logo
×
Qualidade  fábrica
Qualidade  fábrica
Qualidade  fábrica
Especificação do produto
Local de Origem: ShenZhen, China
Marca: PG
Certificação: CE, RoHS, ISO9001,AEC-Q100,IATF16949
Número do modelo: G2832GTLCB/G2864GTLCB/G28128TLCB
Quantidade mínima de pedido: 50 peças
Preço: Negociável
embalagem padrão: Bandeja antiestática + saco selado a vácuo, caixa de exportação
Prazo de entrega: 10 a 15 dias
Condições de pagamento: T/T,L/C
Capacidade de fornecimento: 100k por mês

Resumo do Produto

Memória flash PG eMMC 5.1 de alta resistência de 32 GB 64 GB 128 GB BGA153 projetada para longos ciclos de apagamento de programa em designs incorporados com uso intenso de gravação.

Detalhes do produto

Destacar:

High Endurance eMMC 5.1

,

Long Program Erase Cycles

,

Endurance Flash Storage

Storage Capacity: 32 GB/64GB/128GB
NAND Flash Type: Opção TLC/pSLC 3D
Interface: eMMC 5,1 HS400
Package: BGA153 11,5x13mm
Endurance: Classificação alta do ciclo de apagamento do programa
Error Correction: LDPC ECC
Wear Levelling: Estático e dinâmico
Operating Temperature: -25C a +85C
Warranty: 3 anos
Custom: Apoiar

Descrição do produto

Programa de Alta Resistência Ciclo Apagar eMMC 5.1 32GB 64GB 128GB Memória Flash BGA153

Cargas de trabalho com muitas gravações são onde o armazenamento embarcado falha primeiro. Registradores de dados, caixas de telemática, gravadores de vigilância e gateways de borda gravam continuamente, e uma peça de baixa resistência se desgasta muito antes do término da garantia do produto. Este eMMC 5.1 PG é projetado em torno de um alto orçamento de ciclos de programa/apagar, para que você possa superprovisionar, registrar 24 horas por dia e ainda assim publicar uma vida útil previsível. Ele é enviado em densidades de 32GB, 64GB e 128GB com o familiar footprint BGA153.

Resistência em que você pode confiar
  • Alto orçamento de ciclos P/E - mais ciclos de programa/apagar por célula para que partições quentes sobrevivam anos de registro contínuo.
  • Opção de modo pSLC - para as partições mais intensivas em gravação, uma configuração pSLC multiplica a resistência ao custo da densidade.
  • Nivelamento de desgaste avançado - algoritmos estáticos e dinâmicos distribuem as gravações uniformemente por todos os blocos para evitar pontos quentes precoces.
  • ECC LDPC - correção de erros de paridade de baixa densidade mantém baixas taxas de erro de bits à medida que as células envelhecem.

A resistência não é apenas uma propriedade do NAND. O firmware do controlador equilibra o desgaste, gerencia blocos defeituosos e relata a saúde através de comandos eMMC padrão, para que o software host possa monitorar e substituir preventivamente um dispositivo antes que ele falhe.

Modelos de Produto
Modelo Capacidade NAND Pacote Dimensões
G2832GTLCB 32GB 3D TLC FBGA153 11.5*13mm
G2864GTLCB 64GB 3D TLC FBGA153 11.5*13mm
G28128TLCB 128GB 3D TLC FBGA153 11.5*13mm
Especificações Técnicas
Interface eMMC 5.1, modo HS400
Capacidade 32GB / 64GB / 128GB
Flash NAND NAND 3D TLC (opção pSLC)
Resistência Alta classificação de ciclos de programa/apagar
Correção de Erros ECC LDPC
Nivelamento de Desgaste Estático e dinâmico
Tensão de Operação VCC 3.3V, VCCQ 1.8V / 3.3V
Temperatura de Operação -25C a +85C
Pacote BGA153, 11.5 x 13 x 1.0mm
Vantagens Principais
  • Alta resistência de ciclos de programa/apagar para aplicações de gravação contínua
  • A opção pSLC aumenta ainda mais a resistência nas partições mais quentes
  • O nivelamento de desgaste estático e dinâmico estende a vida útil utilizável
  • O ECC LDPC protege os dados à medida que as células envelhecem
  • Interface padrão eMMC 5.1 HS400 e footprint BGA153
  • Adequado para registradores de dados, telemática, câmeras de painel e gateways de borda

A PG fornece memória flash de Shenzhen desde o primeiro dia, com produção certificada CE, RoHS, ISO9001, AEC-Q100 e IATF16949. Dados de teste de resistência e configurações de capacidade personalizada ou pSLC estão disponíveis para projetos de qualificação.

Você pode igualmente gostar