logo
×

ชิปหน่วยความจำวงจรรวม EMMC 5.1 โมดูล EMMC 64GB 128GB 256GB มีสินค้า

ข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์
สถานที่ผลิต: เซินเจิ้นประเทศจีน
ชื่อแบรนด์: PG
หมายเลขรุ่น: G2864TLCB/G28128TLCB/G28256TLCB/G2564LTCB/G25128LTCB/G25256LTCB
ปริมาณการสั่งซื้อขั้นต่ำ: 50ชิ้น
ราคา: สามารถต่อรองได้
เวลาการส่งมอบ: 10 ถึง 15 วัน
เงื่อนไขการชำระเงิน: แอล/C,ที/ที
ความสามารถในการจัดหา: 100,000 ต่อเดือน

สรุปผลิตภัณฑ์

EMMC 5.1 วงจรรวมชิปหน่วยความจำโมดูล EMMC 64GB 128GB 256GB ในสต็อก EMMC ประกอบด้วยชิปหน่วยความจำแฟลช NAND และชิปควบคุม ซึ่งบรรจุในรูปแบบ BGA ชิปแฟลช NAND ทำหน้าที่เป็นสื่อกลางในการจัดเก็บข้อมูลโดยใช้เม็ด TLC ในขณะที่ชิปควบคุมจะจัดการการกำหนดเวลาข้อมูล การจัดการบล็อกที่ไม่ดี การแก้ไขข้อผิดพลาด และอัลก...

รายละเอียดสินค้า

เน้น:

แฟลชเมมรี่ emmc

,

ชิปวงจรบูรณาระบบ EMC

,

emmc 64gb

Product Name: อีเอ็มเอ็มซี 5.1
Memory: แฟลช
Wafer: KIOXIA เวเฟอร์
Manufacturer: แบรนด์ PG, China Chips Star
Write Speed: สูงสุด 240MB/วินาที
Compatibility: โทรศัพท์ Android
Storage Temperature: -20-85 ℃
Reliability Features: เพิ่มความน่าเชื่อถือของข้อมูลด้วย ECC ที่ได้รับการปรับปรุง

คําอธิบายสินค้า

EMMC 5.1 วงจรรวมชิปหน่วยความจำโมดูล EMMC 64GB 128GB 256GB ในสต็อก

EMMC ประกอบด้วยชิปหน่วยความจำแฟลช NAND และชิปควบคุม ซึ่งบรรจุในรูปแบบ BGA ชิปแฟลช NAND ทำหน้าที่เป็นสื่อกลางในการจัดเก็บข้อมูลโดยใช้เม็ด TLC ในขณะที่ชิปควบคุมจะจัดการการกำหนดเวลาข้อมูล การจัดการบล็อกที่ไม่ดี การแก้ไขข้อผิดพลาด และอัลกอริธึมการปรับระดับการสึกหรอ สแต็กโปรโตคอล MMC ในตัวรองรับการสื่อสารอินเทอร์เฟซแบบขนาน

ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
แบบอย่าง G2864GTLCA / G28128GTLCA / G28256GTLCA
ความจุ 64GB / 128GB / 256GB
ยี่ห้อ พีจี
เวเฟอร์ คิโอเซีย
ประเภทแพ็คเกจ บีจีเอ153
ความเร็วในการอ่าน 330 เมกะไบต์/วินาที
ความเร็วในการเขียน 240 เมกะไบต์/วินาที
EMMC 5.1 Memory Chip technical diagram and specifications EMMC 5.1 Memory Chip module and internal structure
ลักษณะการทำงาน
  • ความเร็วในการอ่านและเขียน:ความเร็วในการอ่านต่อเนื่องสูงสุด 330MB/วินาที การเขียนต่อเนื่องที่ 240MB/วินาที และการอ่านแบบสุ่ม 4K ที่ 10MB/วินาที
  • ช่วงความจุ:มีจำหน่ายในรุ่นความจุ 64GB-512GB
  • การใช้พลังงาน:ใช้พลังงานต่ำระหว่าง 50-100mW เหมาะสำหรับอุปกรณ์เคลื่อนที่ที่ไวต่อพลังงาน
ข้อดี
  • การพัฒนาแบบง่าย:NAND Flash และ Flash Controller ในตัวพร้อมอินเทอร์เฟซโปรโตคอลแบบครบวงจรช่วยลดความซับซ้อนในการออกแบบที่จัดเก็บข้อมูลของระบบ
  • ความเข้ากันได้ดีเยี่ยม:การสนับสนุนคอนโทรลเลอร์และไดรเวอร์ยังคงสอดคล้องกันในการอัพเกรดกระบวนการ NAND Flash
  • ประสิทธิภาพที่เพิ่มขึ้น:รวมเทคโนโลยีอาร์เรย์แคชและหน่วยความจำเพื่อเพิ่มความเร็วในการอ่านและเขียน
สถานการณ์การใช้งาน
  • อุปกรณ์เคลื่อนที่ระดับเริ่มต้น:โทรศัพท์ Android แท็บเล็ตการเรียนรู้สำหรับเด็ก - มอบพื้นที่จัดเก็บข้อมูลพื้นฐานโดยมีค่าใช้จ่ายประมาณ 60% ของโซลูชัน UFS
  • อุปกรณ์ฝังตัวและอุปกรณ์ IoT:สมาร์ททีวี ตัวควบคุมบ้านอัจฉริยะ เทอร์มินัล IoT เชิงอุตสาหกรรม มีคุณสมบัติต้านทานการกระแทก การป้องกันการตกหล่น และการทำงานที่อุณหภูมิกว้าง
  • การใช้งานด้านยานยนต์:กล้องติดรถยนต์ ระบบนำทางในรถยนต์ - ปรับให้เหมาะสมสำหรับสถานการณ์การอ่าน/เขียนตามลำดับ
คุณอาจชอบ