| 제품 | eMMC5.1 집적 회로 메모리 |
|---|---|
| 심벌 마크 | 맞춤형 로고 |
| 제조업자 | 차이나 칩스 스타 |
| 읽기 속도 | 최대 330MB/초 |
| 기원 | SZ |
| 순차 독출 속도 | 최대 400MB/s |
|---|---|
| 사용 | 휴대폰, 태블릿 등을 위한 저장 공간 |
| 무작위 쓰기 속도 | 최대 4,000 IOP |
| 용량 | 4GB, 128GB, 256GB |
| 폼 팩터 | 11.5mm x 13mm, 12mm x 16mm, 12mm x 18mm |
| 패키지 유형 | BGA(볼 그리드 어레이) |
|---|---|
| 등급 | 상용 등급 |
| 순차 기입 속도 | 최대 240MB/초 |
| 제어 장치 | SMI |
| 작동 전압 | 2.7V - 3.6V |
| 낸드 플래시 | MLC/TLC/QLC |
|---|---|
| 전압 | 2.7V-3.6V |
| 제조업자 | PG |
| 색상 | 블랙 |
| 용량 | 8GB, 16GB, 32GB, 64GB, 128GB, 256GB, 512GB |
| 작동 온도 | +85' Ｃ에 대한 -25' Ｃ |
|---|---|
| 낸드 플래시 | MLC/TLC/QLC |
| 색상 | 블랙 |
| 인터페이스 | HS400, HS200, HS, DDR |
| 무작위 쓰기 속도 | 최대 10,000 IOP |
| 주요 기능 | 좋은 품질, 고성능 |
|---|---|
| 플래시 선택 | MLC / 3D TLC / QLC NAND |
| 향상된 스트로브 | 지원됨 |
| 용량 범위 | 64GB~256GB |
| 전압 | 1.8V / 3.3V |
| 용량 | 64GB~256GB |
|---|---|
| 오리엔테이션 | 중국 |
| 읽기 속도 | 최대 330MB/초 |
| 쓰기 속도 | 최대 240MB/초 |
| 작동 온도 | -40℃~+85℃ / -45℃~+105℃ |
| 용량 | 64GB/128GB/256GB |
|---|---|
| 합의 | HS400 |
| 읽기 속도 | 최대 330MB/초 |
| 쓰기 속도 | 최대 240MB/초 |
| 작동 온도 | -40℃~+85℃/-45℃~+105℃ |
| 품질 | 100% 원본 |
|---|---|
| 상태 | 새로운 |
| 인터페이스 | HS400, HS200, HS, DDR |
| 특징 | 고급 마모 레벨링, 불량 블록 관리, 트림 지원, 전력 손실 보호, 안전한 쓰기 보호 |
| 기준 | 에m크 5.1 |
| 용량 | 8GB/16GB/32GB/64GB/128GB/256GB |
|---|---|
| 읽기 속도 | 최대 330MB/초 |
| 협정 | HS400 |
| 기입 속도 | 최대 240MB/초 |
| 작동 온도 | -25C~+85C |
