Riepilogo Prodotto
Dettagli del prodotto
High Endurance eMMC 5.1
,Long Program Erase Cycles
,Endurance Flash Storage
Descrizione del prodotto
I carichi di lavoro intensivi in scrittura sono dove lo storage embedded fallisce per primo. Data logger, scatole telematiche, registratori di sorveglianza e gateway edge scrivono continuamente, e una parte a bassa resistenza si usura ben prima della fine della garanzia del prodotto. Questo eMMC 5.1 PG è progettato attorno a un elevato budget di cicli di programma-cancellazione, in modo da poter sovradimensionare, registrare 24 ore su 24 e comunque garantire una vita utile prevedibile. Viene fornito in densità da 32 GB, 64 GB e 128 GB con il familiare ingombro BGA153.
- Elevato budget di cicli P/E - più cicli di programma-cancellazione per cella, così le partizioni più attive sopravvivono ad anni di registrazione continua.
- Opzione modalità pSLC - per le partizioni più intensive in scrittura, una configurazione pSLC moltiplica la resistenza a scapito della densità.
- Livellamento avanzato dell'usura - algoritmi statici e dinamici distribuiscono le scritture uniformemente su ogni blocco per evitare punti caldi precoci.
- LDPC ECC - la correzione degli errori a parità di bassa densità mantiene bassi i tassi di errore dei bit man mano che le celle invecchiano.
La resistenza non è solo una proprietà del NAND. Il firmware del controller bilancia l'usura, gestisce i blocchi danneggiati e riporta lo stato di salute tramite comandi eMMC standard, in modo che il software host possa monitorare e sostituire preventivamente un dispositivo prima che si guasti.
| Modello | Capacità | NAND | Package | Dimensioni |
|---|---|---|---|---|
| G2832GTLCB | 32GB | 3D TLC | FBGA153 | 11.5*13mm |
| G2864GTLCB | 64GB | 3D TLC | FBGA153 | 11.5*13mm |
| G28128TLCB | 128GB | 3D TLC | FBGA153 | 11.5*13mm |
| Interfaccia | eMMC 5.1, modalità HS400 |
| Capacità | 32GB / 64GB / 128GB |
| Flash NAND | NAND 3D TLC (opzione pSLC) |
| Resistenza | Elevato rating di cicli di programma-cancellazione |
| Correzione errori | LDPC ECC |
| Livellamento usura | Statico e dinamico |
| Tensione operativa | VCC 3.3V, VCCQ 1.8V / 3.3V |
| Temperatura operativa | -25C a +85C |
| Package | BGA153, 11.5 x 13 x 1.0mm |
- Elevata resistenza ai cicli di programma-cancellazione per applicazioni di scrittura continua
- L'opzione pSLC aumenta ulteriormente la resistenza sulle partizioni più attive
- Il livellamento statico e dinamico dell'usura estende la vita utile
- LDPC ECC protegge i dati man mano che le celle invecchiano
- Interfaccia standard eMMC 5.1 HS400 e ingombro BGA153
- Adatto per data logger, telematica, dashcam e gateway edge
PG fornisce memoria flash da Shenzhen fin dal primo giorno, con produzione certificata CE, RoHS, ISO9001, AEC-Q100 e IATF16949. Dati di test di resistenza e configurazioni personalizzate di capacità o pSLC sono disponibili per progetti di qualifica.
