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eMMC スピード 埋め込みフラッシュメモリ データ密集型アプリケーション用 大容量ストレージ

50PCS
MOQ
eMMC スピード 埋め込みフラッシュメモリ データ密集型アプリケーション用 大容量ストレージ
特徴 ギャラリー 製品の説明 見積依頼
特徴
仕様
プロトコル: HS400
電圧: 2.7V-3.6V
特徴: 先進的な耐用レベル化,不良ブロック管理,TRIMサポート,電源損失保護,安全な書き込み保護
メーカー: ページ
色: 黒
標準: エム・MC・51
容量: 32GB、64GB、128GB、256GB、512GB
品質: 100% オリジナル
ハイライト:

大容量内蔵フラッシュメモリ

,

データ密集型埋め込みフラッシュメモリ
基本情報
起源の場所: 深セン、中国
ブランド名: PG
モデル番号: G2864TLCB/G28128TLCB/G28256TLCB/G2564LTCB/G25128LTCB/G25256LTCB
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製品の説明
eMMC スピード 組み込みフラッシュメモリ 大容量 ストレージ
組み込みフラッシュメモリ eMMC5.1は,IoTデバイスや組み込みシステムにおけるデータ密集型アプリケーションのための高性能で信頼性の高いストレージを提供します.このソリューションは例外的な速度を提供します耐久性やデータセキュリティ
主要 な 特徴
製品名 eMMC51
製造者:PG
品質:100% オリジナル
インターフェース:HS400,HS200,HS,DDR
電圧:2.7V-3.6V
工業用クイオキシア
業績 ハイライト
ランダムな書き込み速度:迅速なデータ保存と取得のために最大10,000 IOPS
耐用レベル化技術:寿命が延長されるように 単調なメモリセル使用を保証します
ブロック管理が悪い欠陥ブロックを隔離することでデータの完整性を維持する
TRIM サポート:効率的なゴミ収集を可能にして持続的なパフォーマンスを提供します
電力損失保護:予期せぬ停電時のデータ保護
安全な書き込み保護:無許可のアクセスとデータ変更を防ぐ
テクニカル仕様
パラメータ 仕様
容量オプション 32GB,64GB,128GB,256GB,512GB 試聴する
動作温度 -25°Cから+85°C
インターフェース HS400,HS200,HS,DDR
製造者 PG
NANDフラッシュ MLC/TLC/QLC
ランダムな書き込み速度 1万 IOPS まで
品質 100% オリジナル
条件 新しい
議定書 HS400
スタンダード エム・MC・51
応用シナリオ
産業自動化高速かつ信頼性の高いパフォーマンスを要求する自動化システムのための高速データ保存
IoT デバイス:スマートセンサー,ウェアラブルデバイス,接続された家電を効率的なデータログで安全に保管する
自動車電子機器:インフォエンターテイメントシステム,ナビゲーションデバイス,車両診断のための堅牢なパフォーマンス
消費電子機器:スマートフォン,タブレット,デジタルカメラ,ゲームコンソール の 信頼できる ストレージ
エレガントな黒色デザインで提供されています産業用および消費者向けアプリケーションのさまざまなストレージ要件を満たすために8GBから512GBまでの汎用的な容量オプションを提供しています..
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