สรุปผลิตภัณฑ์
รายละเอียดสินค้า
High Endurance eMMC 5.1
,Long Program Erase Cycles
,Endurance Flash Storage
คําอธิบายสินค้า
ปริมาณงานที่เขียนหนักคือจุดที่หน่วยความจำแบบฝังล้มเหลวก่อนเป็นอันดับแรก เครื่องบันทึกข้อมูล กล่องเทเลมาติก เครื่องบันทึกภาพวงจรปิด และเกตเวย์ขอบเขียนอย่างต่อเนื่อง และชิ้นส่วนที่มีความทนทานต่ำจะสึกหรอก่อนที่การรับประกันผลิตภัณฑ์จะหมดอายุ eMMC 5.1 PG นี้ได้รับการออกแบบมาโดยมีงบประมาณรอบการลบโปรแกรมสูง ดังนั้นคุณจึงสามารถจัดสรรพื้นที่เกิน บันทึกข้อมูลได้ตลอดเวลา และยังคงมีอายุการใช้งานที่คาดการณ์ได้ มีให้เลือกในความจุ 32GB, 64GB และ 128GB พร้อมรูปแบบ BGA153 ที่คุ้นเคย
- งบประมาณรอบ P/E สูง - รอบการลบโปรแกรมต่อเซลล์มากขึ้น เพื่อให้พาร์ติชันที่ใช้งานหนักอยู่รอดได้จากการบันทึกข้อมูลอย่างต่อเนื่องเป็นเวลาหลายปี
- ตัวเลือกโหมด pSLC - สำหรับพาร์ติชันที่เขียนหนักที่สุด การกำหนดค่า pSLC จะเพิ่มความทนทานโดยแลกกับความจุ
- การปรับสมดุลการสึกหรอขั้นสูง - อัลกอริทึมแบบคงที่และแบบไดนามิกกระจายการเขียนอย่างสม่ำเสมอทั่วทุกบล็อก เพื่อหลีกเลี่ยงจุดร้อนที่เกิดขึ้นก่อนเวลาอันควร
- LDPC ECC - การแก้ไขข้อผิดพลาดแบบพาริตีตรวจสอบความหนาแน่นต่ำช่วยให้ระดับข้อผิดพลาดของบิตต่ำเมื่อเซลล์มีอายุ
ความทนทานไม่ใช่แค่คุณสมบัติของ NAND เฟิร์มแวร์คอนโทรลเลอร์จะปรับสมดุลการสึกหรอ จัดการบล็อกที่เสียหาย และรายงานสถานะผ่านคำสั่ง eMMC มาตรฐาน เพื่อให้ซอฟต์แวร์โฮสต์สามารถตรวจสอบและเปลี่ยนอุปกรณ์ล่วงหน้าก่อนที่จะล้มเหลว
| รุ่น | ความจุ | NAND | แพ็คเกจ | ขนาด |
|---|---|---|---|---|
| G2832GTLCB | 32GB | 3D TLC | FBGA153 | 11.5*13 มม. |
| G2864GTLCB | 64GB | 3D TLC | FBGA153 | 11.5*13 มม. |
| G28128TLCB | 128GB | 3D TLC | FBGA153 | 11.5*13 มม. |
| อินเทอร์เฟซ | eMMC 5.1, โหมด HS400 |
| ความจุ | 32GB / 64GB / 128GB |
| NAND Flash | 3D TLC NAND (ตัวเลือก pSLC) |
| ความทนทาน | อัตราการลบโปรแกรมสูง |
| การแก้ไขข้อผิดพลาด | LDPC ECC |
| การปรับสมดุลการสึกหรอ | คงที่และไดนามิก |
| แรงดันไฟฟ้าในการทำงาน | VCC 3.3V, VCCQ 1.8V / 3.3V |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -25C ถึง +85C |
| แพ็คเกจ | BGA153, 11.5 x 13 x 1.0 มม. |


- ความทนทานต่อรอบการลบโปรแกรมสูงสำหรับการใช้งานที่เขียนอย่างต่อเนื่อง
- ตัวเลือก pSLC เพิ่มความทนทานยิ่งขึ้นในพาร์ติชันที่ใช้งานหนักที่สุด
- การปรับสมดุลการสึกหรอแบบคงที่และแบบไดนามิกช่วยยืดอายุการใช้งาน
- LDPC ECC ปกป้องข้อมูลเมื่อเซลล์มีอายุ
- อินเทอร์เฟซ eMMC 5.1 HS400 มาตรฐานและรูปแบบ BGA153
- เหมาะสำหรับเครื่องบันทึกข้อมูล, เทเลมาติก, กล้องติดรถยนต์ และเกตเวย์ขอบ
PG ได้จัดหาหน่วยความจำแฟลชจากเซินเจิ้นตั้งแต่เริ่มต้น ด้วยการผลิตที่ได้รับการรับรอง CE, RoHS, ISO9001, AEC-Q100 และ IATF16949 ข้อมูลการทดสอบความทนทาน และการกำหนดค่าความจุที่กำหนดเองหรือ pSLC มีให้สำหรับโครงการคัดเลือก