logo
×
Chất lượng IOPS cao eMMC 5.1 64GB 128GB 256GB Đọc ngẫu nhiên Viết tối ưu hóa Embedded Flash nhà máy
Chất lượng IOPS cao eMMC 5.1 64GB 128GB 256GB Đọc ngẫu nhiên Viết tối ưu hóa Embedded Flash nhà máy
Chất lượng IOPS cao eMMC 5.1 64GB 128GB 256GB Đọc ngẫu nhiên Viết tối ưu hóa Embedded Flash nhà máy

IOPS cao eMMC 5.1 64GB 128GB 256GB Đọc ngẫu nhiên Viết tối ưu hóa Embedded Flash

Đặc điểm kỹ thuật sản phẩm
Nơi xuất xứ: Thâm Quyến, Trung Quốc
Tên thương hiệu: PG
Chứng nhận: CE, RoHS, ISO9001,AEC-Q100,IATF16949
Số mô hình: G2864GTLCB/G28128TLCB/G28256TLCB
Số lượng đặt hàng tối thiểu: 50 miếng
Giá: Có thể đàm phán
bao bì tiêu chuẩn: Khay chống tĩnh điện + túi hút chân không, thùng carton xuất khẩu
Thời gian giao hàng: 10 đến 15 ngày
Điều khoản thanh toán: T/T, L/C
Khả năng cung cấp: 100k một tháng

Tóm tắt sản phẩm

PG IOPS eMMC 5.1 cao 64GB 128GB với tính năng tối ưu hóa đọc ghi ngẫu nhiên cho các ứng dụng nhúng phản hồi nhanh.

Chi tiết sản phẩm

Làm nổi bật:

IOPS eMMC 5.1 cao

,

Đọc ngẫu nhiên Viết tối ưu hóa

,

eMMC 5.1 kích thước gói

Mô tả sản phẩm

eMMC 5.1 64GB 128GB 256GB IOPS cao Đọc Ghi Ngẫu nhiên Tối ưu hóa Flash nhúng
Tổng quan sản phẩm

Không phải tất cả các khối lượng công việc lưu trữ đều là tuần tự. Điện thoại thông minh, máy tính bảng, ki-ốt và HMI công nghiệp liên tục đọc và ghi nhiều tệp nhỏ, và trải nghiệm người dùng phụ thuộc vào hiệu suất đầu vào đầu ra ngẫu nhiên. eMMC 5.1 PG này được tối ưu hóa cho hoạt động IOPS cao, với bộ điều khiển được tinh chỉnh để tăng tốc độ đọc và ghi các khối nhỏ, giảm độ trễ và giữ cho hệ thống phản hồi ngay cả khi nhiều ứng dụng truy cập bộ nhớ cùng lúc.

Các thiết bị 64GB và 128GB kết hợp NAND TLC 3D với bộ điều khiển eMMC 5.1 HS400 có tính năng tối ưu hóa IOPS, cảm biến đọc và truy cập đa kênh. Các hoạt động đọc và ghi ngẫu nhiên được phân phối trên các chip NAND song song, giúp tăng thông lượng cho các mẫu truy cập phân mảnh điển hình của hệ điều hành và cơ sở dữ liệu.

Ngoài IOPS thô, bộ điều khiển còn bao gồm cân bằng hao mòn, TRIM và quản lý khối lỗi để duy trì hiệu suất ngẫu nhiên đó trong suốt vòng đời sản phẩm. Kết quả là một giải pháp lưu trữ mang lại cảm giác nhanh chóng ngay từ ngày đầu và vẫn nhanh sau nhiều năm sử dụng trong các hệ thống nhúng.

Mẫu sản phẩm
Mẫu Dung lượng Tiêu chuẩn Giao thức NAND Vỏ Kích thước Nhiệt độ hoạt động Nhiệt độ lưu trữ
G2864GTLCB 64GB eMMC 5.1 TLC 3D FBGA153 11.5*13mm -25°C~85°C -40°C~105°C
G28128TLCB 128GB eMMC 5.1 TLC 3D FBGA153 11.5*13mm -25°C~85°C -40°C~105°C
G28256TLCB 256GB eMMC 5.1 TLC 3D FBGA153 11.5*13mm -25°C~85°C -40°C~105°C
G2819GPLCB 19GB eMMC 5.1 pSLC FBGA153 11.5*13mm -25°C~85°C -40°C~105°C
G2508GTLCB 8GB eMMC 5.1 TLC 3D FBGA153 11.5*13mm 0°C~70°C -45°C~85°C
G2516GTLCB 16GB eMMC 5.1 TLC 3D FBGA153 11.5*13mm 0°C~70°C -45°C~85°C
G2532GTLCB 32GB eMMC 5.1 TLC 3D FBGA153 11.5*13mm 0°C~70°C -45°C~85°C
G2564GTLCB 64GB eMMC 5.1 TLC 3D FBGA153 11.5*13mm 0°C~70°C -45°C~85°C
G2504GPLCB 4GB eMMC 5.1 pSLC FBGA153 11.5*13mm -25°C~85°C -40°C~85°C
G2508GPLCB 8GB eMMC 5.1 pSLC FBGA153 11.5*13mm -25°C~85°C -40°C~85°C
G2516GPLCB 16GB eMMC 5.1 pSLC FBGA153 11.5*13mm -25°C~85°C -40°C~85°C
Thông số kỹ thuật
Giao diện eMMC 5.1, chế độ HS400
Dung lượng 64GB / 128GB / 256GB
Bộ nhớ Flash NAND NAND TLC 3D
Đọc ngẫu nhiên Tối ưu hóa, đa kênh
Ghi ngẫu nhiên Tối ưu hóa, tinh chỉnh IOPS
Đọc tuần tự Lên đến 300MB/s
Nhiệt độ hoạt động -25°C đến +85°C
Vỏ BGA153, 11.5 x 13 x 1.0mm

IOPS cao eMMC 5.1 64GB 128GB 256GB Đọc ngẫu nhiên Viết tối ưu hóa Embedded Flash

IOPS cao eMMC 5.1 64GB 128GB 256GB Đọc ngẫu nhiên Viết tối ưu hóa Embedded Flash

IOPS cao eMMC 5.1 64GB 128GB 256GB Đọc ngẫu nhiên Viết tối ưu hóa Embedded Flash

Ưu điểm chính
  • Tối ưu hóa IOPS ở cấp độ bộ điều khiển cho truy cập tệp nhỏ nhanh chóng
  • Truy cập NAND đa kênh tăng thông lượng ngẫu nhiên cho dữ liệu hệ điều hành và ứng dụng
  • Giảm độ trễ đọc ghi cải thiện thời gian khởi động và khởi chạy ứng dụng
  • TRIM và cân bằng hao mòn duy trì hiệu suất trong suốt vòng đời sản phẩm
  • Lý tưởng cho ki-ốt, máy tính bảng, POS, HMI công nghiệp và thiết bị biên
  • Tuân thủ JEDEC eMMC 5.1 để tích hợp bảng BGA153 tiêu chuẩn
Khả năng phản hồi ở những nơi quan trọng

Người dùng đánh giá các thiết bị nhúng dựa trên tốc độ phản hồi của chúng và độ trễ lưu trữ là một phần quan trọng của trải nghiệm đó. eMMC 5.1 IOPS cao này giảm thời gian cần thiết để mở ứng dụng, tải bản đồ, xử lý giao dịch và chuyển đổi giữa các tác vụ. Tối ưu hóa IOPS của bộ điều khiển và truy cập NAND đa kênh trực tiếp nhắm vào các mẫu đọc ghi ngẫu nhiên nhỏ chiếm ưu thế trong khối lượng công việc hệ điều hành thực tế.

IOPS cao cũng bảo vệ trải nghiệm người dùng khi thiết bị cũ đi. TRIM và cân bằng hao mòn giữ cho NAND sạch sẽ và mòn đều, do đó hiệu suất ngẫu nhiên không bị suy giảm sau nhiều tháng sử dụng. Đối với các sản phẩm tương tác như ki-ốt, thiết bị đầu cuối POS và HMI công nghiệp, khả năng phản hồi mà eMMC 5.1 này mang lại là một lợi thế cạnh tranh có thể đo lường được.

Cho dù khối lượng công việc là xử lý giao dịch, hiển thị bản đồ hay điều khiển máy, eMMC 5.1 IOPS cao này vẫn giữ cho giao diện phản hồi và trải nghiệm người dùng mượt mà từ lần khởi động đầu tiên đến hết vòng đời.

Đối với các hệ thống tương tác, sự kết hợp giữa IOPS ngẫu nhiên cao và độ trễ thấp trong eMMC 5.1 này chuyển đổi trực tiếp thành trải nghiệm người dùng tốt hơn và phản hồi giao dịch nhanh hơn.

Câu hỏi thường gặp
H: Tại sao IOPS ngẫu nhiên lại quan trọng trong bộ nhớ eMMC?
A: Hệ điều hành và ứng dụng chủ yếu truy cập các tệp nhỏ theo các mẫu ngẫu nhiên. IOPS ngẫu nhiên cao có nghĩa là khởi chạy ứng dụng nhanh hơn, khởi động nhanh hơn và đa nhiệm mượt mà hơn.
H: Làm thế nào để đạt được IOPS cao trong eMMC này?
A: Bộ điều khiển sử dụng truy cập NAND đa kênh, cảm biến đọc và tối ưu hóa IOPS để cải thiện thông lượng khối nhỏ và giảm độ trễ.
H: Có những mật độ nào có sẵn?
A: Dòng eMMC 5.1 IOPS cao này có sẵn với các mật độ 64GB và 128GB.
Bạn cũng có thể thích