logo
×
คุณภาพ  โรงงาน
คุณภาพ  โรงงาน
คุณภาพ  โรงงาน
ข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์
สถานที่ผลิต: เซินเจิ้นประเทศจีน
ชื่อแบรนด์: PG
การรับรอง: CE, RoHS, ISO9001,AEC-Q100,IATF16949
หมายเลขรุ่น: G2832GTLCB/G2864GTLCB/G28128TLCB
ปริมาณการสั่งซื้อขั้นต่ำ: 50 ชิ้น
ราคา: สามารถต่อรองได้
การบรรจุแบบมาตรฐาน: ถาดป้องกันไฟฟ้าสถิตย์+ถุงซีลสูญญากาศ กล่องเกรดส่งออก
เวลาการส่งมอบ: 10 ถึง 15 วัน
เงื่อนไขการชำระเงิน: ที/ที,แอล/C
ความสามารถในการจัดหา: 100k ต่อเดือน

สรุปผลิตภัณฑ์

หน่วยความจำแฟลช PG eMMC 5.1 ความทนทานสูง 32GB 64GB 128GB BGA153 ออกแบบมาเพื่อรอบการลบโปรแกรมที่ยาวนานในการออกแบบแบบฝังที่เน้นการเขียน

รายละเอียดสินค้า

เน้น:

High Endurance eMMC 5.1

,

Long Program Erase Cycles

,

Endurance Flash Storage

Storage Capacity: 32GB/64GB/128GB
NAND Flash Type: ตัวเลือก 3D TLC / pSLC
Interface: eMMC 5.1 HS400
Package: บีจีเอ153 11.5x13มม
Endurance: อัตรารอบการลบโปรแกรมสูง
Error Correction: LDPC อีซีซี
Wear Levelling: คงที่และไดนามิก
Operating Temperature: -25C ถึง +85C
Warranty: 3 ปี
Custom: สนับสนุน

คําอธิบายสินค้า

โปรแกรมความทนทานสูง รอบการลบโปรแกรม eMMC 5.1 32GB 64GB 128GB BGA153 หน่วยความจำแฟลช

ปริมาณงานที่เขียนหนักคือจุดที่หน่วยความจำแบบฝังล้มเหลวก่อนเป็นอันดับแรก เครื่องบันทึกข้อมูล กล่องเทเลมาติก เครื่องบันทึกภาพวงจรปิด และเกตเวย์ขอบเขียนอย่างต่อเนื่อง และชิ้นส่วนที่มีความทนทานต่ำจะสึกหรอก่อนที่การรับประกันผลิตภัณฑ์จะหมดอายุ eMMC 5.1 PG นี้ได้รับการออกแบบมาโดยมีงบประมาณรอบการลบโปรแกรมสูง ดังนั้นคุณจึงสามารถจัดสรรพื้นที่เกิน บันทึกข้อมูลได้ตลอดเวลา และยังคงมีอายุการใช้งานที่คาดการณ์ได้ มีให้เลือกในความจุ 32GB, 64GB และ 128GB พร้อมรูปแบบ BGA153 ที่คุ้นเคย

ความทนทานที่คุณวางแผนได้
  • งบประมาณรอบ P/E สูง - รอบการลบโปรแกรมต่อเซลล์มากขึ้น เพื่อให้พาร์ติชันที่ใช้งานหนักอยู่รอดได้จากการบันทึกข้อมูลอย่างต่อเนื่องเป็นเวลาหลายปี
  • ตัวเลือกโหมด pSLC - สำหรับพาร์ติชันที่เขียนหนักที่สุด การกำหนดค่า pSLC จะเพิ่มความทนทานโดยแลกกับความจุ
  • การปรับสมดุลการสึกหรอขั้นสูง - อัลกอริทึมแบบคงที่และแบบไดนามิกกระจายการเขียนอย่างสม่ำเสมอทั่วทุกบล็อก เพื่อหลีกเลี่ยงจุดร้อนที่เกิดขึ้นก่อนเวลาอันควร
  • LDPC ECC - การแก้ไขข้อผิดพลาดแบบพาริตีตรวจสอบความหนาแน่นต่ำช่วยให้ระดับข้อผิดพลาดของบิตต่ำเมื่อเซลล์มีอายุ

ความทนทานไม่ใช่แค่คุณสมบัติของ NAND เฟิร์มแวร์คอนโทรลเลอร์จะปรับสมดุลการสึกหรอ จัดการบล็อกที่เสียหาย และรายงานสถานะผ่านคำสั่ง eMMC มาตรฐาน เพื่อให้ซอฟต์แวร์โฮสต์สามารถตรวจสอบและเปลี่ยนอุปกรณ์ล่วงหน้าก่อนที่จะล้มเหลว

รุ่นผลิตภัณฑ์
รุ่น ความจุ NAND แพ็คเกจ ขนาด
G2832GTLCB 32GB 3D TLC FBGA153 11.5*13 มม.
G2864GTLCB 64GB 3D TLC FBGA153 11.5*13 มม.
G28128TLCB 128GB 3D TLC FBGA153 11.5*13 มม.
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
อินเทอร์เฟซ eMMC 5.1, โหมด HS400
ความจุ 32GB / 64GB / 128GB
NAND Flash 3D TLC NAND (ตัวเลือก pSLC)
ความทนทาน อัตราการลบโปรแกรมสูง
การแก้ไขข้อผิดพลาด LDPC ECC
การปรับสมดุลการสึกหรอ คงที่และไดนามิก
แรงดันไฟฟ้าในการทำงาน VCC 3.3V, VCCQ 1.8V / 3.3V
อุณหภูมิในการทำงาน -25C ถึง +85C
แพ็คเกจ BGA153, 11.5 x 13 x 1.0 มม.
ข้อได้เปรียบหลัก
  • ความทนทานต่อรอบการลบโปรแกรมสูงสำหรับการใช้งานที่เขียนอย่างต่อเนื่อง
  • ตัวเลือก pSLC เพิ่มความทนทานยิ่งขึ้นในพาร์ติชันที่ใช้งานหนักที่สุด
  • การปรับสมดุลการสึกหรอแบบคงที่และแบบไดนามิกช่วยยืดอายุการใช้งาน
  • LDPC ECC ปกป้องข้อมูลเมื่อเซลล์มีอายุ
  • อินเทอร์เฟซ eMMC 5.1 HS400 มาตรฐานและรูปแบบ BGA153
  • เหมาะสำหรับเครื่องบันทึกข้อมูล, เทเลมาติก, กล้องติดรถยนต์ และเกตเวย์ขอบ

PG ได้จัดหาหน่วยความจำแฟลชจากเซินเจิ้นตั้งแต่เริ่มต้น ด้วยการผลิตที่ได้รับการรับรอง CE, RoHS, ISO9001, AEC-Q100 และ IATF16949 ข้อมูลการทดสอบความทนทาน และการกำหนดค่าความจุที่กำหนดเองหรือ pSLC มีให้สำหรับโครงการคัดเลือก

คุณอาจชอบ