Resumen del producto
Detalles del producto
High Endurance eMMC 5.1
,Long Program Erase Cycles
,Endurance Flash Storage
Descripción del producto
Los registros de datos, las cajas telemáticas, los registradores de vigilancia y las pasarelas de borde escriben continuamente.y una pieza de baja resistencia se desgasta mucho antes de que finalice la garantía del productoEste PG eMMC 5.1 está diseñado en torno a un alto presupuesto de ciclo de borrado de programas, por lo que puede sobre-provisión, registro alrededor del reloj y todavía publicar una vida útil predecible.Densidades de 64 GB y 128 GB con la conocida huella BGA153.
- Presupuesto alto para el ciclo P/E- más programas borran ciclos por célula para que las particiones calientes sobrevivan años de registro continuo.
- Opción de modo pSLC- para las particiones con mayor intensidad de escritura, una configuración pSLC multiplica la resistencia a costa de la densidad.
- Nivelación avanzada del desgaste- algoritmos estáticos y dinámicos distribuidos escribe uniformemente a través de cada bloque para evitar puntos calientes tempranos.
- El número de unidades de producción- la corrección de errores de la comprobación de paridad de baja densidad mantiene bajas las tasas de error de bits a medida que las células envejecen.
La resistencia no es solo una propiedad de NAND. El firmware del controlador equilibra el desgaste, gestiona bloques defectuosos e informa sobre el estado a través de comandos eMMC estándar,para que el software host pueda monitorear y reemplazar preventivamente un dispositivo antes de que falle.
| Modelo | Capacidad | NAND | Paquete | Las dimensiones |
|---|---|---|---|---|
| G2832GTLCB | 32 GB | 3D TLC | El número de unidades | 11.5*13 mm |
| G2864 GTLCB | 64 GB | 3D TLC | El número de unidades | 11.5*13 mm |
| G28128TLCB | 128 GB. | 3D TLC | El número de unidades | 11.5*13 mm |
| Interfaz | EMMC 5. ¿Qué quiere decir?1, modo HS400 |
| Capacidad | 32GB / 64GB / 128GB |
| NAND flash | 3D TLC NAND (opción pSLC) |
| La resistencia | Clasificación de ciclo de borrado de programas alta |
| Corrección de errores | El número de unidades de producción |
| Nivelación del desgaste | Estático y dinámico |
| Voltado de funcionamiento | VCC 3,3 V, VCCQ 1,8 V / 3,3 V |
| Temperatura de funcionamiento | -25oC a +85oC |
| Paquete | BGA153, 11,5 x 13 x 1,0 mm |


- Alta resistencia al ciclo de borrado de programas para aplicaciones de escritura continua
- La opción pSLC aumenta aún más la resistencia en las particiones más calientes
- El nivel de desgaste estático y dinámico prolonga la vida útil
- LDPC ECC protege los datos a medida que las células envejecen
- Interfaz estándar eMMC 5.1 HS400 y huella BGA153
- Apto para registradores de datos, telemática, cámaras de control y pasarelas de borde
PG ha suministrado memoria flash desde Shenzhen desde el primer día, con producción certificada CE, RoHS, ISO9001, AEC-Q100 e IATF16949.Los datos de pruebas de resistencia y la capacidad personalizada o las configuraciones pSLC están disponibles para proyectos de calificación..