| 제조업자 | PG |
|---|---|
| 규약 | HS400 |
| 전압 | 2.7V-3.6V |
| 인터페이스 | HS400, HS200, HS, DDR |
| 특징 | 고급 마모 레벨링, 불량 블록 관리, 트림 지원, 전력 손실 보호, 안전한 쓰기 보호 |
| 용량 | 8GB, 16GB, 32GB, 64GB, 128GB, 256GB, 512GB |
|---|---|
| 품질 | 100% 원형 |
| 무작위 쓰기 속도 | 최대 10,000 IOP |
| 전압 | 2.7V-3.6V |
| 색상 | 블랙 |
| 낸드 플래시 | MLC/TLC/QLC |
|---|---|
| 전압 | 2.7V-3.6V |
| 제조업자 | PG |
| 색상 | 블랙 |
| 용량 | 8GB, 16GB, 32GB, 64GB, 128GB, 256GB, 512GB |
| 제조업자 | PG |
|---|---|
| 작동 온도 | +85' Ｃ에 대한 -25' Ｃ |
| 규약 | HS400 |
| 낸드 플래시 | MLC/TLC/QLC |
| 무작위 쓰기 속도 | 최대 10,000 IOP |
| 웨이퍼 | 산업용 등급 KIOXIA 웨이퍼 |
|---|---|
| 특징 | 고급 마모 레벨링, 불량 블록 관리, 트림 지원, 전력 손실 보호, 안전한 쓰기 보호 |
| 품질 | 100% 원형 |
| 조건 | 새로운 |
| 낸드 플래시 | MLC/TLC/QLC |
| 웨이퍼 | 산업용 등급 KIOXIA 웨이퍼 |
|---|---|
| 품질 | 100% 원형 |
| 특징 | 고급 마모 레벨링, 불량 블록 관리, 트림 지원, 전력 손실 보호, 안전한 쓰기 보호 |
| 조건 | 새로운 |
| 용량 | 8GB, 16GB, 32GB, 64GB, 128GB, 256GB, 512GB |
| 제품명 | EMMC IC 메모리 칩 |
|---|---|
| 용량 | 64GB~256GB |
| 합의 | HS400 |
| 읽기 속도 | 최대 330MB/초 |
| 쓰기 속도 | 최대 240MB/초 |
| 합의 | HS400 |
|---|---|
| 읽기 속도 | 최대 330MB/초 |
| 쓰기 속도 | 최대 240MB/초 |
| 작동 온도 | -25C~+85C |
| 플래시 선택 | MLC/3DTLC/QLC 낸드 |
| 패키지 유형 | BGA(볼 그리드 어레이) |
|---|---|
| 등급 | 상용 등급 |
| 순차 기입 속도 | 최대 240MB/초 |
| 제어 장치 | SMI |
| 작동 전압 | 2.7V - 3.6V |
| 패키지 유형 | BGA(볼 그리드 어레이) |
|---|---|
| 등급 | 상용 등급 |
| 순차 기입 속도 | 최대 240MB/초 |
| 제어 장치 | SMI |
| 작동 전압 | 2.7V - 3.6V |
