Memoria Flash Incorporata ad Alta Resistenza eMMC 5.1 BGA153 32GB 64GB 128GB
Riepilogo Prodotto
Dettagli del prodotto
eMMC ad alta resistenza 5.1
,cicli lunghi di cancellazione dei programmi
,memoria flash di resistenza
Descrizione del prodotto
eMMC 5.1 BGA153 ad alta resistenza da 32 GB, 64 GB, 128 GB, chip di memoria flash integrata
I carichi di lavoro intensivi in scrittura sono dove lo storage integrato fallisce per primo. Data logger, unità telematiche, registratori di sorveglianza e gateway edge scrivono continuamente, e una parte a bassa resistenza può usurarsi ben prima della fine del periodo di garanzia. Questo eMMC 5.1 ad alta resistenza è costruito attorno a un generoso budget di cicli di cancellazione/programmazione, in modo che i progettisti possano effettuare il over-provisioning, registrare 24 ore su 24 e comunque pubblicare una vita utile prevedibile per il prodotto finale.
La parte viene spedita nelle densità da 32 GB, 64 GB e 128 GB all'interno del familiare ingombro BGA153, consentendo alle schede esistenti di passare a uno storage di maggiore durata senza alcuna modifica al layout. Il firmware del controller bilancia l'usura su ogni blocco, gestisce i blocchi danneggiati ed espone lo stato del dispositivo tramite comandi eMMC standard, in modo che il software host possa monitorare il degrado e pianificare la sostituzione prima che un guasto raggiunga il campo.
In pratica, la resistenza si manifesta sul campo come unità che continuano a registrare dopo diversi anni invece di tornare per la garanzia. Combinando un elevato budget di cicli di cancellazione/programmazione con il reporting dello stato di salute, questo dispositivo consente a un team di manutenzione di osservare le tendenze di usura e sostituire un modulo durante una visita pianificata anziché dopo un'interruzione imprevista. Tale prevedibilità vale spesso più della capacità grezza, specialmente dove il prodotto deve rimanere in servizio incustodito.
Specifiche tecniche focalizzate sulla resistenza
| Interfaccia | eMMC 5.1, modalità HS400 |
| Capacità | 32 GB / 64 GB / 128 GB |
| NAND Flash | 3D TLC NAND (opzione pSLC) |
| Correzione errori | LDPC ECC |
| Wear Levelling | Statico e dinamico |
| Tensione operativa | VCC 3.3V, VCCQ 1.8V / 3.3V |
| Temperatura operativa | -25°C a +85°C |
| Package | BGA153, 11,5 x 13 x 1,0 mm |
| Boot & RPMB | Partizione di avvio eMMC 5.1 standard con RPMB |
| Conformità | JEDEC eMMC 5.1, RoHS |
| Valutazione di resistenza | Elevata valutazione di cicli di cancellazione/programmazione (l'opzione pSLC estende ulteriormente) |
| Caso d'uso | Registrazione intensiva in scrittura, telematica, storage edge |
Modelli disponibili
| Modello | Capacità | NAND | Package | Dimensioni |
|---|---|---|---|---|
| G2832GTLCB | 32 GB | 3D TLC | FBGA153 | 11,5*13 mm |
| G2864GTLCB | 64 GB | 3D TLC | FBGA153 | 11,5*13 mm |
| G28128TLCB | 128 GB | 3D TLC | FBGA153 | 11,5*13 mm |
Perché la resistenza è importante per il tuo progetto
- Un elevato budget di cicli di cancellazione/programmazione mantiene vive le partizioni attive attraverso anni di registrazione continua.
- L'opzione della modalità pSLC moltiplica la resistenza sulle partizioni più intensive in scrittura al costo della densità.
- Il wear levelling statico e dinamico distribuisce le scritture in modo uniforme, in modo che nessun singolo blocco diventi un punto caldo precoce.
- L'LDPC ECC mantiene bassi i tassi di errore di bit man mano che le celle invecchiano, proteggendo i dati per l'intera vita utile.
- L'interfaccia standard eMMC 5.1 HS400 e l'ingombro BGA153 consentono un aggiornamento drop-in sulle schede esistenti.
- Il reporting dello stato di salute del dispositivo consente al firmware host di monitorare l'usura e pianificare la sostituzione in anticipo.
Domande sull'eMMC 5.1 ad alta resistenza
Cosa rende questo eMMC 5.1 ad alta resistenza?
Utilizza un programma con un'elevata valutazione di cicli di cancellazione/programmazione, supportato da wear levelling statico e dinamico e LDPC ECC. Insieme, questi distribuiscono le scritture in modo uniforme e correggono gli errori man mano che le celle invecchiano, in modo che il dispositivo tolleri molti più cicli di sovrascrittura rispetto a una parte di grado standard.
Posso aumentare ulteriormente la resistenza?
Sì. La NAND può essere configurata in modalità pSLC, che scambia circa la metà della densità per un grande aumento dei cicli di cancellazione/programmazione. Questo viene solitamente applicato solo alla piccola partizione attiva che riceve la maggior parte delle scritture.
Quali capacità e package sono disponibili?
La gamma copre 32 GB, 64 GB e 128 GB in un package BGA153 che misura 11,5 x 13 x 1,0 mm, in modo da poter mantenere un ingombro su diversi livelli di prodotto.
Come monitoro la vita residua?
Il controller espone le informazioni sullo stato di salute tramite comandi eMMC standard. Il firmware host può leggere questi valori e generare un avviso quando un'unità si avvicina al suo limite di usura.
Dove viene tipicamente utilizzato questo componente?
È adatto per scatole telematiche, data logger, registratori di sorveglianza e gateway edge dove i dati vengono scritti continuamente e lo storage deve sopravvivere all'intero periodo di garanzia.
PG fornisce flash integrata da Shenzhen da anni, con produzione certificata CE, RoHS, ISO9001, AEC-Q100 e IATF16949. I dati di test di resistenza e le configurazioni personalizzate di capacità o pSLC sono disponibili per i progetti di qualificazione.
