logo
×
Chất lượng  nhà máy
Chất lượng  nhà máy
Chất lượng  nhà máy
Đặc điểm kỹ thuật sản phẩm
Nơi xuất xứ: Thâm Quyến, Trung Quốc
Tên thương hiệu: PG
Chứng nhận: CE, RoHS, ISO9001,AEC-Q100,IATF16949
Số mô hình: G2832GTLCB/G2864GTLCB/G28128TLCB
Số lượng đặt hàng tối thiểu: 50 miếng
Giá: Có thể đàm phán
bao bì tiêu chuẩn: Khay chống tĩnh điện + túi hút chân không, thùng carton xuất khẩu
Thời gian giao hàng: 10 đến 15 ngày
Điều khoản thanh toán: T/T, L/C
Khả năng cung cấp: 100k một tháng

Tóm tắt sản phẩm

Bộ nhớ flash BGA153 độ bền cao PG 5.1 32GB 64GB 128GB được thiết kế cho chu kỳ xóa chương trình dài trong các thiết kế nhúng chuyên sâu ghi.

Chi tiết sản phẩm

Làm nổi bật:

High Endurance eMMC 5.1

,

Long Program Erase Cycles

,

Endurance Flash Storage

Storage Capacity: 32GB/64GB/128GB
NAND Flash Type: Tùy chọn 3D TLC / pSLC
Interface: eMMC 5.1 HS400
Package: BGA153 11,5x13mm
Endurance: Xếp hạng chu kỳ xóa chương trình cao
Error Correction: LDPC ECC
Wear Levelling: Tĩnh và động
Operating Temperature: -25C đến +85C
Warranty: 3 năm
Custom: Ủng hộ

Mô tả sản phẩm

Chu kỳ xóa chương trình độ bền cao eMMC 5.1 32GB 64GB 128GB BGA153 Bộ nhớ flash

Các bộ ghi dữ liệu, hộp viễn thông, máy ghi hình giám sát và cổng biên viết liên tục,và một bộ phận bền thấp sẽ bị mòn lâu trước khi bảo hành sản phẩm kết thúc. PG eMMC 5.1 này được thiết kế xung quanh một ngân sách cao chương trình xóa chu kỳ, do đó bạn có thể cung cấp quá mức, đăng nhập quanh đồng hồ và vẫn xuất bản một tuổi thọ dịch vụ dự đoán. Nó được vận chuyển trong 32GB,64GB và 128GB mật độ với BGA153 quen thuộc dấu chân.

Bạn có thể lên kế hoạch cho sự kiên trì
  • Ngân sách chu kỳ P/E cao- nhiều chương trình xóa chu kỳ mỗi tế bào để các phân vùng nóng tồn tại nhiều năm ghi chép liên tục.
  • Tùy chọn chế độ pSLC- đối với các phân vùng chuyên sâu về ghi, cấu hình pSLC làm tăng độ bền bằng chi phí mật độ.
  • Tiêu chuẩn nâng cao- thuật toán tĩnh và động phân tán viết đều trên mỗi khối để tránh điểm nóng sớm.
  • LDPC ECC- điều chỉnh lỗi kiểm tra tỷ lệ mật độ thấp giữ tỷ lệ lỗi bit thấp khi các tế bào già đi.

Độ bền không chỉ là một tài sản NAND. phần mềm điều khiển cân bằng hao mòn, quản lý khối xấu và báo cáo sức khỏe thông qua các lệnh eMMC tiêu chuẩn,để phần mềm máy chủ có thể theo dõi và thay thế một thiết bị trước khi nó thất bại.

Mô hình sản phẩm
Mô hình Công suất NAND Gói Kích thước
G2832GTLCB 32GB 3D TLC FBGA153 11.5*13mm
G2864GTLCB 64GB 3D TLC FBGA153 11.5*13mm
G28128TLCB 128GB 3D TLC FBGA153 11.5*13mm
Thông số kỹ thuật
Giao diện eMMC 5.1, chế độ HS400
Công suất 32GB / 64GB / 128GB
NAND Flash 3D TLC NAND (tùy chọn pSLC)
Khả năng chịu đựng Đánh giá chu kỳ xóa chương trình cao
Sửa lỗi LDPC ECC
Đặt mực Chế độ tĩnh và động
Điện áp hoạt động VCC 3.3V, VCCQ 1.8V / 3.3V
Nhiệt độ hoạt động -25C đến +85C
Gói BGA153, 11,5 x 13 x 1,0mm
Ưu điểm chính
  • Độ bền chu kỳ xóa chương trình cao cho các ứng dụng ghi liên tục
  • Tùy chọn pSLC nâng sức chịu đựng hơn nữa trên các vách ngăn nóng nhất
  • Đường mòn tĩnh và động kéo dài tuổi thọ
  • LDPC ECC bảo vệ dữ liệu khi tế bào già
  • Giao diện chuẩn eMMC 5.1 HS400 và dấu chân BGA153
  • Thích hợp cho các bộ ghi dữ liệu, viễn thông, dashcam và cổng cạnh

PG đã cung cấp bộ nhớ flash từ Thâm Quyến từ ngày đầu tiên, với sản xuất được chứng nhận CE, RoHS, ISO9001, AEC-Q100 và IATF16949.Dữ liệu thử nghiệm độ bền và khả năng tùy chỉnh hoặc cấu hình pSLC có sẵn cho các dự án đủ điều kiện.

Bạn cũng có thể thích