logo
×
品質 高IOPS eMMC 5.1 64GB 128GB 256GB ランダム読み書き最適化 埋め込みフラッシュ 工場
品質 高IOPS eMMC 5.1 64GB 128GB 256GB ランダム読み書き最適化 埋め込みフラッシュ 工場
品質 高IOPS eMMC 5.1 64GB 128GB 256GB ランダム読み書き最適化 埋め込みフラッシュ 工場

高IOPS eMMC 5.1 64GB 128GB 256GB ランダム読み書き最適化 埋め込みフラッシュ

製品仕様
原産地: 深セン、中国
ブランド名: PG
認証: CE, RoHS, ISO9001,AEC-Q100,IATF16949
モデル番号: G2864GTLCB/G28128TLCB/G28256TLCB
最低注文数量: 50枚
価格: 交渉可能
標準パッケージ: 帯電防止トレイ + 真空密封バッグ、輸出グレードのカートン
納期: 10~15日
支払い条件: T/T、L/C
補給能力: 月に100k

製品概要

PG 高 IOPS eMMC 5.1 64GB 128GB は、応答性の高い組み込みアプリケーション向けにランダム読み取り書き込み最適化を備えています。

製品詳細

ハイライト:

高 IOPS eMMC 5.1

,

ランダム読み書き最適化

,

eMMC 5.1 パッケージの寸法

製品説明

高IOPS eMMC 5.1 64GB 128GB 256GB ランダム読み書き最適化 埋め込みフラッシュ
製品概要

スマートフォン,タブレット,キオスク,産業用HMIは 絶えず多くの小さなファイルを読み書きしていますランダムな入力出力性能に依存しますこのPG eMMC 5.1は,高いIOPS操作のために最適化されています. 制御器のチューニングは,小さなブロックの読み書きを加速します.多くのアプリケーションが同時にストレージにアクセスしている場合でも,遅延を軽減し,システムの応答性を維持します..

64GBと128GBのデバイスは,IOPS最適化,読み取りセンシング,マルチチャネルアクセスを備えたeMC 5.1 HS400コントローラと3D TLC NANDを組み合わせています.ランダムな読み書き操作は,並列NANDディスクに分散されます.操作システムやデータベースに特有の断片化されたアクセスパターンのスループットを増やす.

原始IOPSに加えて,コントローラには,製品の使用期間中にランダムなパフォーマンスを維持するために,耐磨レベル化,TRIMおよびバッドブロック管理が含まれています.組み込みシステムでの長年の使用後も 迅速に動作するストレージソリューションです.

製品モデル
モデル 容量 プロトコル規格 NAND パッケージ サイズ 動作温度 貯蔵温度
G2864GTLCB 64GB エム・MC・51 3D TLCについて FBGA153 11.5*13mm -25°C~85°C -40°C~105°C
G28128TLCB 128GB エム・MC・51 3D TLCについて FBGA153 11.5*13mm -25°C~85°C -40°C~105°C
G28256TLCB 256GB エム・MC・51 3D TLCについて FBGA153 11.5*13mm -25°C~85°C -40°C~105°C
G2819GPLCB 19GB エム・MC・51 pSLC FBGA153 11.5*13mm -25°C~85°C -40°C~105°C
G2508GTLCB 8GB エム・MC・51 3D TLCについて FBGA153 11.5*13mm -0°C~70°C -45°C~85°C
G2516GTLCB 16GB エム・MC・51 3D TLCについて FBGA153 11.5*13mm -0°C~70°C -45°C~85°C
G2532GTLCB 32GB エム・MC・51 3D TLCについて FBGA153 11.5*13mm -0°C~70°C -45°C~85°C
G2564GTLCB 64GB エム・MC・51 3D TLCについて FBGA153 11.5*13mm -0°C~70°C -45°C~85°C
G2504GPLCB 4GB エム・MC・51 pSLC FBGA153 11.5*13mm -25°C~85°C -40°C~85°C
G2508GPLCB 8GB エム・MC・51 pSLC FBGA153 11.5*13mm -25°C~85°C -40°C~85°C
G2516GPLCB 16GB エム・MC・51 pSLC FBGA153 11.5*13mm -25°C~85°C -40°C~85°C
テクニカル仕様
インターフェース エム・MC・51HS400モード
容量 64GB / 128GB / 256GB
NANDフラッシュ 3D TLC NAND
ランダム読み込み オプティマイズされた多チャンネル
ランダムで書く オプティマイズ,IOPS調整
連続読み込み 最大300MB/s
動作温度 -25Cから+85C
パッケージ BGA153,11.5 × 13 × 1.0mm

高IOPS eMMC 5.1 64GB 128GB 256GB ランダム読み書き最適化 埋め込みフラッシュ

高IOPS eMMC 5.1 64GB 128GB 256GB ランダム読み書き最適化 埋め込みフラッシュ

高IOPS eMMC 5.1 64GB 128GB 256GB ランダム読み書き最適化 埋め込みフラッシュ

主要 な 利点
  • スナップな小さなファイルアクセスのためのコントローラレベルのIOPS最適化
  • マルチチャネルNANDアクセスは,OSとアプリデータのためのランダム処理量を増加させる.
  • 読み書きの遅延が短くなって起動時間やアプリケーションの起動が改善される
  • TRIM と 磨き レベル 化 は 製品 の 生存 期間 中 に 걸쳐 性能 を 保ち ます
  • キオスク,タブレット,POS,工業用HMI,エッジデバイスに最適
  • JEDEC eMMC 5.1 標準BGA153ボード統合に対応する
重要 な 場合 に 反応 する

ユーザは,組み込みデバイスの反応速さによって判断し,ストレージの遅延はその体験の主要な部分です.この高いIOPS eMMC 5.1は,アプリケーションを開く,マップをロードする,処理トランザクションとタスク間の切り替えコントローラーのIOPS最適化とマルチチャネルNANDアクセスは,実際のオペレーティングシステムのワークロードを支配する小さなランダムな読み書きパターンを直接ターゲットにします.

高IOPSは,デバイスが老化するにつれてユーザー体験も保護する.TRIMと磨損レベル化は,NANDを清潔で均等に磨くため,数ヶ月間の使用後にランダムなパフォーマンスが崩壊しない.インタラクティブな製品 (キオスクなど)このeMCM 5.1によって提供される応答性は,測定可能な競争優位性です.

トランザクション処理,マップレンダリング,機械制御のいずれにせよ,この高いIOPS eMMC 5.1 最初のブートからライフ終了まで,インターフェースが応答的で,ユーザー体験がスムーズに保たれる.

インタラクティブなシステムでは,このeMC 5.1の高ランダムIOPSと低レイテンシーの組み合わせは,よりよいユーザー体験とより速いトランザクション応答に直接変換されます.

よく 聞かれる 質問
Q: eMMC ストレージでは なぜランダムな IOPS が重要なのか?
A:オペレーティングシステムとアプリケーションは,主にランダムなパターンで小さなファイルにアクセスします.高いランダムIOPSは,アプリの起動速度,起動速度,マルチタスクのスムーズさを意味します.
Q:このeMCでは高いIOPSはどのように達成されますか?
A: 制御器は,マルチチャネルNANDアクセス,読み取りセンサー,IOPS最適化を使用して,小さなブロックのスループットを向上させ,遅延を軽減します.
Q:どの密度が利用可能ですか?
A: この高いIOPS eMMC 5.1シリーズは 64GB と 128GB の密度で提供されています.
また好むかもしれない