ชิปหน่วยความจำแฟลชฝังตัว eMMC 5.1 BGA153 ความทนทานสูง 32GB 64GB 128GB
สรุปผลิตภัณฑ์
รายละเอียดสินค้า
eMMC ความทนทานสูง 5.1
,รอบการลบโปรแกรมที่ยาวนาน
,ที่เก็บข้อมูลแฟลชความอดทน
คําอธิบายสินค้า
จิปความทนทานสูง eMMC 5.1 BGA153 32GB 64GB 128GB แฟลชจํา
เขียนภาระงานที่หนักคือที่ที่การเก็บข้อมูลที่ติดตั้งล้มเหลวครั้งแรกและชิ้นส่วนที่มีความทนทานต่ํา สามารถใช้งานได้นานก่อนระยะเวลาการรับประกันจะสิ้นสุดeMMC 5.1 ที่มีความทนทานสูงนี้ถูกสร้างขึ้นโดยใช้งบประมาณในการลบโปรแกรมอย่างอุดมสมบูรณ์ลงบันทึกตลอดเวลาและยังการตีพิมพ์อายุการใช้งานที่คาดเดาได้สําหรับผลิตภัณฑ์ปลาย.
ส่วนชิ้นจะส่งในความหนาแน่น 32GB, 64GB และ 128GB ภายใน BGA153 ที่คุ้นเคย, ทําให้พานที่มีอยู่สามารถย้ายไปยังการเก็บรักษาอายุที่ยาวนานกว่าโดยไม่ต้องเปลี่ยนแปลงการวางแผน.เฟิร์มแวร์ของตัวควบคุมจะเสื่อมทุกบล็อก, จัดการบล็อกที่ผิดปกติ และเปิดเผยสุขภาพของอุปกรณ์ผ่านคําสั่ง eMMC มาตรฐาน, ดังนั้นโปรแกรมโฮสต์สามารถติดตามความเสื่อมและกําหนดการเปลี่ยนก่อนที่ความล้มเหลวจะถึงสนาม.
ในความเป็นจริง ความทนทานแสดงออกในสนามในฐานะหน่วยที่ยังคงเก็บข้อมูลหลังจากหลายปี แทนที่จะกลับมารับประกันอุปกรณ์นี้ช่วยให้ทีมงานบํารุงรักษา ดูแนวโน้มการใช้งาน และเปลี่ยนโมดูลระหว่างการเยี่ยมชมที่วางแผนความสามารถที่คาดเดาได้นั้นมักจะคุ้มค่ามากกว่าความจุ โดยเฉพาะอย่างยิ่งเมื่อสินค้าต้องใช้งานโดยไม่ต้องดูแล
รายละเอียดเทคนิคที่เน้นความทนทาน
| อินเตอร์เฟซ | เอ็มเอ็มซี 51, รูปแบบ HS400 |
| ความจุ | 32GB / 64GB / 128GB |
| NAND Flash | 3D TLC NAND (ตัวเลือก pSLC) |
| การแก้ไขความผิดพลาด | LDPC ECC |
| การสวมระดับ | สถานและไดนามิก |
| โลเตจการทํางาน | VCC 3.3V, VCCQ 1.8V / 3.3V |
| อุณหภูมิการทํางาน | -25C ถึง +85C |
| แพ็คเกจ | BGA153, 11.5 x 13 x 1.0 มิลลิเมตร |
| Boot & RPMB | พื้นที่จัดตั้งแบบ eMMC 5.1 แบบมาตรฐานที่มี RPMB |
| ความสอดคล้อง | JEDEC eMMC 5.1, RoHS |
| การจัดอันดับความทนทาน | ระดับการลบโปรแกรมสูง (ตัวเลือก pSLC ขยายออกไปอีก) |
| กรณีการใช้ | เขียนการบันทึกข้อมูลอย่างเข้มข้น, เทเลมติกส์, การเก็บข้อมูลขอบ |
รูปแบบที่มีอยู่
| รุ่น | ความจุ | NAND | แพ็คเกจ | ขนาด |
|---|---|---|---|---|
| G2832GTLCB | 32GB | 3D TLC | FBGA153 | 11.5*13 มิลลิเมตร |
| G2864GTLCB | 64GB | 3D TLC | FBGA153 | 11.5*13 มิลลิเมตร |
| G28128TLCB | 128GB | 3D TLC | FBGA153 | 11.5*13 มิลลิเมตร |
เหตุ ใด ความ อด ทน จึง สําคัญ ต่อ การ ออกแบบ ของ คุณ
- งบประมาณการลบโปรแกรมที่สูง ทําให้ส่วนแยกที่ร้อนอยู่รอด ผ่านการตัดไม้ต่อเนื่องหลายปี
- ตัวเลือกโหมด pSLC ทําให้ความทนทานเพิ่มขึ้นหลายเท่าในพาร์ติชั่นที่ใช้การเขียนมากที่สุด โดยเสียค่าความหนาแน่น
- สถานและไดนามิคการใช้สัดส่วนระดับการกระจาย เขียนอย่างเท่าเทียมกัน ดังนั้นไม่มีบล็อคเดียวจะกลายเป็นจุดร้อนในตอนแรก
- LDPC ECC ทําให้อัตราความผิดพลาดของบิตต่ําลงเมื่อเซลล์แก่ขึ้น ป้องกันข้อมูลตลอดอายุการใช้งาน
- อินเตอร์เฟซแบบมาตรฐาน eMMC 5.1 HS400 และ BGA153 ทําให้การปรับปรุงในบอร์ดที่มีอยู่สามารถลดลง
- การรายงานสภาพของอุปกรณ์ทําให้ฟอร์มแวร์ของโฮสต์สามารถติดตามการเสื่อมและวางแผนการเปลี่ยนล่วงหน้า
ความทนทานสูง eMMC 5.1 คําถาม
อะไรทําให้ eMMC 5.1 มีความทนทานสูง?
มันใช้โปรแกรมที่มีการจัดอันดับระยะการลบโปรแกรมสูง, รองรับโดยการปรับระดับการสกัดสภาพ static และ dynamic และ LDPC ECC.ดังนั้นอุปกรณ์จึงทนต่อการเขียนเกินหลายรอบมากกว่าส่วนของเกรดมาตรฐาน.
ฉันสามารถเพิ่มความอดทนได้อีกต่อไปหรือไม่?
ใช่ NAND สามารถตั้งค่าได้ในแบบ pSLC ซึ่งเปลี่ยนความหนาแน่นประมาณครึ่งหนึ่งปกติจะใช้แค่ส่วนแบ่งร้อนเล็ก ๆ ที่ได้รับการเขียนมากที่สุด.
มีความจุและแพคเกจอะไรบ้าง
ระดับครอบคลุม 32GB, 64GB และ 128GB ในแพคเกจ BGA153 ขนาด 11.5 x 13 x 1.0mm, ดังนั้นคุณสามารถรักษารอยเท้าเดียวกันในหลายระดับสินค้า.
ฉันจะติดตามชีวิตที่เหลือได้อย่างไร?
เครื่องควบคุมจะเปิดเผยข้อมูลสุขภาพผ่านคําสั่ง eMMC มาตรฐาน ฟอร์มแวร์โฮสต์สามารถอ่านค่าเหล่านี้และแจ้งเตือนเมื่อหน่วยเข้าใกล้ขั้นต่ําการสกัด
ส่วนนี้มักใช้ที่ไหน
มันเหมาะกับกล่องเทเลมาติก, เครื่องบันทึกข้อมูล, เครื่องบันทึกการเฝ้าระวัง และเกตเวย์ขอบ (edge gateway) ที่ข้อมูลถูกเขียนอย่างต่อเนื่อง และการเก็บรักษาต้องอยู่ได้ตลอดระยะเวลาการรับประกัน
PG ได้จัดจําหน่ายไฟฟ้ากระจกจากเชนเจนมาหลายปี, ด้วยการผลิตที่ได้รับการรับรอง CE, RoHS, ISO9001, AEC-Q100 และ IATF16949.ข้อมูลการทดสอบความทนทานและความสามารถที่กําหนดเองหรือการตั้งค่า pSLC มีให้เลือกสําหรับโครงการการคัดเลือก.
