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Circuitos integrados de memoria EMMC 5.1 Chip de memoria MÓDULO EMMC 64GB 128GB 256GB En stock

Especificación de producto
Lugar de origen: Shénzhen, China
Nombre de la marca: PG
Número de modelo: G2864TLCB/G28128TLCB/G28256TLCB/G2564LTCB/G25128LTCB/G25256LTCB
Cantidad mínima de pedido: 50 piezas
Precio: Negociable
El tiempo de entrega: 10 a 15 días
Condiciones de pago: LC, T/T
Capacidad de suministro: 100 mil al mes.

Resumen del producto

MÓDULO EMMC 64GB 128GB 256GB del chip de memoria de los circuitos integrados de EMMC 5.1 en existencia EMMC consta de chips de memoria flash NAND y chips controladores, empaquetados en formato BGA. Los chips flash NAND sirven como medio de almacenamiento utilizando gránulos TLC, mientras que el chip ...

Detalles del producto

Resaltar:

Memoria flash emc

,

Chips de circuitos integrados

,

emmc 64gb

Product Name: EMMC 5. ¿Qué quiere decir?1
Memory: Destello
Wafer: Oblea de KIOXIA
Manufacturer: Marca PG, estrella de chips de China
Write Speed: Hasta 240 MB/s
Compatibility: Teléfonos de Android
Storage Temperature: -20-85 °C
Reliability Features: Confiabilidad de datos mejorada con ECC mejorado

Descripción del producto

MÓDULO EMMC 64GB 128GB 256GB del chip de memoria de los circuitos integrados de EMMC 5.1 en existencia

EMMC consta de chips de memoria flash NAND y chips controladores, empaquetados en formato BGA. Los chips flash NAND sirven como medio de almacenamiento utilizando gránulos TLC, mientras que el chip controlador maneja la programación de datos, la gestión de bloques defectuosos, la corrección de errores y los algoritmos de nivelación de desgaste. La pila de protocolos MMC integrada admite comunicación de interfaz paralela.

Especificaciones técnicas
Modelo G2864GTLCA / G28128GTLCA / G28256GTLCA
Capacidad 64GB / 128GB / 256GB
Marca PG
Oblea KIOXIA
Tipo de paquete BGA153
Velocidad de lectura 330 MB/s
Velocidad de escritura 240 MB/s
EMMC 5.1 Memory Chip technical diagram and specifications EMMC 5.1 Memory Chip module and internal structure
Características de rendimiento
  • Velocidad de lectura y escritura:Velocidad de lectura secuencial de hasta 330 MB/s, escritura continua a 240 MB/s y lectura aleatoria 4K a 10 MB/s
  • Rango de capacidad:Disponible en configuraciones de 64 GB a 512 GB
  • Consumo de energía:Bajo consumo de energía entre 50 y 100 mW, ideal para dispositivos móviles sensibles a la energía
Ventajas
  • Desarrollo simplificado:NAND Flash y controlador Flash integrados con interfaz de protocolo unificado reducen la complejidad del diseño de almacenamiento del sistema
  • Excelente compatibilidad:La compatibilidad con controladores y controladores se mantiene constante en todas las actualizaciones del proceso NAND Flash
  • Rendimiento mejorado:Incorpora tecnologías de matriz de memoria y caché para aumentar las velocidades de lectura y escritura.
Escenarios de aplicación
  • Dispositivos móviles de nivel básico:Teléfonos Android y tabletas de aprendizaje para niños: proporcionan almacenamiento básico a aproximadamente el 60 % del costo de la solución UFS
  • Dispositivos integrados y de IoT:Televisores inteligentes, controladores domésticos inteligentes y terminales industriales de IoT: presentan resistencia a golpes, protección contra caídas y funcionamiento a amplias temperaturas.
  • Aplicaciones automotrices:Cámaras de tablero y sistemas de navegación para automóviles: optimizados para escenarios de lectura/escritura secuenciales
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