| 品質 | 100% オリジナル |
|---|---|
| 条件 | 新しい |
| インターフェース | HS400,HS200,HS,DDR |
| 特徴 | 先進的な耐用レベル化,不良ブロック管理,TRIMサポート,電源損失保護,安全な書き込み保護 |
| 標準 | エム・MC・51 |
| NANDフラッシュ | MLC/TLC/QLC |
|---|---|
| ウェーハ | 工業用品のキオキア・ウエフラー |
| 動作温度 | -25°Cへの+85°C |
| 標準 | エム・MC・51 |
| 議定書 | HS400 |
| ウェーハ | 工業用品のキオキア・ウエフラー |
|---|---|
| 品質 | 100% オリジナル |
| 特徴 | 先進的な耐用レベル化,不良ブロック管理,TRIMサポート,電源損失保護,安全な書き込み保護 |
| 条件 | 新しい |
| 容量 | 8GB,16GB,32GB,64GB,128GB,256GB,512GB について |
| 合意 | HS400 |
|---|---|
| 速度を読み取ります | 最大 330MB/s |
| 書き込み速度 | 240MB/sまで |
| 動作温度 | -25°C~+85°C |
| フラッシュの選択 | MLC/3DTLC/QLC ナンド |
| 合意 | HS400 |
|---|---|
| 読まれた速度 | 最大 330MB/s |
| 速度を書きなさい | 240MB/sまで |
| 動作温度 | -25°C~+85°C |
| フラッシュの選択 | MLC/3DTLC/QLC ナンド |
| NANDフラッシュ | MLC/TLC/QLC |
|---|---|
| 電圧 | 2.7V-3.6V |
| 製造者 | ページ |
| 色 | ブラック |
| 容量 | 8GB,16GB,32GB,64GB,128GB,256GB,512GB について |
| 製造者 | ページ |
|---|---|
| 動作温度 | -25°Cへの+85°C |
| 議定書 | HS400 |
| NANDフラッシュ | MLC/TLC/QLC |
| 任意速度を書きなさい | 1万 IOPS まで |
| ウェーハ | 工業用品のキオキア・ウエフラー |
|---|---|
| 特徴 | 先進的な耐用レベル化,不良ブロック管理,TRIMサポート,電源損失保護,安全な書き込み保護 |
| 品質 | 100% オリジナル |
| 条件 | 新しい |
| NANDフラッシュ | MLC/TLC/QLC |
| 容量 | 8GB/16GB/32GB/64GB/128GB/256GB |
|---|---|
| 合意 | HS400 |
| 読まれた速度 | 最大 330MB/s |
| 速度を書きなさい | 240MB/sまで |
| 動作温度 | -40°C~+85°C/-45°C~+105°C |
| 容量 | 8GBから256GB |
|---|---|
| 合意 | HS400 |
| 読まれた速度 | 最大 330MB/s |
| 速度を書きなさい | 240MB/sまで |
| 動作温度 | -40°C~+85°C/-45°C~+105°C |
