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Qualität  Fabrik
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Produktspezifikation
Herkunftsort: Shenzhen, China
Markenname: PG
Zertifizierung: CE, RoHS, ISO9001,AEC-Q100,IATF16949
Modellnummer: G2832GTLCB/G2864GTLCB/G28128TLCB
Mindestbestellmenge: 50 Stück
Preis: Verhandlungsfähig
Standardverpackung: Antistatische Schale + vakuumversiegelter Beutel, Exportkarton
Lieferzeit: 10 bis 15 Tage
Zahlungsbedingungen: T/T, L/C
Lieferfähigkeit: 100k pro Monat

Produktübersicht

PG High Endurance eMMC 5.1 32 GB 64 GB 128 GB BGA153-Flash-Speicher, der für lange Programmlöschzyklen in schreibintensiven Embedded-Designs entwickelt wurde.

Produktdetails

Hervorheben:

High Endurance eMMC 5.1

,

Long Program Erase Cycles

,

Endurance Flash Storage

Storage Capacity: 32 GB/64 GB/128 GB
NAND Flash Type: 3D-TLC/pSLC-Option
Interface: eMMC 5.1 HS400
Package: BGA153 11,5 x 13 mm
Endurance: Hohe Bewertung des Programmlöschzyklus
Error Correction: LDPC ECC
Wear Levelling: Statisch und dynamisch
Operating Temperature: -25 °C bis +85 °C
Warranty: 3 Jahre
Custom: Unterstützung

Beschreibung des Produkts

High Endurance Program Erase Cycle eMMC 5.1 32GB 64GB 128GB BGA153 Flash-Speicher

Schreibintensive Workloads sind der Grund, warum Embedded Storage zuerst ausfällt. Datenlogger, Telematikboxen, Überwachungsrekorder und Edge-Gateways schreiben kontinuierlich, und ein Bauteil mit geringer Ausdauer verschleißt lange bevor die Produktgarantie abläuft. Dieses PG eMMC 5.1 ist auf ein hohes Programm-Löschzyklus-Budget ausgelegt, sodass Sie überprovisionieren, rund um die Uhr protokollieren und dennoch eine vorhersagbare Lebensdauer erzielen können. Es wird in Dichten von 32 GB, 64 GB und 128 GB mit dem bekannten BGA153-Footprint geliefert.

Ausdauer, auf die Sie sich verlassen können
  • Hohes P/E-Zyklus-Budget - mehr Programm-Löschzyklen pro Zelle, sodass heiße Partitionen jahrelanges kontinuierliches Logging überstehen.
  • pSLC-Modus-Option - für die schreibintensivsten Partitionen vervielfacht eine pSLC-Konfiguration die Ausdauer auf Kosten der Dichte.
  • Fortschrittliche Verschleißnivellierung - statische und dynamische Algorithmen verteilen Schreibvorgänge gleichmäßig über jeden Block, um frühe Hotspots zu vermeiden.
  • LDPC ECC - Low Density Parity Check Fehlerkorrektur hält die Bitfehlerraten niedrig, wenn Zellen altern.

Ausdauer ist nicht nur eine NAND-Eigenschaft. Die Controller-Firmware gleicht Verschleiß aus, verwaltet fehlerhafte Blöcke und meldet den Zustand über Standard-eMMC-Befehle, sodass die Host-Software ein Gerät überwachen und präventiv ersetzen kann, bevor es ausfällt.

Produktmodelle
Modell Kapazität NAND Gehäuse Abmessungen
G2832GTLCB 32GB 3D TLC FBGA153 11,5*13mm
G2864GTLCB 64GB 3D TLC FBGA153 11,5*13mm
G28128TLCB 128GB 3D TLC FBGA153 11,5*13mm
Technische Spezifikationen
Schnittstelle eMMC 5.1, HS400-Modus
Kapazität 32GB / 64GB / 128GB
NAND-Flash 3D TLC NAND (pSLC-Option)
Ausdauer Hohe Programm-Löschzyklus-Bewertung
Fehlerkorrektur LDPC ECC
Verschleißnivellierung Statisch und dynamisch
Betriebsspannung VCC 3,3V, VCCQ 1,8V / 3,3V
Betriebstemperatur -25°C bis +85°C
Gehäuse BGA153, 11,5 x 13 x 1,0mm
Hauptvorteile
  • Hohe Programm-Löschzyklus-Ausdauer für kontinuierliche Schreibanwendungen
  • pSLC-Option erhöht die Ausdauer bei den heißesten Partitionen weiter
  • Statische und dynamische Verschleißnivellierung verlängern die nutzbare Lebensdauer
  • LDPC ECC schützt Daten, wenn Zellen altern
  • Standard-eMMC 5.1 HS400-Schnittstelle und BGA153-Footprint
  • Geeignet für Datenlogger, Telematik, Dashcams und Edge-Gateways

PG liefert seit Tag eins Flash-Speicher aus Shenzhen, mit CE-, RoHS-, ISO9001-, AEC-Q100- und IATF16949-zertifizierter Produktion. Ausdauertestdaten und kundenspezifische Kapazitäts- oder pSLC-Konfigurationen sind für Qualifizierungsprojekte verfügbar.

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