| 製造者 | ページ |
|---|---|
| 議定書 | HS400 |
| 電圧 | 2.7V-3.6V |
| インターフェース | HS400,HS200,HS,DDR |
| 特徴 | 先進的な耐用レベル化,不良ブロック管理,TRIMサポート,電源損失保護,安全な書き込み保護 |
| 容量 | 8GB,16GB,32GB,64GB,128GB,256GB,512GB について |
|---|---|
| 品質 | 100% オリジナル |
| 任意速度を書きなさい | 1万 IOPS まで |
| 電圧 | 2.7V-3.6V |
| 色 | ブラック |
| NANDフラッシュ | MLC/TLC/QLC |
|---|---|
| 電圧 | 2.7V-3.6V |
| 製造者 | ページ |
| 色 | ブラック |
| 容量 | 8GB,16GB,32GB,64GB,128GB,256GB,512GB について |
| 製造者 | ページ |
|---|---|
| 動作温度 | -25°Cへの+85°C |
| 議定書 | HS400 |
| NANDフラッシュ | MLC/TLC/QLC |
| 任意速度を書きなさい | 1万 IOPS まで |
| ウェーハ | 工業用品のキオキア・ウエフラー |
|---|---|
| 特徴 | 先進的な耐用レベル化,不良ブロック管理,TRIMサポート,電源損失保護,安全な書き込み保護 |
| 品質 | 100% オリジナル |
| 条件 | 新しい |
| NANDフラッシュ | MLC/TLC/QLC |
| ウェーハ | 工業用品のキオキア・ウエフラー |
|---|---|
| 品質 | 100% オリジナル |
| 特徴 | 先進的な耐用レベル化,不良ブロック管理,TRIMサポート,電源損失保護,安全な書き込み保護 |
| 条件 | 新しい |
| 容量 | 8GB,16GB,32GB,64GB,128GB,256GB,512GB について |
| 製品名 | EMMC ICのメモリー チップ |
|---|---|
| 容量 | 64GB～256GB |
| 合意 | HS400 |
| 読み取り速度 | 最大330MB/秒 |
| 書き込み速度 | 最大240MB/秒 |
| 合意 | HS400 |
|---|---|
| 読み取り速度 | 最大330MB/秒 |
| 書き込み速度 | 最大240MB/秒 |
| 動作温度 | -25°C~+85°C |
| フラッシュの選択 | MLC/3DTLC/QLC ナンド |
| パッケージの種類 | BGA (ボール グリッド アレイ) |
|---|---|
| 学年 | 商業用等級 |
| 順次速度を書きなさい | 最大240MB/秒 |
| コントローラ | SMI |
| 動作電圧 | 2.7V~3.6V |
| パッケージの種類 | BGA (ボール グリッド アレイ) |
|---|---|
| 学年 | 商業用等級 |
| 順次速度を書きなさい | 最大240MB/秒 |
| コントローラ | SMI |
| 動作電圧 | 2.7V~3.6V |
