualidade |
| Material | plástico |
| OEM | Bem-vindo |
| Doença | Novo / Boa Saúde |
|---|---|
| Temperatura operacional | -40 a 105°C |
| Garantia | 5 anos |
| Função | Memória |
| Status dos produtos | Novo |
| Produto | Memória de circuitos integrados eMMC5.1 |
|---|---|
| Logotipo | Logotipo personalizado |
| Fabricante | Estrela de batatas fritas da China |
| Velocidade de leitura | Até 330MB/s |
| Origem | SZ |
| Velocidade lida sequencial | Até 400 MB/s |
|---|---|
| Utilização | armazenamento para telefone, tablet e assim por diante |
| Aleatório escreva a velocidade | Até 4.000 IOPS |
| Capacidade | 4GB, 128GB, 256GB |
| Fator de forma | 11.5mm x 13mm, 12mm x 16mm, 12mm x 18mm |
| Tipo de pacote | BGA (matriz de grade de bolas) |
|---|---|
| Nota | Grau Comercial |
| Sequencial escreva a velocidade | Até 240 MB/s |
| Tensão operacional | 2.7V - 3.6V |
| Capacidade de armazenamento | 256 GB 64 GB 128 GB |
| NAND Flash | MLC/TLC/QLC |
|---|---|
| Voltagem | 2.7V-3.6V |
| Fabricante | PÁGINA |
| Cores | Negro |
| Capacidade | 8GB, 16GB, 32GB, 64GB, 128GB, 256GB, 512GB |
| Temperatura de funcionamento | -25°C a +85°C |
|---|---|
| NAND Flash | MLC/TLC/QLC |
| Cores | Negro |
| interface | HS400, HS200, HS, DDR |
| Aleatório escreva a velocidade | Até 10 000 IOPS |
| Principais recursos | Boa qualidade, alto desempenho |
|---|---|
| Escolha do Flash | MLC / 3D TLC / QLC NAND |
| Estroboscópio aprimorado | Suportado |
| Faixa de capacidade | 64 GB a 256 GB |
| Tensão | 1,8 V / 3,3 V |
| Capacidade | 64 GB a 256 GB |
|---|---|
| Origem | China |
| Velocidade de leitura | Até 330MB/s |
| Velocidade de gravação | Até 240MB/s |
| Temperatura operacional | -40℃~+85℃ / -45℃~+105℃ |
| Capacidade | 64 GB/128 GB/256 GB |
|---|---|
| Acordo | HS400 |
| Velocidade de leitura | Até 330MB/s |
| Velocidade de gravação | Até 240MB/s |
| Temperatura operacional | -40°C~+85°C/-45°C~+105°C |