| giao thức | HS400 |
|---|---|
| Điện áp | 2.7V-3.6V |
| Đặc điểm | Cấp độ mòn nâng cao, quản lý khối xấu, hỗ trợ cắt, bảo vệ mất điện, bảo vệ ghi an toàn |
| Nhà sản xuất | PG |
| Màu sắc | Màu đen |
| Tốc độ ghi ngẫu nhiên | Lên đến 4.000 IOPS |
|---|---|
| Sử dụng | lưu trữ cho điện thoại, máy tính bảng, v.v. |
| tốc độ ghi | Lên đến 240 MB/giây |
| Mã sửa lỗi | Vâng |
| Kích thước gói | 11,5mm x 13mm |
| Công suất | 8GB-512GB |
|---|---|
| Tốc độ đọc | Lên đến 330 MB/giây |
| hiệp định | HS400 |
| tốc độ ghi | Lên đến 240 MB/giây |
| Nhiệt độ hoạt động | -25℃~+85℃ |
| Tên | PG 64GB Emmc |
|---|---|
| Công suất | 8GB, 64GB, 128GB, 256GB, 512GB |
| OEM/ODM | hoan nghênh |
| hiệp định | HS400 |
| Tốc độ đọc | Lên đến 330 MB/giây |
| Công suất | 8GB-512GB |
|---|---|
| Tốc độ đọc | Lên đến 330 MB/giây |
| hiệp định | HS400 |
| tốc độ ghi | Lên đến 240 MB/giây |
| Nhiệt độ hoạt động | -25℃~+85℃ |
| Công suất | 8GB-512GB |
|---|---|
| Tốc độ đọc | Lên đến 330 MB/giây |
| hiệp định | HS400 |
| tốc độ ghi | Lên đến 240 MB/giây |
| Nhiệt độ hoạt động | -25℃~+85℃ |
| Công suất | 8GB/16GB/32GB/64GB/128GB/256GB |
|---|---|
| Tốc độ đọc | Lên đến 330 MB/giây |
| hiệp định | HS400 |
| tốc độ ghi | Lên đến 240 MB/giây |
| Nhiệt độ hoạt động | -25℃~+85℃ |
| Nhiệt độ hoạt động | -25°C đến +85°C |
|---|---|
| Nand Flash | MLC/TLC/QLC |
| Màu sắc | Đen |
| Giao diện | HS400, HS200, HS, DDR |
| Tốc độ ghi ngẫu nhiên | Lên đến 10.000 IOPS |
| Công suất | 8GB đến 256GB |
|---|---|
| hiệp định | HS400 |
| Tốc độ đọc | Lên đến 330 MB/giây |
| tốc độ ghi | Lên đến 240 MB/giây |
| Nhiệt độ hoạt động | -40oC~+85oC / -45oC~+105oC |
| Nhiệt độ hoạt động | -25°C đến 85°C |
|---|---|
| Kích thước gói | 11,5mm x 13mm |
| Công suất | 4GB, 128GB, 256GB |
| chiều rộng xe buýt | 1 bit, 4 bit, 8 bit |
| Lựa chọn đèn flash | MLC |